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沈文娟

作品数:8 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇衬底
  • 6篇氧化锌薄膜
  • 4篇氧化铝薄膜
  • 4篇金属有机物
  • 4篇金属有机物化...
  • 4篇缓冲层
  • 4篇硅衬底
  • 2篇氧化锌
  • 2篇面粗糙度
  • 2篇溅射
  • 2篇高结晶
  • 2篇表面粗糙度
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇粗糙度
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇沈文娟
  • 8篇曾一平
  • 8篇王俊
  • 6篇王启元
  • 2篇段垚

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
Effects of Thickness on Properties of ZnO Films Grown on Si by MOCVD
2005年
High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃. The effects of the thickness of the ZnO films on crystal structure, surface morphology,and optical properties are investigated using X-ray diffraction, scanning probe microscopy,and photoluminescence spectra, respectively. It is shown that the ZnO films grown on Si substrates have a highly-preferential C-axis orientation,but it is difficult to obtain the better structural and optical properties of the ZnO films with the increasing of thickness. It is maybe due to that the grain size and the growth model are changed in the growth process.
沈文娟王俊段垚王启元曾一平
利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
本发明一种利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,其特征包括如下步骤:步骤1:选取一衬底;步骤2:在衬底(001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法高温生长氧化铝薄膜;步骤3:在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。
沈文娟曾一平王启元王俊
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在衬底硅(001)晶面上,采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜;(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方法生长...
沈文娟曾一平王启元王俊
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在大失配衬底硅(001)晶面上,采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜;(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方...
沈文娟曾一平王启元王俊
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MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜(英文)被引量:2
2006年
采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长。由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV。
沈文娟王俊王启元段垚曾一平
关键词:金属有机化学气相沉积光致发光ZNO
利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法
本发明一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)取一衬底;(2)在该衬底上的硅(001)晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层;(3)在氧化锌缓冲层上,采用MOCVD方法低温生长...
沈文娟曾一平王俊
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
本发明一种利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,其特征包括如下步骤:步骤1:选取一衬底;步骤2:在衬底(001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法高温生长氧化铝薄膜;步骤3:在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。
沈文娟曾一平王启元王俊
文献传递
利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法
本发明一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)取一衬底;(2)在该衬底上的硅(001)晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层;(3)在氧化锌缓冲层上,采用MOCVD方法低温生长...
沈文娟曾一平王俊
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共1页<1>
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