汪再兴
- 作品数：22 被引量：25H指数：3
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- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究被引量：1
- 2020年
- 反向恢复特性是衡量混合肖特基/PiN(MPS)二极管开关性能最重要的参数之一。本文对6H-SiC基MPS二极管结构参数与反向恢复峰值电流、反向恢复电压之间的关系进行了数值模拟仿真,分析了器件关断过程中过剩少数载流子分布,以此就6HSiC基MPS器件结构参数对反向恢复特性的影响进行了研究。结果表明:结构参数P+区结深、P+区掺杂浓度的增加,或肖特基区占比的减小,均会引起反向恢复峰值电流、反向恢复峰值电压的增大。究其根本,是器件结构参数改变引起了漂移区下少数载流子发生产生、复合、抽运等一系列变化。综合考虑反向恢复峰值电流、反向恢复峰值电压与软恢复特性,得出6H-SiC基MPS最佳优化参数:P+结深为3.8~4.0μm,肖特基区的占比为48%~56%,P+掺杂浓度为5.0×1018/cm3。
- 刘春娟郑丽君汪再兴穆洲
- 关键词：少数载流子
- 基于FPGA超高频RFID系统并行CRC模块设计
- 2013年
- 根据CRC(循环冗余校验码)算法的原理,和ISO/IEC18000-6标准中超高频射频识别系统对校验电路的要求,分析串行CRC算法,提出了一种并行CRC算法。经Verilog-HDL语言编写该算法程序,在QuartusⅡ9.0软件上仿真。最终给出仿真结果以及并行CRC生成模块和校验模块,仿真结果证明并行CRC算法有效提高了系统中数据的处理速度。
- 陈海军汪再兴杜友杰
- 关键词：循环冗余校验码射频识别VERILOG-HDL
- 静电感应晶闸管(SITh)的器件模型与负阻转折机理
- 汪再兴
- 关键词：静电感应晶闸管
- 短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究被引量：1
- 2006年
- 肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂．采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性．结果表明:在MPS阳极区(p+区)注入空穴的作用和肖特基势垒与p-n结势垒双重作用下,器件的电势将主要降低在肖特基结上;形成的电导调制区在饱和时变化很小,整个器件内电阻为准常数．
- 韩颖晖汪再兴闫锐杨建红
- 关键词：MPSP-I-N电导调制肖特基势垒
- MPS二极管的少子特性仿真被引量：2
- 2019年
- 混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。
- 孙霞霞汪再兴刘晓忠郑丽君王永顺
- 关键词：高频特性反向恢复时间漂移区
- 具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究被引量：1
- 2023年
- 场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场,从表面电场分布均匀程度和峰值电场两方面分析击穿原理。研究结果表明,当漂移区掺杂浓度一定时,击穿电压随场限环数量、结深和掺杂浓度的增大而先增大后减小;当场限环参数一定时,击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小;经验证在相同条件下,线性环间距设计的LDMOS击穿特性优于等环间距设计,且漂移区掺杂浓度越高,环掺杂浓度和环结深越小,失效场限环数量越多。
- 彭华溢汪再兴高金辉保玉璠
- 关键词：场限环击穿电压
- 一种可重构AI算法硬件加速器
- 一种可重构AI算法硬件加速器，尤其涉及一种基于ZYNQ平台的可重构通用AI算法硬件加速器，属于FPGA加速技术与深度学习技术领域。包括PS端、PL端、片外存储DDR、SD卡等；PS端为控制器及写入ARM核的指令集，PL端...
- 汪再兴王林昌施辉记
- 基于Freescale MCU和多传感器的自由摆平板控制系统设计被引量：2
- 2012年
- 根据单摆的工作特性,设计了基于Freescale MCU和多传感器的自由摆平板控制系统。整个系统主要由摆架框架、数据采集模块、主控系统、驱动模块四大部分组成。数据采集模块使用高精度、低量程的角度传感器;主控板以的飞思卡尔内核处理器为控制核心,采用直流电机作为执行单元。系统的软硬件设计都采用了模块化的设计思想。该系统能实现装在自由摆上的平板的旋转运动以及不同的摆幅和不同配重条件下的控制平板平衡功能。通过对系统进行性能测试,测试结果表明,系统性能良好。
- 李新颖汪再兴王国华
- 关键词：FREESCALE直流电机
- BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成
- 2007年
- 对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析。器件尺寸为15000nm×200000nm。分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和。在大注入情况下,漂移区出现电导调制区(Conductivity-modulation Region,简称CMR),漏源电压很小时,就会导致漏电流的剧增。漏电流的饱和与CMR的收缩有关,漏源电压的增加导致CMR的收缩。在CMR收缩时形成了偶极区,该区域是中性区,其空间大小及其中的电场与漏电压呈线性比例关系。这一关系将导致饱和电流随漏电压成比例地线性变化。
- 杨建红汪再兴张辉闫锐
- 关键词：晶体管电导调制双极型晶体管
- 一种高性能有机光电晶体管
- 本实用新型涉及一种高性能有机光电晶体管，包括壳体，所述壳体内腔设置有晶体管主体，所述晶体管主体包括基层，所述基层顶部设置有柔性材料层，所述柔性材料层顶部设置有电荷传输层，所述电荷传输层底部两端设置有漏电极与源电极，所述电...
- 李尧潘淼汪再兴张彩珍
- 文献传递
