李杨
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CV法测试电阻率的稳定性研究
- 2016年
- 文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15魡的氧化层,并对比分析了装汞量、吸附汞真空压力以及水平校准方式对电阻率测试结果的影响。
- 陈涛李明达李杨边娜
- 关键词：硅外延片势垒电容
- PIN光电探测器用反外延片工艺研究被引量：5
- 2016年
- 创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备。通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过精细的后期加工工艺,将高阻区熔层加工为厚度和表面质量均满足器件要求的有源层。结果显示,采用反外延法工艺得到的反外延材料片应用到PIN光电二极管中,不仅节省器件制备中的工艺程序,而且大大提高了器件耐压性。
- 李杨李明达
- 关键词：PIN光电探测器
- CCD成像器件用P型外延材料的工艺研究被引量：4
- 2014年
- CCD成像器件作为大面阵高集成度器件,对外延材料的均匀性,特别是P型材料的电阻率均匀性,提出更高要求。本文主要介绍了CCD成像器件用硅外延片的一种实用生产工艺,利用PE-3061D平板式外延炉在6英寸、<100>晶向、电阻率小于0.02Ω·cm的重掺B硅衬底上化学气相沉积(CVD)所需硅外延层。通过C-V测试方法对外延材料的电阻率均匀性进行测试分析,通过变流量吹扫和提高赶气温度的工艺方法显著提高外延材料的均匀性,最终得到满足CCD成像器件设计要求的P/P+结构硅外延片。
- 李杨王文林薛兵高航
- 关键词：硅外延片
- 质量成本控制——减少硅外延电阻率测试频次的实验研究
- 2020年
- 质量成本包括预防成本、鉴定成本、内部损失成本和外部损失成本等内容,通过数据分析讨论减少硅外延电阻率测试频次的可行性。经分析发现,在LPE3061D外延炉批量生产硅外延片的过程中,掺杂效率稳定,产品在正常生产过程中,整批次的掺杂剂用量调节幅度相对较小,由其引起的电阻率变化不会大幅度超出控制线。以此为依据将测试频次由每24片测试1片更改为每48片测试1片,按产量统计每年可节省约4 000片硅抛光片,降低鉴定成本约40万元,并且提高了硅外延片出片率。
- 李杨薛兵唐发俊
- 基于层流模型的CVD外延流场仿真被引量：2
- 2017年
- 在化学气相沉积(CVD)过程中运用COMSOL Multiphysics建立硅外延生长的层流模型,研究了不同气流设置条件下反应腔体内的气流状态和流速分布。通过优化流场设置,获得了稳定且均匀的气流分布,同时,分析了气流分布对硅外延片生长速率和厚度均匀性的影响。利用LPE-3061D平板式外延炉进行了工艺验证,在重掺Sb衬底上进行硅外延沉积,在优化流场下制备出的硅外延片厚度标准偏差达到0.38%。
- 陈涛李明达李杨
- 关键词：硅外延片流场层流均匀性
