您的位置: 专家智库 > >

李杨

作品数:9 被引量:12H指数:2
供职机构:海南工商职业学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信经济管理电气工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇发光
  • 5篇二极管
  • 5篇半导体
  • 4篇发光二极管
  • 3篇电学
  • 3篇发光二极管(...
  • 3篇发光器件
  • 2篇低频
  • 2篇低频特性
  • 2篇激光
  • 2篇激光二极管
  • 2篇负电容
  • 2篇半导体材料
  • 2篇半导体发光器...
  • 1篇电导
  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性质
  • 1篇电阻

机构

  • 5篇天津大学
  • 5篇海南工商职业...
  • 4篇北京大学
  • 2篇南开大学
  • 1篇佛山科学技术...

作者

  • 9篇李杨
  • 5篇王存达
  • 5篇冯列峰
  • 3篇张国义
  • 3篇邢琼勇
  • 2篇李丁
  • 2篇从红侠
  • 1篇朱传云
  • 1篇王军

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 2篇中国宽带
  • 1篇天津师范大学...
  • 1篇中国新通信
  • 1篇电子技术与软...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2017
  • 1篇2013
  • 2篇2010
  • 2篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
半导体材料在新能源汽车智能化技术的应用及发展趋势研究被引量:1
2021年
新能源汽车作为近年最具潜力的半导体应用领域,其在智能化技术方面的应用更是不可缺少。且据新能源汽车领域报告来看,电源模块、通信模块均在大量应用功率半导体,具有良好的发展前景。恰逢国内半导体企业取得蓝海发展态势,对应企业将有望值此契机取得突破性发展。就此,本文拟就半导体材料之于新能源汽车智能化技术方面的应用展开探讨,并深入研究其发展趋势,期望为相关企业及政府部门施策予以理论指导。
邢琼勇李杨
关键词:半导体材料新能源汽车智能化技术
基于透明基板的半导体发光器件封装结构被引量:1
2017年
基于透明基板的半导体发光器件封装是当前LED封装技术的主要发展方向之一,运用玻璃基板、蓝宝石基板、透明陶瓷基板等材料,通过不同结构对半导体发光器件进行封装,有效提高了芯片出光效率,提高了光效,降低了能耗,延长了芯片使用寿命。
李杨
关键词:封装结构LED
紫外半导体发光器件及其制造方法
2017年
紫外半导体发光器件的出现,在各个行业得到广泛的使用,为行业内的制造和管理提供较大的便利。随着技术的进步,紫外线半导体发光器件在制造方法上得到全面的创新,新型的技术不断的出现,制造方法方面也得到不断的发展,为技术的进步提供条件,因此应该更加科学的对紫外半导体发光器件及其制造费方法进行分析,掌握更加全面的制造方法,从而促进技术的进步,对技术的发展提供更多可能。本文主要针对紫外半导体发光器件以及制造方法进行分析。
李杨
关键词:发光器件
半导体激光器在阈值处电学性质突变对应的物理图像被引量:2
2010年
对激光二极管(LDs)在阈值处不连续的电学特性作了详细分析,结果发现,各电学参量的突变之间存在紧密的内在关联。由表观IdV/dI-I曲线在阈值处的跳跃能直接得出结电导、结电压、串联电阻和理想化因子在阈值处的突变,因而证实传统的电学测量方法只能描述平均效果,忽略了各电参量随正向电流变化的详细信息。进一步实验表明,LDs在阈值附近的电特性的突变与光激射密切相关,这将为改进现有的LDs理论提供帮助。
冯列峰李杨李丁王存达张国义
关键词:激光阈值
发光二极管的低频电容特性
2009年
通过自建装置精确测试了发光二极管(LED)的低频(小于102Hz)电学特性。电学测量表明,所有LED在低频下都表现出明显的负电容(NC)现象,且频率越低NC现象越明显。调制发光测量表明,相对发光强度在低频下表现出明显饱和现象,并且随频率增加而减小。比较电学和光学的测量结果可以证实,辐射发光是产生NC现象的主要原因。通过对LED电学测量结果的详细分析得出了NC随电压和频率的变化关系式。
冯列峰李杨王军从红侠朱传云王存达张国义
关键词:低频特性发光二极管(LED)
650nm波长发光器件的电学特性研究
2010年
利用正向交流小信号结合直流I—U特性的方法对波长为650nm的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的正向电学特性进行精确表征.电学测量结果表明:发光二极管和激光二极管的串联电阻并非常数,激光二极管的串联电阻、结电压、电导和电容在阈值附近均出现明显突变.对比激光二极管和发光二极管的电学特性,得到激光二极管阈值处电学特性的突变是激射发光的必然结果.
冯列峰李杨从红侠王存达
关键词:发光二极管(LED)串联电阻
半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性被引量:8
2013年
对传统的电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(LED)正向特性的结果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电容以及我们自建方法得到的结电容在大电压和低频率下都表现出了明显的负值,该实验结果与经典肖克莱理论相冲突。此外,我们精确地得到了负的结电容以及结电导随电压和频率变化的经验表达式。这将为半导体二极管的正向电学特性的理论研究提供实验基础。
李杨冯列峰李丁王存达邢琼勇张国义
关键词:发光二极管(LED)负电容电导P-N结
半导体材料在通信产业的技术应用及发展趋势研究
2021年
随着第三代宽禁带半导体--氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)的诞生,通信产业迎来重要突破契机。研究发现,半导体在通信产业的射频芯片、基带芯片、滤波压电材料均有广泛应用。并且,据此形势可以知悉,半导体在未来通信产业的发展之中,仍然是重要技术支撑,仍需进行深度研究。就此,本文拟针对半导体材料之于通信产业的技术应用展开研究,并探讨其发展趋势。
邢琼勇李杨
关键词:半导体材料通信产业技术应用
发光二极管的低频特性
高功率半导体发光二极管在照明工程、显示中有着极其重要的应用价值,因而其在低频下的电学和光学特性具有较重要的研究价值。本文探讨了低频实验装置及测试原理。
冯列峰李杨王存达
关键词:发光二极管光学特性
文献传递
共1页<1>
聚类工具0