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肖尧

作品数：16 被引量：19H指数：4
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 12篇单粒子
  • 6篇单粒子效应
  • 6篇测试系统
  • 5篇电路
  • 4篇存储器
  • 3篇单粒子翻转
  • 3篇调制器
  • 3篇系统研制
  • 3篇脉宽
  • 3篇脉宽调制器
  • 2篇电离辐射
  • 2篇电流
  • 2篇电路模型
  • 2篇瞬态
  • 2篇瞬态效应
  • 2篇随机存储器
  • 2篇透射
  • 2篇透射系数
  • 2篇屏蔽效果
  • 2篇总剂量

机构

  • 14篇西北核技术研...
  • 4篇中国科学院新...
  • 2篇电子科技大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 16篇肖尧
  • 16篇郭红霞
  • 13篇罗尹虹
  • 13篇张凤祁
  • 12篇赵雯
  • 8篇丁李利
  • 7篇张科营
  • 7篇王燕萍
  • 6篇郭晓强
  • 6篇王园明
  • 5篇王伟
  • 4篇王忠明
  • 4篇陈伟
  • 3篇文林
  • 3篇郭旗
  • 3篇姚志斌
  • 3篇王艳萍
  • 2篇范雪
  • 2篇何宝平
  • 2篇何承发

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇北京核学会第...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法
本发明涉及一种用于大规模集成电路SRAM型FPGA中单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法，包括上位计算机和控制板，所述控制板包括故障注入模块、故障检测模块、故障分析模块。本发明提供了一种使用灵活、成本低廉、具有模拟精度高、...
王忠明姚志斌郭红霞赵雯丁李利王艳萍肖尧王园明张科营王伟
文献传递
锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟被引量：5
2013年
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。
张晋新郭红霞文林郭旗崔江维范雪肖尧席善斌王信邓伟
关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应激光微束电荷收集
一种存储器单粒子翻转效应的检测系统及方法
本发明涉及一种存储器单粒子翻转效应的检测系统及方法，在回读存储节点逻辑状态的过程中，采用两次或两次以上的回读验证方法，通过前后两次回读数据的比较，判断存储节点状态是否处于受干扰状态，如果是，则再次回读，直到存储状态稳定或...
郭晓强张凤祁陈伟郭红霞罗尹虹赵雯丁李利肖尧
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究被引量：2
2014年
本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.
肖尧郭红霞张凤祁赵雯王燕萍丁李利范雪罗尹虹张科营
关键词：单粒子效应静态随机存储器
一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法
本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电...
郭红霞陈伟郭旗何承发罗尹虹文林王玲张凤祁赵雯肖尧
文献传递
一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法
一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法通过建立被重离子入射的晶体管的器件模型、求解半导体器件数值计算模型方程以获取器件模型的I-V特性曲线、开展器件模型的I-V特性校准、对半导体器件数值计算模型添加重离子导致的单粒...
郭红霞赵雯罗尹虹张凤祁王燕萍王忠明王园明张科营肖尧王伟
文献传递
一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法
本发明涉及一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法，包括上位计算机、下位控制器、SEU测试电路、电流测试电路、闭锁保护电路及电源模块。本发明提供了一种可以单粒子翻转截面及闭锁截面同时获取，减少了实验周期，节约实验成本...
姚志斌张凤祁郭红霞何宝平罗尹虹赵雯丁李利王艳萍肖尧王园明张科营王伟
文献传递
一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法
本发明涉及一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法，包括上位计算机、下位控制器、SEU测试电路、电流测试电路、闭锁保护电路及电源模块。本发明提供了一种可以单粒子翻转截面及闭锁截面同时获取，减少了实验周期，节约实验成本...
姚志斌张凤祁郭红霞何宝平罗尹虹赵雯丁李利王艳萍肖尧王园明张科营王伟
文献传递
一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法
本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电...
郭红霞陈伟郭旗何承发罗尹虹文林王玲张凤祁赵雯肖尧
一种存储器单粒子翻转效应的检测系统及方法
本发明涉及一种存储器单粒子翻转效应的检测系统及方法，在回读存储节点逻辑状态的过程中，采用两次或两次以上的回读验证方法，通过前后两次回读数据的比较，判断存储节点状态是否处于受干扰状态，如果是，则再次回读，直到存储状态稳定或...
郭晓强张凤祁陈伟郭红霞罗尹虹赵雯丁李利肖尧
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