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孙辉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学信息科学技术学院电子学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇石墨
  • 1篇N^+
  • 1篇场发射
  • 1篇场发射特性
  • 1篇场发射阵列

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇孙辉
  • 1篇王玮玮
  • 1篇于利刚
  • 1篇张耿民

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氮离子轰击改善胶体石墨薄膜平面场发射特性的研究
2007年
研究了氮离子（N^＋）轰击对石墨薄膜场发射特性的影响。片层石墨被N^＋轰击成较整齐排列的锥尖阵列,尖端密度-10^8cm^-2。XPS谱证实有许多N原子注入薄膜,膜内存在大量sp2杂化轨道键。场发射测试表明,经过N＋轰击,整个薄膜在场发射的均匀一致性方面有较明显的改善,场发射电流密度从0.3增大到1.65 mA/cm^2。
王玮玮孙辉于利刚张耿民
关键词：石墨场发射阵列
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共1页<1>
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