席仕伟
- 作品数：25 被引量：40H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科技发展基金中国工程物理研究院科学技术发展基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>
- 一种全金属电容极板微加速度传感器
- 本发明提供了一种全金属电容极板微加速度传感器。所述的传感器为三层全金属结构，包括动极板和上、下固定极板；其中，动极板包含锚点、质量块、悬臂梁、框架。其连接关系是，所述的锚点与悬臂梁固定连接；悬臂梁和质量块固定连接，构成敏...
- 唐彬席仕伟姚明秋程永生李玉萍王旭光沈朝阳谭刚
- 文献传递
- 离子束增强沉积技术被引量：7
- 2002年
- 采用离子束增强沉积 (IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构 ,比采用电子束蒸镀钛 铜多层膜结构工艺简单 ,且不增加光刻腐蚀工艺难度 ,铜膜沉积于低表面粗糙度 (Ry≤ 0 .1μm )的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜 基附着力。实验证明
- 席仕伟何锦涛
- 关键词：离子源镀膜工艺氧化铝陶瓷基片
- 一种用于微结构制造的全干法刻蚀硅溶片制备方法
- 本发明公开了一种用于微结构制造的全干法刻蚀硅溶片制备方法，属于微电子机械系统（MEMS）加工技术领域。本发明的制备方法采用以下加工步骤：(a)玻璃电极制备；(b)硅台阶和微结构制备；(c)玻璃-硅静电键合和硼硅玻璃划槽；...
- 施志贵席仕伟张茜梅刘娟王亚军
- 一种全集成冲击片点火器及其制备方法
- 本发明公开了一种全集成冲击片点火器及其制备方法，属于火工品技术领域。它基于微电子机械系统(MEMS)加工技术，在桥箔、飞片、加速膛和反射片的加工过程中同时完成了装配，有利于提高器件的装配精度，而且具备集成电路并行加工的特...
- 施志贵席仕伟杨黎明张茜梅刘娟唐海林
- 文献传递
- ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作被引量：3
- 2013年
- 传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。
- 陈颖慧郑英彬席仕伟唐彬王旭光张慧
- MEMS气体流量传感器的简易流量测试装置被引量：4
- 2014年
- 为了完成所研制的MEMS气体流量传感器样品的流量测试与标定,设计制作了一种由标准流量发生器和传感器信号读出与数据采集电路组成的简易流量测试装置。标准流量发生器由注射器和可更换的砝码组成,利用不同的砝码配重,在注射器出气口产生合适的恒定气体流速。通过理论分析和Ansys有限元数值仿真,验证了简易标准流量发生器的可行性。传感器信号读出与数据采集电路基于内建多路A/D转换器的单片机实现,具有传感器加热电阻器的恒温控制、流量信号的数字检测和显示的功能。采用该简易流量测试装置对自行研制的MEMS气体流量传感器进行了流量测试与标定,获得了待测器件的标定参数、传感器流量测量的绝对误差和相对误差。
- 高杨代富席仕伟刘婷婷
- 关键词：微机电系统气体流量传感器有限元分析
- 无掩膜腐蚀与伺服型电容式微加速度计被引量：3
- 2009年
- 为了解决"三明治"这类微器件制作的深窄槽结构成型问题,运用无掩膜湿法腐蚀技术,成型悬臂梁雏形后再成型质量块,较好地实现了悬臂梁与质量块同时准确成型,研制出±70 g和±5 g两种不同量程的微加速度计。样品测试表明,利用这项技术所制作的微加速度计相对精度皆优于1×10–4。其中,±70 g量程的残差可控制在7 mg以内,非线性可达0.02%;±5 g量程的残差在0.4 mg左右。
- 袁明权彭勃赵龙武蕊唐海林席仕伟谭刚
- 关键词：微电子机械系统微加速度计微机械加工残差
- 一种全集成冲击片点火器及其制备方法
- 本发明公开了一种全集成冲击片点火器及其制备方法，属于火工品技术领域。它基于微电子机械系统(MEMS)加工技术，在桥箔、飞片、加速膛和反射片的加工过程中同时完成了装配，有利于提高器件的装配精度，而且具备集成电路并行加工的特...
- 施志贵席仕伟杨黎明张茜梅刘娟唐海林
- 文献传递
- 一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液
- 本发明提供了一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液。所述的刻蚀方法首先在单晶硅片表面通过热氧化方法生长一层氧化硅，再通过光刻方法在单晶硅片表面形成待刻蚀图形，随后将单晶硅片上待刻蚀图形表面的氧化硅腐蚀干净，之后将单晶硅片浸入加热后的...
- 姚明秋唐彬杨杰席仕伟
- 文献传递
- 一种八梁对称硅微加速度计
- 本发明提供了一种八梁对称硅微加速度计。所述电容式微加速度计从上到下包括上硅电极板、敏感芯片和下硅电极板三部分。敏感芯片为“质量块—悬臂梁”微结构。悬臂梁总共八根，对称分部在质量块四周，质量块处于中间水平位置。质量块厚度和...
- 唐彬谢国芬席仕伟程永生张德姚明秋
- 文献传递
