屠晓光
- 作品数：17 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种纳米尺寸空气槽的制作方法
- 本发明提供了一种纳米尺寸空气槽的制作方法，包括：光刻步骤，在顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底表面，利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上，控制图形的最小线条尺寸在纳米量级；刻蚀步骤，采用光刻胶作掩模，利用干法刻蚀技术对顶...
- 屠晓光陈少武
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- 硅基微纳光波导损耗特性的表征技术
- 微纳光波导的基本功能是实现光波的低损耗传输,是芯片光互连的基础,其传输损耗是评价微纳光波导加工质量和传输性能的基本指标。微纳光波导由于其尺寸比常规光波导小1～2个数量级,光耦合的难度和不确定性都很大,造成传输损耗的测量相...
- 陈少武徐学俊屠晓光
- 关键词：传输损耗
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- SOI亚微米波导光栅的设计与制作被引量：1
- 2010年
- 报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果。提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本。实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术,结合图形补偿等技术手段,完成了亚微米波导光栅的制作。光栅周期为350nm,占空比16∶19。采用该光栅做反射镜,制作了法布里-珀罗(F-P)谐振腔,经测试得到了与模拟相吻合的结果,峰谷比达到11dB。
- 孙阳徐学俊屠晓光陈少武
- 关键词：电子束光刻光子集成
- 硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
- 本文讨论硅基微钠光子器件制备过程中涉及的几个导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密问题.这些问题影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的...
- 陈少武屠晓光余和军樊中朝徐学俊余金中
- 关键词：CVD
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- 硅基微纳波导载流子注入高速电光开关的设计制备
- 硅基微纳波导高速电光开关是实现芯片光互连的关键性光子器件，PIN载流子注入型电光开关具有调制效率高、制备工艺相对简单的优点。本文报道在SOI材料上设计制备的微纳波导MZI结构载流子注入高速电光开关，开关响应时间为几纳秒，...
- 陈少武徐学俊屠晓光
- 关键词：电光开关载流子注入
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- 一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法
- 本发明涉及光子学技术领域，特别是一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法。由SOI衬底，电极，双栅氧化层，多晶硅波导层以及氧化硅包层构成，对称的MOS并联电容结构构成了器件的有源区，电极和重掺杂多晶硅层形成良好...
- 屠晓光陈少武
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- 利用保偏光纤马赫-曾德(MZ)干涉仪测量薄膜材料电光系数(英文)被引量：1
- 2007年
- 利用保偏光纤MZ干涉仪测量了光学各向异性薄膜材料的电光效应.与传统MZ干涉仪相比,该干涉仪中所有的部件都采用保偏光纤进行连接.光源采用一个偏振输出最大功率为10mW的DFB激光器,用以得到高的信噪比.用该激光器测量超晶格材料的电光系数,同时用GaAs,KTP和GaN材料作为对比材料.测量的电光系数和已有结果有较好的可比性.
- 屠晓光赵雷陈平陈少武左玉华余金中王启明
- 关键词：电光效应保偏光纤
- 硅基GHz高速电光调制器研究进展被引量：5
- 2006年
- 硅基高速电光调制器是新一代密集波分复用系统和光时分复用系统中的关键光电子器件,他的运用可以降低光通讯系统的制作成本并且大大有利于未来的硅基光电集成.目前国际上已经实现的硅基高速电光调制器件的调制速率已经超过6GHz.文章对国外硅基高速电光调制器的最新研究进展进行了介绍,评述了各种基于不同电学和光学结构的硅基电光调制器,对不同类型器件在制作和应用中的优缺点进行了比较.
- 屠晓光陈少武余金中
- 关键词：电光调制器
- SOI光波导电光调制器研究
- SOI光波导器件是硅基光通讯领域的核心部件，其高性能以及大规模集成一直以来都是国际同行追逐的研究热点。特别是20世纪末，随着微纳加工技术领域的不断革新，微小尺寸光波导器件的制作工艺日趋成熟。在此基础上，亚微米尺寸的光波导...
- 屠晓光
- 一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法
- 本发明涉及微纳米加工技术领域，公开了一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法，该方法包括：A、在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术，将曝光图形转移到光刻胶掩膜上，控制图形最小线条尺寸在纳米量级；B、以光刻胶为掩模，采用电...
- 屠晓光陈少武
- 文献传递
