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王慧芳

作品数:10 被引量:17H指数:2
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院硅酸盐材料工程教育部重点实验室更多>>
发文基金:武汉市科技攻关计划项目长江学者和创新团队发展计划更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇理学
  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇光学
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇非晶硅
  • 4篇非晶硅薄膜
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇金属诱导
  • 3篇金属诱导晶化
  • 2篇带隙
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇等离子体增强...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇光学带隙
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 1篇电沉积
  • 1篇电沉积制备
  • 1篇溶胶

机构

  • 10篇武汉理工大学

作者

  • 10篇王慧芳
  • 6篇夏冬林
  • 5篇石正忠
  • 5篇张兴良
  • 3篇刘俊
  • 2篇李蔚
  • 2篇萧汉梁
  • 1篇宋明霞
  • 1篇沈峰
  • 1篇郝江波
  • 1篇潘震
  • 1篇赵修建
  • 1篇赵青南
  • 1篇杨晟
  • 1篇韩建军
  • 1篇倪佳苗
  • 1篇周学东

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇影像科学与光...
  • 1篇建材世界
  • 1篇中国造船工程...
  • 1篇中国机械工程...

年份

  • 7篇2010
  • 1篇1999
  • 1篇1995
  • 1篇1994
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磨粒识别专家系统的研究与开发
王慧芳
场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜
2010年
以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火,成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌进行了表征。实验结果表明,外加电场可以明显地降低退火温度,缩短退火时间,退火温度为500℃时,薄膜开始晶化。且随着外加电场强度的加大,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。
夏冬林王慧芳石正忠张兴良
关键词:非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属诱导晶化等离子体增强化学气相沉积
PECVD法沉积掺杂非晶硅薄膜及其场致诱导晶化研究
效率低、成本高是太阳能电池发展的瓶颈,薄膜太阳电池在降低成本方面比晶体太阳电池具有更大的优势:一是薄膜化可极大地节省昂贵的半导体材料;二是薄膜电池的材料制备和电池同时形成,因此节省了许多工序。非晶硅薄膜太阳能电池便于实现...
王慧芳
关键词:氢化非晶硅薄膜光学带隙多晶硅薄膜金属诱导晶化
文献传递
掺硼p型非晶硅薄膜的制备及光学性能的表征被引量:2
2010年
以高氢稀释的硅烷(Si H4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000 W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV.
夏冬林王慧芳石正忠张兴良刘俊
关键词:非晶硅薄膜消光系数光学带隙
CuInS_2薄膜的溶胶-凝胶法制备与性能研究被引量:1
2010年
采用溶胶-凝胶法,以CuCl2.2H2O和InCl3.4H2O为阳离子反应物,硫脲为硫源,去离子水为溶剂在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜,在Ar气氛条件下400℃退火1 h。利用XRD衍射仪、扫描电子显微镜、NKD-7000 W光学薄膜分析系统等现代测试手段,研究了不同反应物Cu/In/S摩尔比对薄膜的晶相结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,沿(112)面择优取向生长。反应物Cu/In/S摩尔配比为1.5∶1∶6所生长的CuInS2薄膜晶粒尺寸分布均匀,表面平整致密。CuInS2薄膜的光学带隙宽度在1.97~2.05 eV范围内变化。
夏冬林张兴良宋明霞石正忠王慧芳刘俊
关键词:溶胶-凝胶法晶体结构表面形貌光学性能
硅薄膜太阳能电池的关键制备技术
赵修建夏冬林赵青南韩建军周学东杨晟郝江波沈峰李蔚王慧芳倪佳苗潘震
该课题属武汉市科技攻关项目。该项目是针对中国面临的能源危机和环境保护的热门研究领域,深入研究在普通平板玻璃上制备a-Si、poly-Si薄膜太阳能电池。该项目的研究对发展新的环境协调型材料和生态建筑材料、保护环境和实现可...
关键词:
关键词:建筑材料
电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜被引量:5
2010年
以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜。本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征。实验结果表明,在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下,非晶硅薄膜在500℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜,并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。
夏冬林王慧芳石正忠张兴良李蔚
关键词:非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属诱导晶化等离子体增强化学气相沉积
磨损微粒的计算机辅助识别
萧汉梁王慧芳
关键词:磨损模式识别
船舶检验制度的改革
萧汉梁王慧芳
关键词:维修管理干部素质
热处理对电沉积制备ZnS薄膜物相组成及光学性能的影响被引量:8
2010年
采用电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对薄膜的微结构和光学性能进行了表征,研究了热处理条件对薄膜的相组成和光学性能的影响。结果表明:电沉积制备的ZnS薄膜呈非晶态,并且含有单质Zn。硫化热处理可以改善薄膜的结晶状况,减少杂质Zn的含量。硫气氛中450℃热处理4 h之后,薄膜中单质Zn全部反应生产ZnS,得到了纯的ZnS薄膜。没有经过热处理的薄膜,其可见光透射率在70%左右,热处理后薄膜样品的透射率降低,在硫气氛中热处理4 h的样品,其可见光透射率最低,为50%左右,热处理条件对薄膜样品的禁带宽度值基本没有影响。
夏冬林石正忠张兴良王慧芳刘俊
关键词:ZNS薄膜电沉积光学性能
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