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胡尚正
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供职机构:
中国电子科技集团第十一研究所
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相关领域:
轻工技术与工程
电子电信
一般工业技术
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合作作者
周立庆
中国电子科技集团第十一研究所
吴卿
中国电子科技集团第十一研究所
田震
中国电子科技集团第十一研究所
折伟林
中国电子科技集团第十一研究所
刘铭
中国电子科技集团第十一研究所
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轻工技术与工...
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一般工业技术
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胡尚正
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一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法
本发明公开了一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法,所述石墨舟包括按照顺序从下到上布置的底托、滑条、母液槽、石墨片和上盖,其中,在滑条上设置有容纳衬底的多个衬底容纳部,使得衬底能够随着滑条沿石墨舟的纵向在底托内滑...
田震
周立庆
马建立
胡尚正
文献传递
碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定方法及装置
本发明公开了一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法及装置。本发明通过先假定分凝系数得到单位体积Au‑HgCdTe母液中Au的含量,并进行Au‑HgCdTe母液中Au、Hg、Cd、Te含量的计算,随后进行母液合...
胡尚正
刘铭
折伟林
吴卿
孙浩
周立庆
文献传递
用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法
本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中,解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。通过采...
杨海燕
胡尚正
田震
曹鹏飞
王利军
文献传递
多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法,包括:将样品置于低温、变磁场中,测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>;对测量的σxx和σxy进行拟合运算,计算样品中各类载...
胡尚正
折伟林
吴卿
陈慧卿
刘铭
田震
杨海燕
刘兴新
周立庆
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一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法
本发明公开了一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法,所述石墨舟包括按照顺序从下到上布置的底托、滑条、母液槽、石墨片和上盖,其中,在滑条上设置有容纳衬底的多个衬底容纳部,使得衬底能够随着滑条沿石墨舟的纵向在底托内滑...
田震
周立庆
马建立
胡尚正
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一种用于碲镉汞薄膜水平液相外延生长的石墨舟
本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜水平液相外延生长的石墨舟,包括:上盖、底托、滑条和母液槽;底托为包括一条底边和两条侧边的凹槽,滑条和母液槽放置在凹槽内,母液槽固定在凹槽的上端,且母液槽的上表面与两条侧边的上表面平齐,滑条位...
杨海燕
胡尚正
郭明珠
周立庆
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碲镉汞液相外延超平材料的生长方法及碲镉汞液相外延超平材料
本发明公开了一种碲镉汞液相外延超平材料的生长方法及碲镉汞液相外延超平材料,本发明通过控制碲镉汞外延层生长阶段的母液失汞量,以及控制碲镉汞生长液生长阶段的降温速率,使得HgCdTe液相外延材料表面平整高,降低大规格芯片互连...
胡尚正
周立庆
杨海燕
刘新兴
吴卿
田震
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碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定方法及装置
本发明公开了一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法及装置。本发明通过先假定分凝系数得到单位体积Au-HgCdTe母液中Au的含量,并进行Au-HgCdTe母液中Au、Hg、Cd、Te含量的计算,随后进行母液合...
胡尚正
刘铭
折伟林
吴卿
孙浩
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用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法
本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中,解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。通过采...
杨海燕
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田震
曹鹏飞
王利军
多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法,包括:将样品置于低温、变磁场中,测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>;对测量的σxx和σxy进行拟合运算,计算样品中各类载...
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