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硅纳米膜柔性平面栅双沟道薄膜晶体管: 本实用新型属柔性器件技术领域，为提出可以在不同的弯曲程度之下工作晶体管技术方案，为此，本实用新型采用的技术方案是，硅纳米膜柔性平面栅双沟道薄膜晶体管，聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性衬底上方依次为氧化铟锡ITO中间导电层、...; 秦国轩裴智慧; 文献传递

一种基于LC谐振的无线无源柔性压力传感器的制作方法: 本发明属于柔性压力传感器技术领域，具体涉及一种基于LC谐振的无线无源柔性压力传感器的制作方法，包括如下步骤：S1、将平面螺旋电感与平面叉指电容组成的LC谐振回路，印刷于柔性基底上；S2、与检测线圈耦合产生谐振频率；S3、...; 杨林于仕辉娄文涛秦国轩; 文献传递

基于柔性PIN二极管的辐照强度检测器: 本发明涉及的检测器适用于对空间中辐射源辐射强度的检测，为实现对质子辐射，电离辐射和中子辐射辐射强度的快速高效检测。本发明，基于柔性PIN二极管的辐照强度检测器，可拆卸的辐照探测阵列，包括探测阵列控制单元、可拆卸的辐射强度...; 秦国轩赵政张一波王亚楠党孟娇; 文献传递

一种采用4bit MDAC的12bit流水线模数转换器被引量：2: 2014年; 采用GF 0.18μm标准CMOS工艺,设计并实现了一种12 bit 20 MS/s流水线模数转换器(ADC)。整体架构采用第一级4 bit与1.5 bit/级的相结合的方法。采用改进的增益数模单元(MDAC)结构和带驱动能力的栅自举开关来提高MDAC的线性度和精度。为了降低子ADC的功耗,采用开关电容式比较器。仿真结果表明,优化的带驱动的栅自举开关可减小采样保持电路(SHA)的负载压力,有效降低开关导通电阻,降低电路的非线性。测试结果表明:在20 MS/s的采样率下,输入信号为1.234 1 MHz时,该ADC的微分非线性(DNL)为+0.55LSB/-0.67LSB,积分非线性(INL)为+0.87LSB/-0.077LSB,信噪比(SNR)为73.21 dB,无杂散动态范围(SFDR)为69.72 dB,有效位数(ENOB)为11.01位。芯片面积为6.872 mm2,在3.3 V供电的情况下,功耗为115 mW。; 庞瑞龙赵毅强岳森秦国轩; 关键词：CMOS工艺

锗纳米膜柔性透明型顶底双栅薄膜晶体管及其制备方法: 本发明涉及高控制力薄膜晶体管技术、柔性器件，为提出薄膜晶体管及其制造技术方案，所述晶体管有较好的性能以及较高的工作频率和较强的栅极控制力，在柔性集成电路的制作、智能穿戴以及光电器件领域具有广泛的应用前景。为此，本发明采用...; 秦国轩裴智慧; 文献传递

一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器: 一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器，包括依次串联连接的：三八译码器、起连接作用的第一排插、可拆卸辐射强度探测阵列、起连接作用的第二排插、滤波器阵列和A/D转换电路阵列和FPGA芯片，FPGA芯片的信号输入端还连...; 秦国轩赵政张一波党孟娇王亚楠; 文献传递

无源射频器件机器制作方法: 本发明属于射频无源器件领域，为提出一种新型无源滤波器结构，具有制作工艺简单，制作工艺与半导体制作工艺兼容的特点，使得无源器件易于与有源器件进行集成。在大规模集成电路的制作、SOC芯片高集成化生产以及射频单片集成电路等领域...; 秦国轩杨晓东游子璇; 文献传递

一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器: 本发明公开了一种采用噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器，其结构是包括信号输入级和噪声抵消级，所述信号输入级由电感Li、电阻RF、NMOS管M1-a和PMOS管M1-b组成，其中的PMOS管M1-b和NMOS管M1-a...; 秦国轩闫月星杨来春; 文献传递

柔性电容高频特性的测量与研究: 2016年; 通过制作柔性基体上的电容,测量电容在高频（2~15 GHz）下的散射参数S、品质因子Q和电容值C,并用ADS软件为器件搭建等效电路模型,进行对实验数据的仿真拟合,得到了等效电路模型中各参数的合理值.通过对各参数的调整,得出仿真数据的变化以及和实验数据的偏离,从而得到各参数对器件性能的影响,进而为将来柔性电容甚至柔性器件的集成提供工艺上的指导.; 郭优秦国轩; 关键词：电容器等效电路仿真高频

一种基于柔性衬底的微波功率分配器及制备方法: 一种基于柔性衬底的微波功率分配器及制备方法，包括柔性PET衬底和设置在柔性PET衬底上端面上的高介电常数介质层，高介电常数介质层的上端面上设置有微波功率分配器金属层。在柔性PET衬底上采用磁控溅射的方法涂上一层高介电常数...; 秦国轩张一波赵政王亚楠党孟娇; 文献传递

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