李俊生
- 作品数：102 被引量：79H指数：5
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程金属学及工艺电子电信更多>>
- 一种多孔硅酸钇-氧化铝复相透波陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种多孔硅酸钇‑氧化铝复相透波陶瓷及其制备方法，制备方法包括将Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、硅溶胶和蛋白粉加入水中球磨混合，将所得混合浆料注模成型、干燥脱模再梯度升温干燥、排胶烧结...
- 李端李俊生于秋萍向天意刘荣军王衍飞万帆
- 天线罩用耐大功率密度微波辐射涂层及其制备方法
- 一种天线罩用耐大功率密度微波辐射涂层，其能承受功率密度为17.6～80.0W/cm<Sup>2</Sup>的微波辐射，涂层的介电损耗角正切值为3.7～3.8×10<Sup>-2</Sup>，涂层为直接粘附于天线罩表面的涂...
- 程海峰李俊生马青松刘海韬周永江张朝阳
- 耐高温低红外发射率复合涂层及其制备方法
- 本发明公开了一种可涂覆于不锈钢或合金上的耐高温低红外发射率复合涂层，包含三层结构，其由内到外依次包括ZnO-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-SiO<Sub>2</Sub>微晶玻璃涂层组成的扩散阻隔...
- 程海峰李俊生郑文伟周永江童思超
- 文献传递
- 反应法制备SiC涂层组成与结构被引量：2
- 2005年
- 采用反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC致密涂层,利用XRD分析涂层的组分及晶体结构,利用扫描电镜及金相显微镜观察涂层的断口及表面形貌,并对涂层形成过程进行了分析。结果显示:涂层主要由SiC及少量的游离Si组成,致密不开裂的SiC涂层与C/SiC复合坯体之间有很好的梯度过渡结构;相反,涂层与坯体之间如果没有形成过渡层,涂层会因热残余应力过大而开裂;反应法制备不开裂SiC涂层与CVDSiC涂层有很好的热匹配性,同时在其表面制备的CVDSiC涂层无点缺陷。
- 张玉娣张长瑞周新贵曹英斌李俊生
- 关键词：碳化硅涂层微观结构
- 基于离差最大化的导弹中段目标威胁度评估被引量：18
- 2007年
- 释放诱饵是典型弹道导弹中段突防措施之一,对诱饵与真弹头的威胁度进行评估也因此成为导弹防御系统实施拦截的首要前提.考虑弹头与诱饵的位置、速度、RCS及红外辐射强度等目标特性不同,采用模糊隶属函数和G.A.Miller 9级量化理论对弹头与诱饵的威胁属性进行量化,建立了基于离差最大化的导弹中段目标威胁度多属性评估模型,给出了计算实例.计算结果表明,采用此方法能够有效确认威胁度最大的目标,满足弹道中段目标的威胁度评估需要.
- 李俊生梁伟刘雪梅齐照辉
- 关键词：诱饵离差
- 一种Ta<Sub>4</Sub>HfC<Sub>5</Sub>先驱体制备方法及制得的纳米陶瓷和耐高温复合材料
- 提供了一种Ta<Sub>4</Sub>HfC<Sub>5</Sub>液态先驱体的制备方法，包括以下步骤：步骤1)，将柠檬酸加入乙醇中，充分搅拌溶解后得到柠檬酸乙醇溶液；步骤2)，将TaCl<Sub>5</Sub>与HfC...
- 万帆刘荣军王衍飞李端李俊生刘星煜
- 致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法，包括将锶钽氧氮化物陶瓷粉体与乙醇混合均匀，球磨后干燥并过筛，得到预烧结粉体，将预烧结粉体在加压、保护气氛或者在加压、真空条件下进行放电等离子烧结，烧结温度为1300℃～...
- 李端李俊生曾良
- 文献传递
- 一种耐高温吸波涂层及其应用
- 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种耐高温电磁波吸波涂层及其在飞行器隐身中的应用。其技术方案是：一种耐高温吸波涂层，它包括涂覆于基底上的至少一层吸波层(1)和两层隔热阻氧层(2)，两层隔热阻氧层(2)分别位于吸波层(...
- 邢欣周永江程海峰王楠楠李俊生
- 文献传递
- 8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜及其制备方法
- 一种8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜，该薄膜可对光谱的发射辐射进行调控，实现在8.0μm～14.0μm的红外窗口波段的低发射率，其他波段实现高发射率；该薄膜具有多层膜结构，主要由高折射率Ge材料层和低折射率Z...
- 彭亮程海峰李俊生郑文伟周永江刘海韬张朝阳
- 文献传递
- 氮化硼先驱体的合成及其热分解特性被引量：5
- 2009年
- 以硼氢化锂和硫酸铵为原料合成了氮化硼陶瓷先驱体环硼氮烷,以GC-MS、FT-IR和1H-NMR等方法对其组成和结构进行了表征和确认。环硼氮烷在80℃左右保温72h后可以得到固化的聚硼氮烷,而后经热分解得到氮化硼陶瓷,以TG、FT-IR、XRD等对聚硼氮烷的热分解行为进行了分析和表征。结果表明聚硼氮烷中仍然存在一定数量的B-H和N-H键,在后续的热分解过程中,会进一步发生脱氢反应,1400℃时陶瓷产率约为89.5%。B-H键的断裂主要发生在800℃以前,N-H键的消失则需要较高的温度。聚硼氮烷800℃热分解后无机化程度已经较高,其产物基本上为无定形的BN,在1600℃则形成h-BN。
- 邹晓蓉张长瑞曹峰王思青李斌姜勇刚李俊生
- 关键词：氮化硼先驱体热分解
