甘新慧
- 作品数：9 被引量：6H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
- 徐骏万能徐岭陈坤基林涛陈谷然甘新慧郭四华孙红程刘宇
- 文献传递
- 电子束蒸发法制备SiOx薄膜及其光学性质的研究
- 镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅(nc-Si/SiO2)因机械强度高，发光稳定性好，制备工艺与集成电路制备工艺相兼容，所以具有广阔的应用前景。
制备nc-Si/SiO2方法很多，其中常见的一种是先制备SiOx薄膜，再...
- 甘新慧
- 关键词：SIOX薄膜退火处理光学性质
- 室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量：1
- 2008年
- 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
- 赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
- 关键词：半导体纳米晶体自组装刻蚀
- CdTe纳米晶及层状纳米晶薄膜的生长及其光荧光性质被引量：2
- 2009年
- 用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状纳米晶体之间的共振能量迁移过程.结果表明:层状自组织生长的样品中纳米晶粒的间隔几乎一样,表明它们是有序排列的;而用直接干燥形成的样品中,小尺寸和大尺寸的纳米晶体之间间隔较短,发生荧光共振能量迁移,较小尺寸的纳米晶粒荧光峰(即波长较短处的晶粒荧光峰)部分淬灭,较大尺寸的荧光峰(即波长较长处的晶粒荧光峰)加强,使得PL谱出现明显的红移现象.
- 戴明廖远宝刘东甘新慧徐岭马忠元徐骏陈坤基
- 关键词：量子限制效应
- 一种制备合金相变材料纳米点阵的方法
- 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀...
- 徐岭戴明甘新慧徐骏马忠元李卫李伟赵伟明孙萍陈坤基
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- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
- 徐骏万能徐岭陈坤基林涛陈谷然甘新慧郭四华孙红程刘宇
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- 一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法
- 本发明涉及一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，属于光电子材料技术领域。该方法包括清洗硅片衬底并去除其表面自然氧化层后干燥、在电子束蒸发沉积装置中通入O<Sub>2</Sub>蒸发薄膜、制备器件电极各步骤。本...
- 马忠元徐岭郭四华甘新慧戴敏廖远宝刘冬徐骏李伟陈坤基
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- 一种制备合金相变材料纳米点阵的方法
- 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀...
- 徐岭戴明甘新慧徐骏马忠元李卫李伟赵伟明孙萍陈坤基
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- 带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质被引量：3
- 2008年
- CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响。紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大。
- 甘新慧廖远宝刘东戴明徐岭吴良才马忠元徐骏
