张绪礼
- 作品数：34 被引量：203H指数：10
- 供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 氧化钒系PTC陶瓷相变的正电子湮没研究
- 1990年
- 80年代初,氧化钒系大功率PTC陶瓷热敏电阻出现了,关于这种材料的PTC效应的机理尚处在研究中。本文首次用正电子湮没技术研究这种材料随温度发生的金属-绝缘体(M-I)相变,讨论了正电子湮没参量与材料微观结构变化之间的关系。1.
- 唐超群柳宁张绪礼周国良
- 关键词：电工陶瓷热敏电阻正电子湮没PTC
- BaO－TiO_2系中Ba_2Ti_9O_（20）相形成的研究被引量：31
- 1996年
- 研究了ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的形成规律。结果表明：ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中，不加任何添加剂可以合成Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相；在ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中Ｂａ：Ｔｉ＝２：９附近存在一个很窄的单相Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）区；烧结阶段Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的最终合成并不依赖于预烧阶段部分此相的形成；通氧烧结对Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的形成影响不大，但可以抑制钛的变价。实验还发现，Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）陶瓷化学计量比的偏离将导致微波下介电常数的下降。
- 韩家平张绪礼王筱珍智宇陈昂
- 关键词：微波介质陶瓷氧化钡氧化钛
- Pb掺杂BaO-Nd_2O_3-TiO_2系微波介质陶瓷及其低频测量方法的研究被引量：4
- 1998年
- 初步研究了微波介质陶瓷 Ba3.75Nd9.5Ti18O54在 Pb掺杂后的显微组织及晶体结构的变化 ,并验证了用低频介电测量数据估算微波介质陶瓷材料介电性质的可行性。研究结果表明 ,掺入少量 Pb以后 ,Ba3.75Nd9.5Ti18O54 介电陶瓷的微观结构有显著变化 ,介电性能 ,尤其是相对介电常数εr有明显的提高。
- 叶龙金霞王筱珍张绪礼
- 关键词：微波介质陶瓷显微结构
- 化学共沉淀法制备Ba_2Ti_9O_（20）超微粉的研究被引量：12
- 1996年
- 着重阐述了用化学共沉淀法制备Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０超微粉的研究，讨论了ｐＨ值、分散剂及焙烧温度对粉料性能的影响。实验发现，用化学共沉淀法即可制备出纯度高且粉体粒度为０．
- 汤清华王筱珍张绪礼潘晓光叶龙
- 关键词：化学共沉淀法超微粉微波材料陶瓷
- Y_1Ba_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y系超导体中Sn替代位置的正电子湮没研究
- 1992年
- 元素替代效应已成为研究高温超导陶瓷的重要方法之一,而元素替代的真实位置是讨论替代效应的基本点。正电子湮没技术高度敏感于材料中的电子结构与缺陷机构。自从Jean等人首次报道了在高温超导陶瓷中的正电子湮没谱后,许多工作表明正电子湮没技术也是研究该类材料的有力工具。特别是近来一系列的理论计算与实验研究。
- 陈昂智宇李标荣张绪礼李晓华王少阶
- 关键词：超导体正电子湮没高TC
- 电子显微镜灯丝专用保护器
- 1997年
- 为保证图象的清晰度，电子显微镜的灯丝多采用Ｖ形结构，并工作于饱和状态，因此灯丝寿命一般只有３０～５０ｈ。专用保护器具有Ｖ形阻－温特性，能有效地防止冲击电流的产生，抑制过载电流，使灯丝寿命至少可延长到６０～８０ｈ。
- 连俊有张绪礼
- 关键词：电子显微镜灯丝保护器热敏电阻器
- Cr_2O_3改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究
- 1996年
- 研究了Ｃｒ２Ｏ３作为改性添加剂对（ＰｂＳｍ）（ＴｉＭｎ）Ｏ３系压电陶瓷介电及压电性能的影响．实验表明，添加适量的Ｃｒ２Ｏ３能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料，其ｋｔ＝４５％～５０％，ｋｔ／ｋｐ＝１５～１８，ＴＣｆｔ３＝－０．８～－６ｐｐｍ／℃．因此，在研究、开发高性能压电材料过程中，Ｃｒ２Ｏ３不失为一种优良的改性材料．
- 姜胜林张绪礼王筱珍万向红
- 关键词：压电陶瓷改性添加剂
- MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响
- 本文研究了MnO对改性钛酸铅陶瓷PbSr[(Sb)yTi]O的压电性能的影响。实验表明,适当的MnO添加量,可以得到介电常数ε=240,机电耦合系数k_t=48.5%,机械品质因数Q=1500,居里温度Tc=435℃的高...
- 姜胜林王筱珍张绪礼
- 关键词：压电性能机械品质因数MNO
- 文献传递
- 镧锶铋钛陶瓷的介电性能与缺陷机构被引量：2
- 1993年
- 研究了镧锶铋钛系陶瓷的介电性能与缺陷机构。结果表明,镧含量低时,材料中存在复合缺陷,且材料的介电常数随镧含量增加呈现峰值;当镧含量较高时,镧在锶铋钛系中的替代位置由A位向B位移动,呈现施-受主补偿,使得材料中复合缺陷解体,材料的介电常数下降。在缺陷机构发生改变的过程中,材料的电子密度变化不大。此外.根据正电子湮没寿命谱的结果,对材料中缺陷机构的进一步分析证实了上述缺陷模型的合理性。
- 智宇陈昂张绪礼王筱珍李标荣
- 关键词：介质陶瓷正电子湮没寿命谱
- 掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没被引量：2
- 1991年
- 本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.
- 唐超群智宇张绪礼
- 关键词：SRTIO3陶瓷介电性掺杂
