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王裕斌

作品数:12 被引量:8H指数:2
供职机构:天津大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 7篇陶瓷
  • 4篇导体
  • 4篇压电
  • 4篇压电陶瓷
  • 3篇莫来石
  • 3篇超导
  • 3篇超导体
  • 2篇电路
  • 2篇电路基板
  • 2篇烧成
  • 2篇钛酸
  • 2篇莫来石陶瓷
  • 2篇基板
  • 2篇封装
  • 2篇干压成型
  • 2篇高密度封装
  • 1篇单晶
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇导体材料

机构

  • 12篇天津大学

作者

  • 12篇王裕斌
  • 4篇孙清池
  • 4篇徐庭献
  • 3篇曲远方
  • 3篇靳正国
  • 2篇尹志营
  • 2篇姜恩永
  • 2篇徐廷献
  • 1篇范亚红
  • 1篇陆翠敏
  • 1篇左孝杰
  • 1篇潘铁政
  • 1篇王志会

传媒

  • 2篇天津大学学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第三次全国功...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1986
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
莫来石基陶瓷材料及其制备方法
靳正国徐庭献王裕斌
一种莫来石基陶瓷材料,配料采用莫来石、Al_2O_3、BACO_3、PB_3O_4、SiO_2、MgO。采用配料、球磨、烘干、造粒、干压成型、排胶、经1500~1600℃、2~4h烧成。制成莫来石陶瓷的介电常数为6.7,...
关键词:
关键词:莫来石陶瓷材料
氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻—温度曲线之影响被引量:1
1994年
本文研究了氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻-温度曲线之影响.实验表明,除BN外TiN、Si_3N_4、AlN也可以给出较平坦的电阻极大值.在适当的工艺条件下没有氮化物添加同样可以得到类似结果.
孙清池王志会王裕斌
关键词:半导体陶瓷钛酸钡
压电陶瓷温度稳定性的相变理论
王裕斌
关键词:压电陶瓷相变理论助剂钛酸盐系压电陶瓷温度相关
电致伸缩材料的老化性能
孙清池王裕斌
关键词:电致伸缩
Bi-Sr-Ca-Cu-O系超导单晶的制备(英文)
1992年
叙述Bi-Sr-Ca-Cu-O系超导单晶的制备。发现该单晶是不稳定的,其高温超导相会向低温超导相弛豫。
曲远方徐廷献王裕斌尹志营姜恩永
关键词:选区电子衍射单晶
莫来石基陶瓷材料及其制备方法
一种莫来石基陶瓷材料,配料采用莫来石、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、BaCO<Sub>3</Sub>、Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、SiO<Sub>2</Sub>、Mg...
靳正国徐庭献王裕斌
文献传递
莫来石基陶瓷材料及其制备
一种莫来石基陶瓷材料,配料采用莫来石、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、BaCO<Sub>3</Sub>、Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、SiO<Sub>2</Sub>、Mg...
靳正国徐庭献王裕斌
文献传递
氧化物高温超导陶瓷
1989年
本文介绍了高温超导陶瓷的发现、制备技术和有关提高材料T_c和J_c方面的研究成果,分析了影响J_c的因素及提高J_c的条件,展望了高温超导陶瓷的应用前景及对科学技术的重大影响。
曲远方徐廷献王裕斌
关键词:超导陶瓷陶瓷超导体材料
熔盐法合成Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3粉体(英文)被引量:3
2005年
采用熔盐法在K2CO3和Na2CO3的熔盐(K2CO3/Na2CO3=45/55)中800℃并保温2h的条件下制备出了单相、纯钙态矿型结构的Na0.5K0.5NbO3粉体,运用XRD以及SEM技术对所得粉体进行了相组成及显微结构分析.结果表明:随着盐含量的增加,晶体结构从正交相转变为四方相,晶粒大小先增加而后稍微减小,并且获得较好的介电压电性:εT33/ε0(1kHz)=45~264,tgδ=1.5%~2.6%,Tc=402℃,TT-o=202℃,d33=88~98pC/N,Qm=465~574,Kp=29.09%~30.47%,在10kHz频率下,介电损耗有一点改变.NKN将有可能成为用于高频下的无铅压电陶瓷之一.
范亚红孙清池王裕斌潘铁政陆翠敏
关键词:无铅压电陶瓷熔盐法XRD
压电位移材料电场E_3和应变S_1的关系被引量:3
2001年
研究了软性铌锑—锆钛酸铅Pb(Sb1/ 2 Nb1/ 2 )ZrTiO3 (简称SN)系及硬性锑锰—锆钛酸铅Pb(Mn1/ 3 Sb2 / 3 )ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3 和应变S1的关系。压电方程为S1=d3 1E3 ,在弱电场下为线性关系。随着电场增加 ,压电应变系数d3 1变大 ,从而不再是常数。当电场E3 增大到某一值时d3 1有极大值 ,我们称此电场为饱和电场Es。软性SN三元系压电陶瓷的退极化电场Ed 为 12 .7kV/cm ,小于它的矫顽场Ec(13.6kV/cm)以及d3 1极大值 (-45 7pC/N)时的饱和电场Es(14kV/cm)。而硬性MS三元系压电陶瓷的退极化电场Ed 和d3 1极大值 (- 2 0 2pC/N)时的饱和电场Es相等 ,均为 2 4kV/cm ,大于它的矫顽电场Ec(18.6kV/cm)。软性SN三元系压电陶瓷在较低的电场下就可产生很大的应变。
孙清池左孝杰徐庭献王裕斌
关键词:电滞回线压电陶瓷
共2页<12>
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