张小平
- 作品数：12 被引量：10H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信建筑科学医药卫生更多>>
- 基于功能分区的高校教育用地集约利用评价研究——以北京大学燕园校区为例
- 为实现社会主义现代化建设三步走的宏伟目标，长期以来国家始终把教育和科技作为兴国之基础的方略，并为此提出诸多的发展战略和相应的工程。1999年党中央国务院按照“科教兴国”战略部署，做出高等教育大扩容的重大决定，随即提出“建...
- 张小平
- 关键词：城市规划集约利用
- 基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征
- 2007年
- 通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点。采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型。
- 马圆尤力平张小平俞大鹏
- 钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构
- 2000年
- 张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳
- 关键词：显微形貌
- 用高分辨显微技术对钴铬垂直磁化薄膜作微、磁结构研究
- 用电子束蒸镀和二极直流溅射方法分别制作了钴铬垂直磁化薄膜：1.用VSM等方法作了磁性等测量。证明蒸镀和溅射两种方法都能制备出优质钴铬垂直磁化薄膜；2.用高分辨透射电镜作了晶粒形貌、选区衍射和能谱分析，揭示了Co-Cr垂直...
- 潘国宏张小平雷晓均王勤堂孙允希孙玉秀田芳
- 关键词：磁结构微结构
- 文献传递网络资源链接
- 蓝宝石衬底上GaN/Al_xGa_(1-x)N超晶格插入层对Al_xGa_(1-x)N外延薄膜应变及缺陷密度的影响被引量：9
- 2008年
- 室温300 K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到AlN的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料。高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配。因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂。GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法。研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到。AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到。对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4 nm/4 nm,5 nm/5 nm,8 nm/8 nm的GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5 nm/5 nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小。在保持5 nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8 nm,即十个周期的5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变。由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果。透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变。
- 周绪荣秦志新鲁麟沈波桑立雯岑龙斌张国义俞大鹏张小平
- 关键词：超晶格
- 钴铬垂直磁化膜的显磁化膜显微形貌和磁畴结构
- 张小平潘国宏雷晓钧孙玉秀
- 关键词：显微形貌
- 文献传递
- 钴铬垂直磁化膜的高分辨显微学研究
- 钴铬薄膜是垂直磁化薄膜的基本品种。国内外研究多限于宏观测试和某些典型的微观分析。结晶结构则认为是非磁铬在磁性钴晶粒间界析出隔离形成钴单畴颗粒的观点。对薄膜结晶结构与磁畴结构关系及其机理的高分辨显微学研究则极少见。本文正是...
- 潘国宏张小平孙允希王勤堂孙玉秀
- 关键词：磁化强度微磁学
- 文献传递
- 钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构
- 张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳
- 文献传递
- 钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构
- 张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳
- 完全饥饿状态下大鼠肠屏障功能变化及谷氨酰胺干预作用的实验研究
- 张小平
- 关键词：肠粘膜饥饿谷氨酰胺胃肠外营养
