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半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应: 2000年; 设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ衬底上制备ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴｓ器件．研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小．结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大．; 刘汝萍夏冠群赵建龙翁建华张美圣郝幼申; 关键词：MESFET 背栅效应砷化镓半绝缘

AlGaInP/GaAs HBT功率放大器: 夏冠群孙晓玮程智群束为民盛怀茂张美圣钱蓉郝幼申; 材料为发射极制备的HBT作为微波功率放大器的有源器件。材料体系在所有与GaAs晶格匹配的材料体系中具有最大的价带不连续性（△EV），能有效抑制HBT器件工作时基极空穴的反向注入，改善结区和整个器件的温度特性，使器件有更高...; 关键词：; 关键词：功率放大器放大器有源器件

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张美圣