张涛
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术机械工程更多>>
- 磁过滤阴极电弧技术沉积高sp^3键含量四面体非晶碳薄膜的工艺优化研究被引量：5
- 2013年
- 通过对不同基片偏压下磁过滤器电流对四面体非晶碳(ta-C)薄膜sp3键含量影响的研究,探讨了磁过滤阴极电弧技术制备高sp3键ta-C薄膜优化工艺条件。在不同的基片偏压下,薄膜沉积率随着磁过滤器电流增大而增大。当基片偏压为200 V时,磁过滤器电流从5A增大至13 A,ID/IG从0.18增加到0.39;当基片偏压500V时,ID/IG从1.3增加到2.0;证明随着磁过滤器电流的增大,薄膜中的sp3键含量在减少,sp2键及sp2团簇在逐渐增加。研究表明除了基片偏压,ta-C薄膜sp3键含量与制备工艺中磁过滤电流也具有及其密切的关联.因此,基片偏压与磁过滤器电流是ta-C薄膜制备中需要优化的工艺条件。优化和选择合适的基片偏压与磁过滤器电流对ta-C薄膜的大规模工业化生产应用具有极其重要的意义。
- 韩亮张涛刘德连
- 关键词：四面体非晶碳拉曼光谱
- 基片偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响被引量：3
- 2012年
- 利用磁过滤阴极电弧技术,通过改变基片负偏压(0～500 V)制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,研究基片负偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响。研究表明,基片负偏压对ta-C薄膜的sp3键含量有很大影响,当负偏压为200 V时,ta-C薄膜的sp3键含量为85%。在0～200 V范围内随着基片偏压的增大,表面粗糙度逐渐减小,在负偏压为200 V时,薄膜表面粗糙度最小,为0.18 nm左右;当负偏压超过200 V后,由于薄膜中石墨相增多,薄膜表面粗糙度将增大。随着基片偏压的逐渐增大,由于薄膜表面粗糙度的减小和在摩擦中石墨相自润滑层的形成,薄膜的摩擦因数大大降低,耐磨性提高。
- 韩亮张涛刘德连何亮
