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文献类型

  • 12篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇晶体
  • 7篇激光
  • 6篇相位匹配
  • 6篇激光损伤
  • 5篇非线性
  • 5篇波段
  • 4篇损伤阈值
  • 4篇激光损伤阈值
  • 4篇光学
  • 4篇光学晶体
  • 4篇红外
  • 4篇非线性光学
  • 4篇非线性光学晶...
  • 4篇非线性光学系...
  • 4篇倍频
  • 4篇SUB
  • 3篇红外波段
  • 2篇氧化碳
  • 2篇载体硅胶
  • 2篇晶体材料

机构

  • 16篇中国科学院福...

作者

  • 16篇张明建
  • 16篇郭国聪
  • 8篇曾卉一
  • 6篇姜小明
  • 4篇李丙轩
  • 2篇徐忠宁
  • 2篇王明盛
  • 2篇陈青松
  • 2篇王志巧
  • 2篇陈毓敏
  • 2篇刘勇
  • 2篇李淑芳
  • 1篇黄锦顺
  • 1篇郭胜平
  • 1篇王观娥
  • 1篇郭金双
  • 1篇徐刚

传媒

  • 1篇第十二届固态...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
红外非线性硫属化合物Ln3Ga1.66S7的合成和表征
<正>红外非线性晶体材料是非线性光学材料领域的研究难点和前沿方向之一。通过红外非线性晶体材料可以将特定波长的激光拓展到红外波段,以达到军事通讯、民用等各方面应用的目的。其中,
张明建赵中燕姜小明郭胜平郭国聪
关键词:硫属化合物晶体结构
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制备单斜相Ga2S3晶体的方法
本发明提供一种制备单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>的方法。该方法包括如下步骤:Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、B和S按照1:2:3的摩尔比例混合研磨,压片装入真空石英管...
张明建郭国聪
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一种非线性光学晶体材料、其制备方法及应用
本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能,倍频强度可达同粒度AgGaS<Sub>2</Sub>的9.3倍,且满足I类相位匹配。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS<...
张明建郭国聪曾卉一刘彬文刘勇李丙轩
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一种用于二氧化碳催化转化的负载型纳米催化剂及其制备方法和应用
本发明公开了一种用于二氧化碳催化转化的负载型纳米催化剂,包含活性组分纳米Cu颗粒、载体硅胶和任选地助剂。以载体的质量计,活性组分纳米Cu颗粒的百分含量为1-40%,助剂的百分含量小于等于20%。活性组分纳米Cu颗粒的平均...
王志巧郭国聪徐忠宁张明建彭思艳陈毓敏陈青松王明盛
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单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体的制备方法及其在光学上的应用
本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法,包括如下步骤:Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、B和S按照1:2:3的摩尔比例混合研磨,压片装入真空石英管,以30~40℃/h的速率升温至850-980...
张明建郭国聪曾卉一姜小明范玉航刘彬文
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非线性光学材料功能基元的结构设计
<正>我国在非线性光学材料研究领域处于世界领先地位,目前探索新型中远红外非线性光学材料是该领域的一个重要前沿和热点方向。非线性光学材料以提高阴离子基团的非线性极化率为主要结构设计思路,如阴离子基团理论。我们率先提出以共同...
姜小明张明建曾卉一郭国聪黄锦顺
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一种红外非线性光学晶体材料、其制备方法及应用
本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能,倍频强度(粒度50‑100微米)可达同粒度AgGaS<Sub>2</Sub>的1~3倍。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGa...
张明建郭国聪曾卉一范玉航李淑芳李丙轩
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Ga2S3的非线性及Al的掺杂调控
张明建姜小明郭国聪
关键词:ALNLO
单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体的制备方法及其在光学上的应用
本发明提供一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。所述单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>6</Sub>晶体的空间群为Cc,单胞参数为<Imag...
张明建郭国聪曾卉一姜小明范玉航刘彬文
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单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体在光学上的应用
本发明提供一种单斜相Ga<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>晶体可作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数,倍频信号约为KTP的0.7倍,且在1910 nm处相位匹配,在1064 ...
张明建郭国聪
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共2页<12>
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