李翔
- 作品数:6 被引量:5H指数:2
- 供职机构:西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金:西北工业大学基础研究基金更多>>
- 相关领域:金属学及工艺化学工程一般工业技术更多>>
- 镍基高温合金摩擦焊接研究现状
- 2015年
- 镍基高温合金是航空发动机、燃气轮机等高温部件的重要制造材料,与之相关的摩擦焊工艺正因工程需求的增长而日渐受到重视。主要介绍了目前应用最为广泛的3种摩擦焊接方法(线性摩擦焊、惯性摩擦焊与搅拌摩擦焊)在高温合金焊接上的应用,涵盖了高温合金接头显微组织、力学性能、工艺探索、数值模拟等方面,较为全面地总结了镍基高温合金摩擦焊接的研究现状,并提出了今后在相关研究中应考虑的关键问题。
- 李翔肖遥马铁军李文亚杨夏炜
- 关键词:镍基高温合金线性摩擦焊惯性摩擦焊搅拌摩擦焊
- 点焊逆变电源的恒峰值电流控制方法研究被引量:3
- 2012年
- 介绍了一种点焊逆变电源恒峰值电流控制方法。其中包括信号调理电路完成对中频焊接变压器原边交变电流信号的全量程整流和调理;DSP事件管理器(EV)模块,结合软件编程,可实现点焊逆变电源主电路开关管PWM驱动信号死区时间和移相角的调节;EV模块中的定时器采用连续增/减计数模式,在比较中断中,对经过整流、调理后的电流信号峰值进行准确采样;增量式PID数字控制算法,实时调节PWM驱动信号的移相角,实现电流恒峰值反馈控制。实验结果表明,设计的硬件电路和软件算法可以准确产生带死区的移相PWM信号,实现了点焊逆变电源的恒峰值电流控制,保证了焊接电流的对称性,使焊接电源能够长期稳定工作。
- 张勇方飞李慧敏李翔谢红霞
- 关键词:点焊逆变电源恒流DSP移相
- 光固化3D打印磷酸钙基生物陶瓷支架的研究进展
- 2023年
- 磷酸钙基生物陶瓷多孔支架是临床中实现骨缺损再生修复的常用骨移植物。光固化3D打印技术以其优异的打印精度和复杂结构成形特性能够精确地控制支架孔尺寸、孔形状、孔连通率,在制备生物陶瓷多孔支架领域展现出巨大的应用潜力。然而,利用光固化3D打印技术制备磷酸钙基生物陶瓷多孔支架仍面临亟需克服的挑战,如缺乏性能优异的磷酸钙基陶瓷打印浆料、打印及后处理工艺不成熟、制备的磷酸钙基陶瓷多孔支架的性能还有待提升。本文首先介绍了几种常用的光固化3D打印技术基本原理与特征,然后从3D打印成形工艺、力学性能、生物活性、支架结构及功能化等方面系统探讨了光固化3D打印技术在制备磷酸钙基生物陶瓷多孔支架领域的研究进展及存在的问题,最后展望了光固化3D打印磷酸钙基生物陶瓷多孔支架的发展趋势和突破点,为利用光固化3D打印技术制备成本低、综合性能优异的磷酸钙基生物陶瓷多孔支架提供参考。
- 董栋苏海军苏海军李翔樊光娆申仲琳刘园
- 关键词:骨缺损磷酸钙
- GH4169线性摩擦焊接头微观组织、织构演变
- 利用自制的XMH-160型线性摩擦焊机对GH4169合金进行线性摩擦焊试验,采用EBSD技术对焊接接头的微观组织进行表征。结果表明,焊缝区由于发生了明显的动态再结晶,其组织呈现为等轴细晶组织,在界面剪切力的作用下,出现了...
- 肖遥马铁军张勇李文亚李翔
- 关键词:线性摩擦焊GH4169微观织构
- 文献传递
- 粉体特性对光固化3D打印陶瓷浆料性质影响的研究进展
- 2024年
- 陶瓷材料因力学性能优异、化学稳定性好而被广泛应用,但其硬度高,脆性大,使陶瓷构件的成型与加工存在挑战。传统陶瓷成型技术已无法满足复杂精密陶瓷的生产需求。近年来陶瓷增材制造技术发展迅猛,光固化3D打印凭借打印速度快、成型精度高、生坯表面光滑等独特优势脱颖而出。作为光固化技术的原料,陶瓷浆料的性质严重影响成型质量。高质量光固化浆料应具有高固含量、低粘度、抗沉降的特点。由于光固化浆料的组成成分多样,影响陶瓷浆料性质的因素众多,如何获取最佳光固化浆料配方一直是一个难点。针对上述问题,本文在简述光固化3D打印技术原理及陶瓷浆料制备原则的基础上,从陶瓷粉体的性质出发,重点介绍了陶瓷粉体性质、粒径分布及级配设计对浆料流变性、稳定性以及光聚合性能影响的研究进展,并对光固化3D打印浆料制备中的陶瓷原料优化方法进行了总结与展望,为研究者从陶瓷原料选择与设计角度改善光固化浆料性质提供参考。
- 郝舒琪苏海军赵迪李翔李翔于佳俊
- 关键词:浆料制备浆料流变性固含量
- CVD法水蒸气条件下制备SiC块体被引量:2
- 2000年
- 以三氯甲基硅烷 (MTS)为原料 ,在无水蒸气和有水蒸气加入的条件下采用化学气相沉积 (CVD)法制备出Si C块体材料。在 95 0~ 12 0 0℃的范围内 ,水蒸气在水温 2 0~ 80℃时由 Ar鼓泡引入反应器中进行沉积 ,得到的产物基本属 β- Si C,其中混有少量的二氧化硅。结果表明 ,无水蒸气时 Si C的沉积速率随沉积温度升高而略有升高 ;通入水蒸气后 Si C的沉积速率有所提高 ,当水蒸气的引入温度为 2 0℃、沉积温度为 10 5 0℃时 ,沉积速率最大达到 0 .9mm/h;随水蒸气引入量的增加 ,Si C的沉积速率呈降低趋势。对沉积反应的机理进行了初步分析。
- 焦桓周万城李翔
- 关键词:CVD水蒸气沉积速率