王广海
- 作品数：8 被引量：26H指数：2
- 供职机构：北京理工大学更多>>
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- 相关领域：兵器科学与技术一般工业技术理学交通运输工程更多>>
- 光谱辐射测量金属薄膜桥电爆炸温度被引量：1
- 2009年
- 采用光谱辐射法测量了Ni-Cr金属薄膜桥的电爆炸温度。通过六通道瞬态光学高温计测量金属薄膜桥电爆炸时在514nm、631nm、692nm、715nm、910nm、1068nm波长处的辐照强度,根据黑体辐射理论计算温度值。研究表明,金属薄膜桥在50V、100μF条件下电爆炸时的最高温度在5000K左右,4000K以上持续时间为300ns。
- 王广海李国新焦清介刘桂林
- 关键词：军事化学与烟火技术光谱
- Mg-PbO_2-Ti-PbO_2-PTFE复合薄膜烟火材料的制备及性能被引量：2
- 2011年
- 采用磁控溅射和真空蒸镀结合的方法,制备了Mg-PbO2-Ti-PbO2-PTFE复合薄膜烟火材料,利用X射线光电子能谱(XPS)分析了真空蒸镀的薄膜成分,并测定了薄膜材料与基底间的附着力。采用光纤法测量薄膜材料的燃烧线速度,分析了其燃烧过程。结果表明,利用真空蒸镀法可得到PbO2薄膜,复合薄膜烟火材料与基底有较好的附着力,复合薄膜烟火材料的燃烧线速度无约束条件下为(331.82±9.23)mm·s-1,有约束条件时为(435.98±18.60)mm·s-1,误差小于5%,燃烧时间与长度呈良好的线性关系。
- 王广海李国新焦清介
- 关键词：磁控溅射真空蒸镀
- 磁控溅射法制备PVD薄膜晶格结构分析
- 2008年
- 对物理气相沉积(PVD)薄膜材料和固体金属材料进行了XRD扫描分析。结果表明,PVD薄膜晶体与固体金属晶体未出现明显变化,但衍射峰呈现宽化。由于磁控溅射技术制备出的PVD薄膜晶粒是堆层沉积,致使PVD薄膜出现晶格不完整性,即存在各种晶格缺陷和晶格畸变。PVD薄膜晶格缺陷是导致薄膜材料电性能变化的主要原因。
- 阿苏娜李国新王广海
- 关键词：磁控溅射晶体结构
- 薄膜发火传火器件制备方法及性能研究
- 王广海
- 关键词：火工品物理气相沉积
- Mg/PTFE薄膜制备与性能表征被引量：4
- 2010年
- 以镁(Mg)为可燃物质,聚四氟乙烯(PTFE)为氧化剂,利用磁控溅射和真空蒸镀两种方法,制备薄膜烟火器件,研究两种制膜工艺在性能上的差异,并对其附着力、薄膜粒度和燃速进行了测量。结果表明,磁控溅射制得的薄膜附着力为35.88mN,粒度为0.1～0.5μm,燃速为(623.9±12.5)mm.s-1,其主要性能优于真空蒸镀法制得的薄膜。
- 刘桂林李国新王广海劳允亮
- 关键词：火工品真空蒸镀磁控溅射
- 薄膜桥火工品的制备与性能研究被引量：16
- 2008年
- 为了提高火工品的安全性及点火可靠性，采用掩模法，利用磁控溅射技术制备了一种蝶形金属薄膜桥，在薄膜桥表面涂15～20 mg斯蒂芬酸铅（LTNR），进行了安全电流试验、抗静电试验及与桥丝的对比试验，研究了其安全性能和点火性能，并利用红外热成像技术验证其发火时桥区的热分布。结果表明，这种金属薄膜桥有良好的抗静电性能、点火性能和机械性能；薄膜桥通电时其中心最窄处热量较集中。
- 王广海李国新阿苏娜
- 关键词：军事化学与烟火技术磁控溅射火工品抗静电
- 陶瓷基体表面粗糙度对Ni-Cr薄膜换能元性能的影响被引量：2
- 2011年
- 研究了Al2O3(95%)陶瓷基底的粗糙度对Ni-Cr(80/20)合金薄膜及薄膜换能元性能的影响。利用磁控溅射法在不同粗糙度的基底上制备了Ni-Cr合金薄膜。通过扫描电镜、划痕法、4探针法对薄膜的微观结构、附着性能、电性能进行了研究。根据D-最优化法测定了基底粗糙度不同的薄膜换能元爆发电压、爆发电流。结果表明:随着基底粗糙度的增大,薄膜颗粒度增大,结构缺陷增多,电阻率增大,Ni-Cr薄膜附着力变大;基底粗糙度不同的样品随着刺激量的增大,爆发时间的差别逐渐缩小,当充电电压达到37 V时其爆发时间均接近20μs.
- 王广海李国新焦清介
- 关键词：物理化学磁控溅射表面粗糙度电性能形貌
