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Ga掺杂对ZnO纳米结构可见光发射的抑制效应被引量：2: 2012年; 采用碳热还原反应和原位掺杂的方法制备了不同Ga掺杂浓度的ZnO纳米结构.X射线衍射显示掺杂纳米结构中为单一的氧化锌纤锌矿结构.扫描电子显微镜观测发现随掺杂浓度的增大,纳米结构的形貌逐渐从纳米六棱柱变为纳米锥.光致发光和X射线光电子能谱测量分别发现随着掺杂浓度升高,纳米结构的可见发光强度和其中空位氧峰相对强度逐渐减小直至消失,两者存在很强的相关性.上述结果为ZnO可见光发射的氧空位机理提供了新的实验证据.对Ga掺杂抑制纳米结构中氧空位的原因进行了分析.; 沈庆鹤高志伟丁怀义张光辉潘楠王晓平; 关键词：ZNO纳米结构光致发光氧空位

Ga掺杂ZnO纳米结构制备及发光特性研究: 近年来，作为一种重要的半导体材料，ZnO纳米结构尤其是一维纳米结构材料引起了人们极大的研究兴趣。ZnO独特的物化性质，使ZnO纳米结构材料不但适合做基础研究，而且具有许多潜在的应用价值，比如制作各种光电器件。ZnO纳米结...; 沈庆鹤; 关键词：ZNO纳米结构表面形貌光致发光; 文献传递

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沈庆鹤