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罗强

作品数：44 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 14篇纳米
  • 10篇衬底
  • 9篇金属
  • 8篇刻蚀
  • 7篇超导
  • 6篇退火
  • 6篇微带
  • 6篇微带谐振器
  • 6篇谐振器
  • 6篇离子刻蚀
  • 6篇金属硅化物
  • 6篇硅薄膜
  • 6篇硅化物
  • 6篇反应离子
  • 6篇反应离子刻蚀
  • 5篇电子束曝光
  • 5篇超导薄膜
  • 4篇单晶
  • 4篇电极
  • 4篇滤波器

机构

  • 39篇中国科学院

作者

  • 39篇罗强
  • 34篇顾长志
  • 18篇金爱子
  • 16篇杨海方
  • 13篇李俊杰
  • 6篇郭进
  • 6篇孙亮
  • 6篇于涛
  • 6篇黎红
  • 6篇李春光
  • 6篇王跃辉
  • 6篇何豫生
  • 6篇张强
  • 6篇李翡
  • 6篇张雪强
  • 6篇高路
  • 6篇边勇波
  • 5篇岳双林
  • 4篇汪卫华
  • 4篇崔阿娟

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇物理
  • 1篇纳米科技
  • 1篇2006第五...

年份

  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 10篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
“自上而下”制作硅化镍纳米线
2007年
提出了“自上而下”制作硅化镍纳米线的方法，研究了制备出的纳米结构的形成过程及微观形貌。这种金属硅化物纳米线的制作方法对于集成电路制造很有应用价值。
罗强岳双林顾长志
关键词：纳米线
一种平面超导微带谐振器
本发明涉及一种平面超导微带谐振器，该平面超导微带谐振器由一条上、下两层超导薄膜和位于两层超导薄膜之间的单晶介质组成的微带线构成，该平面超导微带谐振器包括插指电容、双螺旋曲线电感和与地形成的块状电容，所述插指电容与所述双螺...
于涛李春光张强孙亮李翡王跃辉高路郭进边勇波黎红张雪强罗强顾长志何豫生
文献传递
具有磁热效应的稀土基块体非晶合金及其复合材料
本发明涉及一种稀土基块体非晶合金及其复合材料，所述的稀土基块体非晶合金，其具有如下的化学式：RE<Sub>a</Sub>R<Sub>b</Sub>Al<Sub>c</Sub>T<Sub>d</Sub>M<Sub>e</S...
罗强赵德乾潘明祥汪卫华
文献传递
一种微带谐振器
本发明涉及一种微带谐振器，该微带谐振器为一条由上、下两层金属或者超导薄膜和位于两层金属或者超导薄膜之间的人造单晶介质组成的谐振器，所述谐振器为双梳形谐振器，该双梳形谐振器两端为插指结构，并且插指相互插入。本发明提供的微带...
于涛李春光张强孙亮李翡王跃辉高路郭进边勇波王佳崔彬黎红张雪强罗强顾长志何豫生
文献传递
金属硅化物纳米线及其制作方法
本发明涉及一种金属硅化物纳米线，具有的线宽最小为7纳米。该金属硅化物纳米线的制作方法，包括在单晶硅衬底上生长一层绝缘膜，利用纳米尺度的加工技术刻蚀出用于制作金属硅化物纳米线的沟槽，采用金属溅射和蒸镀方法，在制作有纳米沟槽...
顾长志岳双林罗强金爱子
文献传递
一种基于纳米加工技术的集成微四点探针芯片制作方法
本发明公开了一种基于纳米加工技术的集成微四点探针制作方法，该方法包括以下步骤：a.在双面氧化的硅片背面生长第一氮化硅层并制作第一光阻掩膜，然后按该掩膜图案刻蚀，暴露出硅；b.在硅片正面制作第二光阻掩膜，然后去除该硅片正面...
何杰辉吴克辉罗强顾长志郭建东
微带滤波器及其微带谐振器的耦合方法
本发明涉及微带滤波器及其微带谐振器的耦合方法，该谐振器包括由微带组成的一组插指电容、一组双螺旋曲线电感和一组与地形成的块状电容，所述微带包括上、下两层超导薄膜和位于两层超导薄膜之间的人造单晶介质，所述插指电容与所述双螺旋...
于涛李春光张强孙亮李翡王跃辉高路郭进边勇波黎红张雪强罗强顾长志何豫生
文献传递
一种钬基非晶合金及其制备方法
本发明涉及一种钬基大块非晶合金，是以钬为主要成分，其组成可以表示为：Ho<Sub>a</Sub>M<Sub>b</Sub>Al<Sub>c</Sub>Co<Sub>d</Sub>T<Sub>e</Sub> ，其中：30≤...
罗强赵德乾潘明祥汪卫华
文献传递
正性电子束抗蚀剂ZEP-520低能电子束曝光研究
本文对正性电子束抗蚀剂ZEP-520低能(0.5kev～2keV)电子束曝光特性进行了系统的研究.利用180nm厚的ZEP-520抗蚀剂,研究了低能范围电子穿透深度及曝光特性与电子束能量的关系.发现加速电压在5-20ke...
杨海方金爱子罗强顾长志
关键词：电子束曝光对比度光栅结构
文献传递
一种钬基非晶合金及其制备方法
本发明涉及一种钬基大块非晶合金，是以钬为主要成分，其组成可以表示为：Ho<Sub>a</Sub>M<Sub>b</Sub>Al<Sub>c</Sub>Co<Sub>d</Sub>T<Sub>e</Sub>，其中：30≤a...
罗强赵德乾潘明祥汪卫华
文献传递
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