张金风
- 作品数：174 被引量：38H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 多路控制复合功能器件
- 本发明公开了一种多路控制复合功能器件，主要解决现有氮化镓基功率晶体管只能单向阻断的问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层通过内部的隔离深槽分成多个条状结构；每个条状结构从左至右依次设置有左电极...
- 毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军张金风张进成郝跃
- 基于纳米线结构的高效发光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、Al<Sub>x</Su...
- 张进成杜金娟许晟瑞吕玲郝跃李培咸陶鸿昌林志宇张金风
- 文献传递
- 高跨导氢终端多晶金刚石长沟道场效应晶体管特性研究
- 2018年
- 基于多晶金刚石制作了栅长为4 pm的铝栅氢终端金刚石场效应晶体管.器件的饱和漏源电流为160 mA/mm,导通电阻低达37.85Ω·mm,最大跨导达到32 mS/mm,且跨导高于最大值的90%的栅压(V_(GS))范围达到3 V(-2 V≤V_(GS)≤-5 V).通过传输线电阻分析以及器件的导通电阻和电容-电压特性分析,发现氢终端多晶金刚石栅下沟道中的空穴面浓度达到了1.56×10^(13)cm^(-2),有效迁移率在前述高跨导栅压范围保持在约170 cm^2/(V·s).分析认为,较低的栅源和栅漏串联电阻、沟道中高密度的载流子和在大范围栅压内的高水平迁移率是引起高而宽阔的跨导峰和低导通电阻的原因.
- 张金风杨鹏志任泽阳张进成许晟瑞张春福徐雷郝跃
- 关键词：金刚石场效应晶体管
- 基于复合衬底的半导体器件及其制备方法
- 本发明涉及一种基于复合衬底的半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：选取Si衬底层；在所述Si衬底层下表面生长金刚石层；在所述Si衬底层上表面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上表面生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层...
- 任泽阳张雅超张进成张金风许晟瑞苏凯郝跃
- 文献传递
- 非极性GaN基微型发光二极管及制备方法
- 本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，In<Sub>x</Su...
- 许晟瑞张怡许文强张金风彭利萍张雅超任泽阳张进成郝跃
- 文献传递
- 基于金刚石图形衬底的大功率发光二极管及其制备方法
- 本发明意在公开一种基于金刚石基图形衬底的大功率氮化物发光二极管，主要解决现有金刚石衬底上外延氮化物半导体发光二极管晶格质量差、平片衬底出光效率低、大功率发光二极管器件散热不足及制备工艺复杂的问题。其自下而上为图形化金刚石...
- 许晟瑞卢灏王宇轩范晓萌高源陶鸿昌张涛张金风张进成郝越
- 增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝...
- 张金风安阳黄旭张进成郝跃
- 文献传递
- 增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、P型漏柱...
- 毛维高北鸾马佩军杜鸣张春福张金风周弘刘志宏张进成郝跃
- 文献传递
- 新形势下的“物联网技术”课程教学改革探索
- 2024年
- 物联网技术与半导体技术紧密相关,针对微电子与集成电路专业背景进行“物联网技术”课程教学改革,在教学内容、教学模式、实践教学和考核体系等方面进行改革探索。通过针对性的课程设计和线上线下结合的教学模式,提高学生的学习效率,实现知识的融会贯通;以应用为目的、创新为导向,增加课程实践和企业实践教学,提高学生的创新实践能力;改变考核方式,实现多元一体化考核,从根本上激发学生主动学习的热情。通过一系列改革探索,提高微电子与集成电路专业背景学生“物联网技术”课程的学习效果,达到学科交叉融合,为国家培养创新实践型高技术人才。
- 段小玲任泽阳张金风
- 关键词：物联网半导体技术
- 基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于c面A1<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中质量较差，应力大的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al<Sub>2</...
- 郝跃许晟瑞张进成张金风毛维史林玉付小凡梁晓祯
- 文献传递
