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张玉娟

作品数:9 被引量:9H指数:2
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 5篇多孔硅
  • 4篇电子发射
  • 3篇电子发射特性
  • 3篇显示器
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性能
  • 1篇电流
  • 1篇电流密度
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电压
  • 1篇电压波形
  • 1篇电子源
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化
  • 1篇荧光粉
  • 1篇扫描电镜

机构

  • 7篇西安交通大学
  • 3篇新疆大学
  • 1篇西安工业大学

作者

  • 9篇张玉娟
  • 4篇刘纯亮
  • 2篇梁海锋
  • 2篇张小宁
  • 2篇贾振红
  • 2篇王辉
  • 2篇孟令国
  • 1篇涂楚辙
  • 1篇梁志虎
  • 1篇封一凡
  • 1篇王文江
  • 1篇王辉
  • 1篇梁海峰

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇电视技术
  • 1篇真空
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
多孔硅电子源的制作和电子发射特性研究
张玉娟
关键词:多孔硅SEM电子发射特性
多孔硅的发光性能研究
单晶硅是间接带隙半导体材料,它的带隙宽度Eg=1.1eV,作为发光器件材料在光电子领域中的应用受到一定限制。1990年,英国科学家Canham首次观察到室温下多孔硅强的可见光光致发光,并用量子限域效应进行了解释,使多孔硅...
张玉娟
关键词:多孔硅发光性能光致发光半导体材料量子限域效应
文献传递
镍硅颗粒膜的表面传导电子发射特性
2010年
本文提出采用镍硅颗粒薄膜作为表面传导电子发射显示的发射体材料,通过光刻和磁控溅射在两电极(10μm间隙)之间制备30 nm厚的镍硅颗粒膜。施加三角波电压进行电形成工艺,并测试了器件的电学特性。获得主要结果有,在器件阳极电压2000 V和器件阴极电压13 V的作用下,可以重复探测到稳定的器件发射电流,并且随器件阴极电压的增加而明显增加,最大的发射电流达到了1.84μA(共18个单元);电形成过程中,单个发射体单元的薄膜电阻从13Ω增加到10913Ω;通过对器件发射电流的Fowler-Nordheim结分析,可以确定电子发射机理属于场致电子发射。
梁海锋张玉娟
关键词:发射电流场致发射
一种平板显示装置
本发明公开了一种平板显示装置,使用铁电薄膜作为阴极电子发射源,向工作气体中注入电子,激发工作气体发出可见光。该装置包含前后相对的两个玻璃基板,两个玻璃基板以一定的距离隔开,中间充有工作气体并用支撑柱支撑,后基板上制作有铁...
张小宁王辉梁志虎张玉娟刘纯亮封一凡
文献传递
电形成电压波形对表面传导电子发射显示器电学特性的影响
电形成工艺是制造表面传导电子发射显示器(SED)的关键步骤,因此研究电形成电压波形对SED电学特性的影响具有重要意义。本文比较了器件电压分别为幅值渐增波形和等幅波形时SED阴极的电形成过程,发现采用渐增波形时SED阴极的...
王辉张玉娟孟令国刘纯亮梁海锋
关键词:电压波形表面传导电子发射显示器电学特性
文献传递
嵌入聚合物聚苯胺的多孔硅光致发光的研究被引量:5
2008年
分别通过溶液法和阳极电化学腐蚀法制得聚苯胺(PANI)和多孔硅,并用匀胶机涂布法把聚苯胺嵌入到多孔硅中,观察了嵌入前后的样品的光致发光谱。实验结果表明,聚苯胺的嵌入增强了多孔硅的光致发光强度,却不改变其峰位及峰宽,这与现有文献报道的结果有所不同,并对此进行了分析。认为聚苯胺掺入多孔硅中之后,与硅形成了新的键,从而使多孔硅的光致发光得到增强。
张玉娟贾振红司马义.努尔拉吐尔逊.阿不都热依木
关键词:多孔硅光致发光
扩Zn^(2+)多孔硅的光致发光性能
2006年
用快扩散方式把Zn2+掺入到单晶硅中,再用阳极电化学腐蚀方法把样品腐蚀成多孔硅。利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性,结果表明Zn2+的扩散增强了多孔硅的荧光发射,并分别利用扫描电镜和傅里叶变换红外光谱仪研究了多孔硅薄膜的表面形态和样品的红外吸收光谱。
张玉娟贾振红涂楚辙
关键词:多孔硅光致发光
SED电形成过程瞬态响应测量电路被引量:1
2009年
设计并制作了表面传导电子发射显示器(SED)电形成过程瞬态响应测量电路,该电路可以根据电形成过程中SED的阻值自动选择相应的测量电阻来测量SED的瞬态响应并将其记录下来。该电路可测量的SED阻值范围为50~3×105Ω,采样频率最大可达100kHz,量程切换时间为144μs,可以满足SED电形成过程中瞬态响应测量的要求。用该电路成功测量了SED样片在电形成过程中电阻的瞬时值,并给出了SED器件电压及SED电阻的变化曲线。实验结果表明运用该电路可研究电形成的详细过程。
王辉孟令国张玉娟刘纯亮梁海峰
关键词:SED测量电路
阳极氧化电流密度和时间对多孔硅形貌和电子发射特性的影响被引量:3
2012年
为了应用于场发射显示器,采用电化学阳极氧化,快速热氧化和磁控溅射等方法制备出了金属/多孔硅/硅基底/金属结构的多孔硅电子发射体,并运用扫描电子显微镜观察了多孔硅的微观形貌,结果发现多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密度的增加而增加,多孔硅层的厚度随着阳极氧化电流密度和时间乘积的增加而增加。在真空系统中测量了多孔硅的电子发射特性,电子发射的阈值电压Vth随着多孔硅层厚度的增加而增加;最大的发射效率η为7.5‰,此效率出现在孔径6—16nm,多孔硅层厚度为11.06μm的样品中,对应的器件电压Vps为30V。
张玉娟张小宁王文江刘纯亮
关键词:场发射显示器电子发射特性扫描电镜多孔硅阳极氧化
共1页<1>
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