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王开鹰

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：文化科学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇红外
  • 10篇非制冷
  • 9篇非制冷红外
  • 6篇焦平面
  • 6篇红外焦平面
  • 5篇非制冷红外焦...
  • 4篇量子阱材料
  • 4篇硅锗
  • 2篇低温真空泵
  • 2篇电容
  • 2篇多量子阱
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇真空泵
  • 2篇射电
  • 2篇射电源
  • 2篇热敏材料
  • 2篇自掺杂
  • 2篇氩气
  • 2篇微测辐射热计
  • 2篇相关双采样

机构

  • 10篇南京理工大学

作者

  • 10篇何勇
  • 10篇王开鹰
  • 10篇董涛
  • 10篇苏岩
  • 8篇杨朝初
  • 4篇方中
  • 2篇施芹
  • 2篇刘国华
  • 2篇张明明
  • 2篇姜波
  • 2篇周同
  • 1篇张磊

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
应用于非制冷红外焦平面的硅锗薄膜平行转移方法
本发明公开了一种应用于非制冷红外焦平面的硅锗薄膜平行转移方法，包括清洗晶圆，对晶圆进行涂胶和前烘，用夹具固定晶圆形成晶圆对，对晶圆对进行热压键合，去除SI支撑层和BOX层等步骤，本发明无需考虑敏感材料沉积条件与CMOS晶...
王开鹰董涛方中何勇杨朝初苏岩
文献传递
一种单电容相关双采样非制冷红外读出电路
本发明公开了一种单电容相关双采样非制冷红外读出电路，包括M×N像素探测单元阵列、CTIA型积分电路、单电容相关双采样电路、行列逻辑控制信号产生模块和输出缓冲电路：M×N像素探测单元阵列对采集到的信号进行光电转换，并输入至...
苏岩董涛何勇周同杨朝初王开鹰
文献传递
应用硅锗薄膜的非制冷红外焦平面阵列像元制造方法
本发明公开了一种应用硅锗薄膜的非制冷红外焦平面阵列像元制造方法，包括将硅锗薄膜由SOI晶圆转移至CMOS晶圆，对薄膜刻蚀形成沟道，用lift-off法形成金属顶电极，对薄膜刻蚀形成敏感区块，PECVD法沉积氮化硅支撑薄膜...
何勇苏岩方中董涛王开鹰杨朝初
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应用于非制冷红外焦平面的硅锗薄膜平行转移方法
本发明公开了一种应用于非制冷红外焦平面的硅锗薄膜平行转移方法，包括清洗晶圆，对晶圆进行涂胶和前烘，用夹具固定晶圆形成晶圆对，对晶圆对进行热压键合，去除SI支撑层和BOX层等步骤，本发明无需考虑敏感材料沉积条件与CMOS晶...
王开鹰董涛方中何勇杨朝初苏岩
非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法，首先将圆晶片台与溅射靶材一、溅射靶材二的靶面偏心对准，打开真空室，把晶片放置于圆晶片台上；然后关闭真空室，按次序启动机械真空泵和低温真空泵，抽真空至10<S...
王开鹰董涛刘国华何勇张明明苏岩施芹
非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱热敏材料
本发明公开了一种非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱结构并具有较高温度电阻系数的热敏材料。材料包括底部接触层、底部隔离层、硅锗/硅多量子阱结构、顶部隔离层和顶部接触层。当隔离层厚度为35~100？nm，硼粒子由接触...
董涛王开鹰姜波何勇杨朝初苏岩
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非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱热敏材料
本发明公开了一种非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱结构并具有较高温度电阻系数的热敏材料。材料包括底部接触层、底部隔离层、硅锗/硅多量子阱结构、顶部隔离层和顶部接触层。当隔离层厚度为35~100nm，硼粒子由接触层...
董涛王开鹰姜波何勇杨朝初苏岩
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非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法，首先将圆晶片台与溅射靶材一、溅射靶材二的靶面偏心对准，打开真空室，把晶片放置于圆晶片台上；然后关闭真空室，按次序启动机械真空泵和低温真空泵，抽真空至10<S...
王开鹰董涛刘国华张磊何勇张明明苏岩施芹
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一种单电容相关双采样非制冷红外读出电路
本发明公开了一种单电容相关双采样非制冷红外读出电路，包括M×N像素探测单元阵列、CTIA型积分电路、单电容相关双采样电路、行列逻辑控制信号产生模块和输出缓冲电路：M×N像素探测单元阵列对采集到的信号进行光电转换，并输入至...
苏岩董涛何勇周同杨朝初王开鹰
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应用硅锗薄膜的非制冷红外焦平面阵列像元制造方法
本发明公开了一种应用硅锗薄膜的非制冷红外焦平面阵列像元制造方法，包括将硅锗薄膜由SOI晶圆转移至CMOS晶圆，对薄膜刻蚀形成沟道，用lift-off法形成金属顶电极，对薄膜刻蚀形成敏感区块，PECVD法沉积氮化硅支撑薄膜...
何勇苏岩方中董涛王开鹰杨朝初
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