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瑞哈娜

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 2篇多层膜
  • 2篇隧道结
  • 2篇铁电
  • 2篇自旋
  • 2篇自旋晶体管
  • 2篇金属性
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管器件
  • 2篇抗辐射
  • 2篇感器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇半金属
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇磁传感器
  • 2篇磁性
  • 2篇磁性材料
  • 2篇磁性层

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇瑞哈娜
  • 5篇韩秀峰
  • 3篇张谢群
  • 3篇姜丽仙
  • 2篇温振超
  • 2篇曾中明
  • 2篇刘东屏
  • 2篇赵静
  • 2篇詹文山
  • 1篇韩宇男

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种自旋晶体管
本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的，它包括发射极层、基极层和集电极层，还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层，形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层，...
刘东屏温振超瑞哈娜莎麦拉韩秀峰
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一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法
本发明涉及一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法，其为将模板法和微加工技术结合起来，先制备母板，然后通过电化学氧化法，在铝或铝合金表面形成具有各种孔径及孔深的氧化铝母板；然后利用微加工技术将所需位置的障壁层刻透，形成...
张谢群瑞哈娜姜丽仙莎麦拉韩宇男韩秀峰
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一种自旋晶体管
本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的，它包括发射极层、基极层和集电极层，还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层，形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层，...
刘东屏温振超瑞哈娜莎麦拉韩秀峰
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具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器
本发明公开了一种具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器，包括：一个下部层(L1)，该下部层(L1)由铁磁性材料或半铁磁性材料制成；一个形成于所述下部层(L1)之上的第一隧道绝缘层(I1)；一个形成于所述第一隧道绝缘层(I1...
曾中明韩秀峰张谢群瑞哈娜赵静姜丽仙詹文山
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具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器
本发明公开了一种具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器，包括：一个下部层(L1)，该下部层(L1)由铁磁性材料或半铁磁性材料制成；一个形成于所述下部层(L1)之上的第一隧道绝缘层(I1)；一个形成于所述第一隧道绝缘层(I1...
曾中明韩秀峰张谢群瑞哈娜赵静姜丽仙詹文山
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