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潘江涌

作品数：12 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家科技重大专项江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 7篇量子
  • 6篇量子点
  • 5篇空穴
  • 4篇显示器
  • 3篇电荷
  • 3篇电子传输
  • 3篇电子传输层
  • 3篇空穴传输
  • 3篇空穴传输层
  • 3篇空穴注入
  • 3篇空穴注入层
  • 2篇倒置式
  • 2篇平坦化
  • 2篇猝灭
  • 2篇微型显示器
  • 2篇像素
  • 2篇像素分辨率
  • 2篇流媒体
  • 2篇铝膜
  • 2篇面电荷

机构

  • 12篇东南大学
  • 1篇南京信息工程...

作者

  • 12篇潘江涌
  • 9篇陈静
  • 7篇雷威
  • 3篇张晓兵
  • 2篇黄倩倩
  • 1篇丁沭沂
  • 1篇周再发
  • 1篇屠彦
  • 1篇何超
  • 1篇吴鹏
  • 1篇周凯锋

传媒

  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种硅基量子点显示器及其制作方法
本发明公开了一种硅基量子点显示器在硅衬底上采用半导体工艺制作对应行列像素单元的电压或电流驱动电路，在每个像素上制作对应于像素的阴极膜层，并进行化学机械平坦化抛光。在抛光的阴极膜层上，制作TiO2、TiN等材料的电子传输层...
张晓兵陈静雷威黄倩倩潘江涌
一种双面发射式白光量子点发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种双面发射式白光量子点发光二极管及其制备方法。针对白光量子点器件效率较低的问题，本发明采用红、绿、蓝叠层式结构量子点，并在单色量子点之间加入一层纳米阻挡层材料，防止不同色彩量子点之间的互相渗透，平衡量子点发...
陈静汪丽茜潘江涌雷威丁沭沂
文献传递
一种高效蓝光量子点发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种高效蓝光量子点发光二极管及其制备方法，该二极管包括基底上形成的阴极，电子传输层，表面修饰层，量子点发光层，空穴传输层，空穴注入层和阳极，所述阴极置于底层，由下至上依次是电子传输层，表面修饰层，量子点发光层...
潘江涌陈静周凯锋何超屠彦雷威张晓兵
文献传递
纳米氧化锌的制备及其在量子点发光二极管器件中的应用
量子点发光器件性能提高的研究主要包括材料的制备和制备工艺的不断优化两方面。本文采用溶胶-凝胶法制备了纳米氧化锌,并将纳米氧化锌作为电子传输层应用于量子点发光二极管中。本文研究了电子传输层的溶剂种类和旋涂转速对器件发光性能...
潘江涌陈静雷威
关键词：纳米氧化锌工艺参数
文献传递
量子点发光二极管效率提升关键因素的研究和器件制备
量子点发光二极管(QLED)凭借其高饱和度以及高白光显色指数在平板显示及固态照明领域掀起一股新的研究热潮。其中量子点(QDs)发光层可以通过改变其尺寸大小以调节发光波长，从而实现可见光全波段的发射。同时由于器件中各功能层...
潘江涌
关键词：电荷平衡
文献传递
一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法
本发明公开了一种经表面处理的NiO薄膜的全无机QLEDs器件及其制备方法，所述全无机QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、经表面处理的NiO空穴传输层、CdZnSeS/ZnS量子点层、ZnMgO电子传输层和Al...
陈静钱建平汪丽茜潘江涌刘城君雷威
文献传递
一种用于流媒体后视镜的量子点显示器及其制备方法
本发明公开了一种用于流媒体后视镜的量子点显示器及其制备方法。本发明采用倒置式量子点显示器，取代原流媒体后视镜系统中的液晶显示器和反射镜片，采用量子点显示器进行显示和反光。并且针对倒置式量子点器件效率较低的问题，本发明采用...
陈静潘江涌汪丽茜
量子点发光二极管中载流子输运的研究和调控
针对影响QLEDs 器件性能的关键因素，通过材料改进以及器件结构优化，从而提高器件性能，具体研究内容包括如下：1、研究和调控ZnO 电子传输层的性质，从而控制电子传输效率和抑制激子淬灭以提高器件性能。
潘江涌
一种硅基量子点显示器及其制作方法
本发明公开了一种硅基量子点显示器在硅衬底上采用半导体工艺制作对应行列像素单元的电压或电流驱动电路，在每个像素上制作对应于像素的阴极膜层，并进行化学机械平坦化抛光。在抛光的阴极膜层上，制作TiO2、TiN等材料的电子传输层...
张晓兵陈静雷威黄倩倩潘江涌
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低能电子束光刻过程的Monte Carlo模拟分析研究被引量：2
2012年
对低能电子在光刻胶和衬底中的复杂散射过程进行分析和物理建模,采用Monte Carlo方法进行模拟研究。利用Browning拟合公式来解决Mott弹性散射截面计算速度慢的问题,采用D.C.Joy和S.Luo修正的Bethe能量损耗公式计算低能电子在固体中的能量损耗。通过跟踪电子的散射轨迹、计算电子的能量沉积密度、结合显影阈值模型,模拟出了电子束光刻的三维显影轮廓图。据此研究了入射电子束能量、剂量、光刻胶厚度、衬底材料、衬底和光刻胶形貌等不同条件下电子束曝光邻近效应的影响。此外,还将具有高斯分布特征的低能电子束入射产生的沉积能量密度进行移动处理,模拟一个以"T"字型为代表的较为复杂图形的电子束曝光过程,通过三维显影轮廓模拟图比较直观地显示了邻近效应的影响,并演示了采用电子束曝光剂量补偿的方法实现邻近效应校正的效果。
吴鹏潘江涌周再发
关键词：电子束光刻MONTECARLO模拟邻近效应校正
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