王卫东
- 作品数：79 被引量：75H指数：4
- 供职机构：桂林电子科技大学信息与通信学院更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区科学研究与技术开发计划广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学交通运输工程更多>>
- 一种低压工作的开关电流Σ-Δ调制器被引量：1
- 2012年
- 基于全差分开关电流存储单元,设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器。采用标准0.18μm数字CMOS工艺,在spectre仿真器下进行优化仿真。实验表明,调制器在1.8 V工作电压、5 MHz采样频率、125倍过采样率下,输出波形与Matlab下的行为仿真波形接近,具备调制功能并达到12 bit分辨率。与类似研究相比,本设计在相当的分辨率条件下,实现了低电压工作。
- 牛洪军王卫东
- 关键词：模拟电路开关电流∑-△调制器
- 一种可调非重叠时钟发生器
- 本实用新型公开一种可调非重叠时钟发生器，主要由振荡电路和至少2路占空比可调电路组成；其中2路或2路以上的占空比可调电路相互并联，且每1路占空比可调电路的输入端均与振荡电路的输出端相连；每1路占空比可调电路上各带有一占空比...
- 王卫东张学敏
- 文献传递
- 薄型双漂移区高压器件新结构的耐压分析
- 2012年
- 提出与CMOS工艺兼容的薄型双漂移区(TD)高压器件新结构.通过表面注入掺杂浓度较高的N-薄层,形成不同电阻率的双漂移区结构,改变漂移区电流线分布,降低导通电阻;沟道区下方采用P离子注入埋层来减小沟道区等位线曲率,在表面引入新的电场峰,改善横向表面电场分布,提高器件击穿电压.结果表明:TD LDMOS较常规结构击穿电压提高16%,导通电阻下降31%.
- 李琦王卫东赵秋明晋良念
- 关键词：调制击穿电压导通电阻
- 基于OTA反馈型的低压与高精度电流镜设计被引量：1
- 2007年
- 在电流模式电子电路设计中,电流镜是基本的电路应用部件,既可以作为偏置单位,也可以作为信号处理单位。利用OTA反馈电路实现低压、高速高精度电流镜,并用TSMC0.35μ、3.3V工艺利用pspice完成电路的仿真,结果与基本电流镜及共源共栅电流镜相比,精度较高,电压摆幅大,更适合在低压下工作。
- 张祥祯王卫东刘睿强
- 关键词：低压电流镜
- 基于开关电流的Morlet小波变换研究
- 2011年
- 开关电流技术是一种新型的电流模式的模拟取样数据信号处理技术,对于实现小波变换具有很大的优势。Morlet小波在时域和频域都具有较好的局部性,能够提取信号中的幅值和相位信息。用开关电流技术实现Morlet小波变换的关键是高斯函数发生器。用Padé逼近获得高斯函数的有理分式逼近后,可以用开关电流一阶节和二阶节来实现高斯函数发生器。将高斯函数发生器与开关电流振荡器和乘法器级联后,通过调节时钟频率和输出电流镜晶体管的宽长比,即可实现不同尺度下的Morlet小波。将系统级电路在Cadence Spectre下仿真,使用SMIC0.18μm工艺,电源电压为1.8V,仿真结果显示了Morlet小波发生器的良好性能,表明了该方法的可行性。
- 张勇王卫东
- 关键词：开关电流振荡器乘法器MORLET小波
- 基于电流补偿电流镜的改进型电流控制电流传输器被引量：1
- 2015年
- 提出了一种基于新型电流补偿电流镜的改进型CMOS电流控制电流传输器,电路由电流补偿电流镜和跨导线性环构成。相对于以往提出的电流控制电流传输器,该电路具有更高的电流跟随精度以及Z端输出阻抗。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺参数,在±1.2 V的供电电源条件下,用Spectre对电路进行仿真。结果表明:在50μA的偏置电流下,电流的跟随精度为1.004,-3 d B带宽为200 MHz,Z端阻抗为2 MΩ。经验证,该电路可用于设计可调谐连续时间电流模式滤波器。
- 胡许光王卫东陈培腾刘晨光
- 关键词：电流控制电流传输器电流模式滤波器
- 电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：1
- 2017年
- 因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃^-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。
- 张普杰王卫东李耀臻
- 关键词：带隙电压基准源高阶曲率补偿温度系数
- 一种采用电压检测器的无片外电容FVF-LDO
- 2019年
- 提出了一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用电压检测器来检测输出电压,大幅改善了瞬态响应,克服了常规LDO面积大、需要使用片内大电容的缺点,仅消耗了额外的静态电流。该LDO采用90nm CMOS工艺进行设计与仿真,面积为0.009 6mm^2,输入电压为1.2V,压差为200mV。结果表明,在50pF负载电容、3~100mA负载电流、300ns跃迁时间的条件下,产生的上冲电压为65mV,瞬态恢复时间为1μs,产生下冲电压为89mV,瞬态恢复时间为1.4μs,且将负载调整率性能改善到0.02mV/mA。
- 王瑄王卫东
- 关键词：低压差线性稳压器瞬态响应无片外电容
- 基于DDS技术的2PSK设计
- 2PSK(二制相移键控)作为一种基本的调制方式,在信息的传输中使用的较为广泛.本文介绍了基带信号的2PSK调制的一种设计方法.考虑到系统的灵活性,采TDDS(直接数字频率合成)技术产生载波信号,其频率和相位可调.采用了A...
- 于晓刚王卫东孙宪福
- 关键词：直接数字频率合成DDS技术SIMULINK
- 文献传递
- 表面注入D-RESURF器件耐压模型被引量：1
- 2011年
- 建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大,器件导通电阻降低。分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,导出吻合较好的二维RESURF判据。在理论的指导下,成功研制出900 V的D-RESURF高压器件。
- 李琦王卫东张杨张法碧
- 关键词：击穿电压导通电阻
