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梁才华

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中山大学更多>>
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相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 2篇电化学
  • 2篇电化学沉积
  • 2篇热电材料
  • 2篇纳米
  • 1篇电化学制备
  • 1篇碲化铋
  • 1篇铋膜
  • 1篇纳米复合膜
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶薄膜
  • 1篇化学制备
  • 1篇复合膜
  • 1篇半金属
  • 1篇TE
  • 1篇BI

机构

  • 2篇中山大学

作者

  • 2篇梁才华
  • 1篇张晨阳
  • 1篇任山
  • 1篇刘杨
  • 1篇罗婷
  • 1篇刘向阳

传媒

  • 1篇中山大学学报...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
纳米晶Bi<,2>Te<,3>热电薄膜材料的电化学制备、结构及性能研究
本学位论文主要研究了纳米晶Bi<,2>Te<,3>热电薄膜材料的电化学沉积制备,分别分析研究了不同电沉积方法(恒压法、脉冲电压法),不同沉积条件(沉积电位、电解液浓度、超声环境、添加剂浓度)对Bi<,2-x>Te<,3+...
梁才华
关键词:热电材料电化学沉积碲化铋纳米晶薄膜
文献传递
SiO_2纳米颗粒对电化学沉积半金属Bi膜的影响
2006年
研究了S iO2纳米颗粒对电化学沉积半金属B i膜沉积过程和膜形貌、结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分析了未掺与掺入S iO2纳米颗粒后薄膜沉积过程的电化学特性,应用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对膜的微观表面形貌及相结构进行了表征。实验结果表明,加入S iO2纳米颗粒引起电沉积过程中还原电势向正电位方向移动,使B i3+离子的还原沉积更容易,但不对B i膜的溶解电位产生明显影响。加入S iO2纳米颗粒后能显著影响沉积膜的形貌,具有明显细化晶粒的效果。总之,S iO2纳米颗粒的加入及加入量显著影响B i膜的电化学沉积过程和形貌、结构。
罗婷任山刘向阳梁才华张晨阳刘杨
关键词:热电材料铋膜电化学沉积纳米复合膜
共1页<1>
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