王丽娜
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：河北师范大学物理科学与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性
- 2005年
- 研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.
- 王丽娜吴佺聂向富郭革新
- 关键词：垂直布洛赫线直流偏场面内场
- 面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响被引量：1
- 2006年
- 实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.
- 王丽娜郭革新聂向富
- 关键词：垂直布洛赫线直流偏场面内场
- 面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响
- 2007年
- 实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄.
- 李秀玲王丽娜郭革新李静
- 关键词：垂直布洛赫线直流偏场面内场
- 直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变被引量：1
- 2006年
- 实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.
- 吴佺郭革新聂向富王丽娜翟晓霞刘琳李静
- 关键词：直流偏场面内场
