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生长半极性GaN厚膜的方法: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在...; 羊建坤魏同波霍自强张勇辉胡强段瑞飞王军喜; 文献传递

自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究: 2010年; 采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×l07cm-2。这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量。通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放。研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。; 胡强魏同波段瑞飞羊建坤霍自强卢铁城曾一平; 关键词：性能研究晶体质量显微镜观察表面应力摇摆曲线位错密度

一种化学气相沉积装置: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利...; 段瑞飞曾一平王军喜冉军学胡国新羊建坤梁勇路红喜李晋闽; 文献传递

一种双加热气相外延生长系统: 本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上...; 胡强魏同波羊建坤霍自强王军喜曾一平李晋闽; 文献传递

气相外延在线清洗装置及方法: 本发明公开了一种气相外延(VPE)在线清洗装置，包括：反应腔室，反应气体入口，清洗气体入口，排气口，衬底，衬底托，旋转装置，还包括在线清洗装置，用以去除残留在反应腔室内壁及各部件上造成污染的寄生氮化物。本发明针对VPE生...; 段瑞飞霍自强羊建坤魏同波; 文献传递

生长半极性GaN厚膜的方法: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在...; 羊建坤魏同波霍自强张勇辉胡强段瑞飞王军喜

制备GaN厚膜垂直结构LED的方法: 本发明提供了一种制备GaN厚膜垂直结构LED的方法。该方法包括：在衬底的抛光面制备掩模图形，该掩模图形将衬底的抛光面分割为若干个分离的区域，得到图形化的衬底；在图像化的衬底上沉积n型掺杂的GaN厚膜，该GaN厚膜的厚度应...; 羊建坤魏同波胡强霍自强段瑞飞王军喜; 文献传递

一种化学气相沉积装置: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利...; 段瑞飞曾一平王军喜冉军学胡国新羊建坤梁勇路红喜李晋闽

量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响被引量：3: 2022年; AlGaN基深紫外LED由于具有高调制带宽和小芯片尺寸,在紫外光通信领域受到越来越多的关注。本研究通过改变生长AlGaN量子垒层的Al源流量,生长了三种具有不同量子垒高度的深紫外LED,研究了量子垒高度对深紫外LED光电特性和调制特性的影响。研究发现,随着量子垒高度的增加,深紫外LED的光功率出现先增加后减小的趋势,量子垒中Al组分为55%的深紫外LED的光功率相比50%和60%的深紫外LED提升了近一倍。载流子寿命则出现先减小后增大的趋势,且发光峰峰值波长逐渐蓝移。APSYS模拟表明,随着量子垒高度增加,量子垒对载流子的束缚能力增强,电子空穴波函数空间重叠增加,载流子浓度和辐射复合速率增加;但进一步增加量子垒高度又会由于电子泄露,空穴浓度降低,从而辐射复合速率降低。量子垒中Al组分为55%的深紫外LED的-3 dB带宽达到94.4 MHz,高于量子垒Al组分为50%和60%的深紫外LED。; 郭亮郭亚楠羊建坤羊建坤王军喜闫建昌; 关键词：紫外光通信调制带宽

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羊建坤