徐保民
- 作品数：15 被引量：45H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程化学工程一般工业技术更多>>
- 低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的研究被引量：15
- 1991年
- 研究了施主杂质Nb_2O_5,碱金属氧化物添加物Li_2O和烧成温度对低温一次烧成SrTiO_3陶瓷晶界层电容器介电性能和显微结构的影响。结果表明。Li_2O的加入量对液相烧结的进行和晶粒的生长有很大影响。具有一定特性的液相还能作为氧在晶界上迁移的通道,而有利于氧的挥发,促进晶粒的半导化,Nb_2O_5含量为0.1mol％左右时就能具有良好的效果。在液相特性不能满足晶粒生长要求的情况下,Nb_2O_5含量显著影响着晶粒的半导化程度。添加过多的Nb_2O_5会阻碍晶粒的生长。烧结温度对晶粒生长和材料的介电常数也有明显的影响,适当提高烧结温度能提高材料的介电常数。
- 徐保民王鸿殷之文
- 关键词：钛酸锶陶瓷晶界层电容器氧化锂
- SrTiO3陶瓷晶界层电容器材料的离子偏析
- 1993年
- 利用透射电子显微镜及其电子衍射和X射线能谱分析,高分辨电子显微镜及其微区电子衍射,以及离子探针,证实了低温一次烧结的SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料其晶界绝缘层的形成是由于受主性杂质Li_2O的晶界偏析造成的,并且进一步分析了引起离子偏析的条件和机理。发现只有在施主掺杂和还原气氛烧结的情况下才存在Li_2O的晶界偏析现象。这是因为由施主杂质进入晶格和还原烧结气氛而增强的晶格氧挥发是引起Li_2O晶界偏析的根本原因。
- 徐保民殷之文王鸿
- 关键词：晶界层电容器
- 低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的掺杂分析被引量：8
- 1992年
- 借助于晶格常数的精确测定、透射电子显微镜及其电子衍射和X射线能谱分析,结合材料性能,对还原气氛中低温一次烧结的srTiO_2陶瓷晶界层电容器材料的掺杂状况进行了分析。结果表明Li^+不能进入srTiO_2晶格的填隙位置形成施主。在Nb_2O_5和Li_2O同时存在的情况下,也没有产生施主-受主相互补偿进入晶格的现象,而是Nb_2O_5进入晶格起施主作用使晶粒半导化,Ll_2O偏析在晶界上,与聚集在晶界上的SZO_2一起形成活性液相,促进烧结的进行,并形成复杂的锂硅酸盐化合物产生绝缘性的晶界,从而形成晶界层电容器的显微结构,这是能够在低温下一次烧成SrTiO_2陶瓷晶界层电容器材料的根本原因。
- 徐保民王鸿殷之文
- 关键词：陶瓷钛酸锶电容器
- SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界研究——Ⅰ.晶界结构被引量：3
- 1993年
- 利用高分辨电镜研究了低温一次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界结构,发现在西晶粒间存在着4种典型的晶界类型。通过构筑晶界形成的结构模型,揭示了两晶粒间晶界形成的特征,认为两晶粒间晶界相的形成既与两晶粒间的液相成份和杂质组成有关,亦与两晶粒的相对取向有关。此外,还与两次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界结构作了比较。
- 宋祥云徐保民温树林王鸿殷之文
- 关键词：陶瓷晶界电容器
- 低温烧结SrTiO＃+[3]陶瓷晶界电容器材料的晶界结构
- 利用高分辨电镜研究了低温一次烧结ＳｒＴｉＯ＃-[3]陶瓷晶界层电容器 材料的晶界结构。发现在两晶粒间存在着四种典型的晶界类型，通过构筑晶界形成的结构模型，揭示了两晶粒间晶界形成的特征，认为两晶粒间晶界相的形成既与两晶粒间...
- 徐保民宋祥云王鸿
- 关键词：钛酸盐电容器陶瓷晶粒间界电容器
- 低温烧结半导体陶瓷晶界层电容器材料的研究
- 徐保民
- 关键词：陶瓷半导体陶瓷电容器
- 烧结工艺对低温烧结SrTiO＃-[3]陶瓷晶界层电容器材料的影响
- 徐保民
- 关键词：钛酸盐系压电陶瓷低温烧结电容器瓷晶界层
- BaTiO_3 PTCR陶瓷阻温系数的研究被引量：5
- 1997年
- 本文以Heywang模型为基础，分析了影响BaTiO_3PTCR陶瓷阻温系数α的主要因素，并给出了解析关系．各参数的测量结果与该关系基本相符．
- 王评初李峥徐保民王依琳殷之文
- 关键词：钛酸钡PTCR陶瓷
- SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界研究——Ⅱ.晶界模型与材料电性能被引量：6
- 1993年
- 根据低温一次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器两晶粒间晶界相结构的复杂性和不同晶界的势垒特性,建立了具有复合晶界特征的晶界等效电路模型,据此解释了材料的I-V非线性特性和介电-电压特性。认为低施主掺杂的材料,击穿区的I-V非线性特性主要是由通过“洁净”晶界和窄晶界的隧道电流引起的,从而与温度无关;而高施主掺杂的材料,击穿区的I-V非线性特性既包括通过“洁净”晶界和窄晶界的隧道电流,亦包括通过宽晶界的雪崩击穿电流,从而与温度有关。在低的直流偏压下,材料的电容量随偏压变化很小,但由通过“洁净”晶界和部分窄品界而贯穿样品的热激发漏导电流的存在,使材料的介电损耗明显增加。
- 徐保民宋祥云王鸿殷之文温树林
- 关键词：晶界层电容器
- 烧结工艺对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响被引量：5
- 1991年
- 本文采用两阶段保温烧结的工艺制度,研究了烧结工艺条件对低温一次烧成的SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料显微结构和性能的影响,并由此推知材料的一些烧结特性。结果表明第一阶段保温温度和气氛条件对材料的显微结构和性能有很大影响,控制第一阶段保温温度和气氛,可以获得不同晶粒度和不同性能的电容器材料,第二阶段的烧结呈现出明显的活性液相烧结的特征。只有达到一定的烧结温度,材料才可能致密烧结,并具有较高的电阻率和较低的介电损耗;只有在N_2+6％H_2气氛中烧结,晶粒才能生长和半导化,从而导致高的表观介电常数。在N_2+6％H_2气氛中,晶粒半导化所需要的温度要低于晶粒充分生长和致密化所需要的温度;已经半导化的晶粒再进行烧结时,其烧结活性会有所降低。
- 徐保民殷之文王鸿
- 关键词：钛酸锶陶瓷晶界层电容器
