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胡尚正

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域:轻工技术与工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇碲镉汞
  • 8篇液相外延
  • 7篇母液
  • 3篇液相外延生长
  • 3篇石墨
  • 3篇碲镉汞薄膜
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇电学参数
  • 2篇液相
  • 2篇原位掺杂
  • 2篇载流子
  • 2篇砷离子
  • 2篇探测器
  • 2篇探测器组件
  • 2篇气态
  • 2篇气态汞
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇碲化镉

机构

  • 14篇中国电子科技...

作者

  • 14篇胡尚正
  • 9篇周立庆
  • 8篇吴卿
  • 7篇田震
  • 5篇刘铭
  • 5篇折伟林
  • 4篇孙浩
  • 4篇陈慧卿
  • 2篇刘兴新
  • 2篇马建立
  • 2篇王成刚
  • 1篇徐强强

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法
本发明公开了一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法,所述石墨舟包括按照顺序从下到上布置的底托、滑条、母液槽、石墨片和上盖,其中,在滑条上设置有容纳衬底的多个衬底容纳部,使得衬底能够随着滑条沿石墨舟的纵向在底托内滑...
田震周立庆马建立胡尚正
文献传递
碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定方法及装置
本发明公开了一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法及装置。本发明通过先假定分凝系数得到单位体积Au‑HgCdTe母液中Au的含量,并进行Au‑HgCdTe母液中Au、Hg、Cd、Te含量的计算,随后进行母液合...
胡尚正刘铭折伟林吴卿孙浩周立庆
文献传递
用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法
本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中,解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。通过采...
杨海燕胡尚正田震曹鹏飞王利军
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多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法,包括:将样品置于低温、变磁场中,测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>;对测量的σxx和σxy进行拟合运算,计算样品中各类载...
胡尚正折伟林吴卿陈慧卿刘铭田震杨海燕刘兴新周立庆
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一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法
本发明公开了一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法,所述石墨舟包括按照顺序从下到上布置的底托、滑条、母液槽、石墨片和上盖,其中,在滑条上设置有容纳衬底的多个衬底容纳部,使得衬底能够随着滑条沿石墨舟的纵向在底托内滑...
田震周立庆马建立胡尚正
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一种用于碲镉汞薄膜水平液相外延生长的石墨舟
本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜水平液相外延生长的石墨舟,包括:上盖、底托、滑条和母液槽;底托为包括一条底边和两条侧边的凹槽,滑条和母液槽放置在凹槽内,母液槽固定在凹槽的上端,且母液槽的上表面与两条侧边的上表面平齐,滑条位...
杨海燕胡尚正郭明珠周立庆
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碲镉汞液相外延超平材料的生长方法及碲镉汞液相外延超平材料
本发明公开了一种碲镉汞液相外延超平材料的生长方法及碲镉汞液相外延超平材料,本发明通过控制碲镉汞外延层生长阶段的母液失汞量,以及控制碲镉汞生长液生长阶段的降温速率,使得HgCdTe液相外延材料表面平整高,降低大规格芯片互连...
胡尚正周立庆杨海燕刘新兴吴卿田震
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碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定方法及装置
本发明公开了一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法及装置。本发明通过先假定分凝系数得到单位体积Au-HgCdTe母液中Au的含量,并进行Au-HgCdTe母液中Au、Hg、Cd、Te含量的计算,随后进行母液合...
胡尚正刘铭折伟林吴卿孙浩周立庆
文献传递
用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法
本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中,解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。通过采...
杨海燕胡尚正田震曹鹏飞王利军
多载流子体系的测试及拟合方法
本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法,包括:将样品置于低温、变磁场中,测量样品的横向电导率σ<Sub>xx</Sub>和纵向电导率σ<Sub>xy</Sub>;对测量的σxx和σxy进行拟合运算,计算样品中各类载...
胡尚正折伟林吴卿陈慧卿刘铭田震杨海燕刘兴新周立庆
共2页<12>
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