唐新峰
- 作品数：130 被引量：386H指数：14
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>
- Ba和Ce两种原子复合填充Ba_mCe_nFeCo_3Sb_(12)化合物的合成及热电性能被引量：13
- 2004年
- 用多步固相反应法结合熔融法合成了单相的两种原子复合填充的p型方钴矿化合物BamCenFeCo3Sb1 2 .并探索了两种原子复合填充对其热电性能的影响规律 ,研究结果表明在相同填充分数时BamCenFeCo3Sb1 2 化合物的电导率介于单原子BamFeCo3Sb1 2 和CenFeCo3Sb1 2 填充的化合物之间 ,随Ba,Ce填充分数的增加 ,电导率下降 ;当填充分数相同时 。
- 罗派峰唐新峰李涵刘桃香
- 关键词：方钴矿晶格热导率热电材料
- B掺杂Si_(80)Ge_(20)合金的快速制备及热电性能被引量：2
- 2011年
- 采用电弧熔炼、快速球磨结合放电等离子烧结快速制备了单相Si80Ge20Bx(x=0.5、1、1.5、2)热电材料,对烧结后试样进行了物相结构分析和热电性能表征。结果表明,B的引入导致样品载流子浓度增加,电导率随着B掺量增加而大幅增加,而Seebeck系数反之下降。B的固溶增加试样中点缺陷浓度而导致声子散射增加,热导率下降明显。当x=1时,样品在1000K获得最大ZT值0.78。
- 罗文辉李涵郝文胡小龙唐新峰
- 关键词：电弧熔炼放电等离子烧结热电性能
- 基于熵工程及SHS动力学的BiAgSeS本征低热导率起源探究被引量：4
- 2021年
- 探索热电材料的超快速制备技术并优化其性能具有重要意义。本研究通过自蔓延高温合成技术快速制备得到BiAgSeS化合物。动力学过程研究表明,Bi熔化是激活并触发原料混合物发生自蔓延反应的关键,非平衡过程中产生的高浓度纳米及原子尺度应力应变区与螺旋位错为材料生长提供了永不消逝的台阶源,并在材料等离子体活化烧结致密化过程中进一步主导晶粒长大,最终在材料晶界处留下大量纳米孔洞。相比于传统熔融法结合等离子体活化烧结技术,本技术制备的材料的电导率略有提高,晶格热导率则下降约6%,最终材料ZT值在整个温区均有提高,并在773 K时取得最大值0.5。
- 杨东旺罗婷婷罗婷婷苏贤礼唐新峰
- 关键词：自蔓延高温合成孤对电子
- 快速非平衡技术制备ZrNiSn及其纳微结构与热电性能
- 2021年
- 利用外加引火剂的自蔓延高温合成(SHS)反应形成的"化学反应加热炉"引发ZrNiSn的SHS反应,在反应物坯体处于红热软化状态下快速加压制备得到致密的ZrNiSn块体。对材料物相及微结构进行表征,并对热电性能进行测试。结果表明:ZrNiSn内部存在大量纳米晶核和高浓度位错群及应力起伏区,极大地增强了声子散射,显著减小了声子平均自由程,进而降低了晶格热导率,并且热电性能得到优化,在873K时,ZT值为0.54。
- 杨东旺罗婷婷苏贤礼鄢永高唐新峰
- 关键词：自蔓延高温合成热电
- 表面修饰工程协同优化Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的界面性能
- 2022年
- 热电器件微型化对组成热电元件的界面性能提出了更高要求,获得低的界面接触电阻率和高的界面结合强度的异质结合界面,是成功制备高性能、高可靠性Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的前提条件.本研究采用酸洗方法对Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)材料进行表面修饰,实现了Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)Te3/Ni热电元件界面性能的协同优化.酸洗过程有效调控了Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)材料的表面功函数,显著降低了Ni层与Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)Te_(3)材料间的接触势垒,从未酸洗处理的0.22 eV降至0.02 eV,势垒的降低使界面接触电阻率从未酸洗处理的14.2μΩ·cm~2大幅降至0.22μΩ·cm~2.此外,酸洗过程还能有效调控基体表面粗糙度,在基体表面形成2—5μm的V型凹坑,产生钉扎效应,极大地增强了材料表面与Ni层的物理结合,与约50 nm厚Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)界面扩散反应区形成的冶金结合共同作用,使界面结合强度从未酸洗处理的7.14 MPa大幅增至22.34 MPa.这种优异的界面性能在微型热电器件中得到了进一步证实,采用该工艺处理后热电元件制备的4.7×4.9 mm~2微型热电器件,在热面温度300 K下的最大制冷温差达到56.5 K,在10 K温差下最大输出功率达到882μW.该研究为实现界面性能的协同优化提供了一种新策略,并为微型热电器件的性能优化开辟了新途径.
- 唐昊白辉吕嘉南华思恒鄢永高杨东旺吴劲松苏贤礼唐新峰
- 关键词：界面结合强度
- Zn掺杂n型笼合物Ba_8Ga_(16-2x)Zn_xGe_(30+x)的热电传输特性被引量：6
- 2008年
- 用高温熔融结合放电等离子烧结法制备了Zn掺杂单相n型Ba8Ga16-2xZnx Ge30+x笼合物,探索了Zn对Ga的取代对其热电传输特性的影响规律.研究结果表明,n型Ba8Ga16-2xZnxGe30+x化合物的电导率随着x的增加逐渐增大,Seebeck系数随着x的增加而逐渐减小.当Zn完全取代Ga时,Ba8Zn8Ge38化合物的电导率反而急剧下降,Seebeck系数显著增大.Ba8Ga16-2xZnxGe30+x化合物的载流子迁移率随着温度的升高而降低,当Zn掺杂后,化合物的载流子迁移率有一定的增加,随着x的增加而逐渐增大.Ba8Ga16-2xZnxGe30+x化合物的热导率和晶格热导率变化规律类似,随着x的增加先减小后增大.在所有n型Ba8Ga16-2xZnxGe30+x笼合物中,Ba8Ga8Zn4Ge34化合物的ZT值最大,在1000K时其最大ZT值达0·85.
- 熊聪邓书康唐新峰祁琼张清杰
- AgSbTe_2热电化合物的超声化学法合成被引量：2
- 2010年
- 采用超声化学法结合还原热处理合成了单相的AgSbTe2粉体,并结合放电等离子烧结（SPS）制备了相应的块体.系统研究了不同前驱体制备条件、热处理温度、时间和起始化学计量比对相组成的影响,并对烧结块体的热电性能进行了初步研究.结果表明：超声化学法合成的前驱体在500℃、2h还原热处理后可以得到近单相的AgSbTe2,且通过调节起始原料的摩尔比可以得到单相的AgSbTe2.所得粉体颗粒平均粒径约为10μm,表面均匀分布着20-50nm的纳米颗粒.性能测试表明单相样品的无量纲热电优值ZT值在570K最大可达1.14.
- 徐静静杜保立张文浩唐新峰
- 关键词：超声化学法热电材料
- 快速急冷法对β-Zn_(4+x)Sb_3材料热电及力学性能的影响被引量：1
- 2010年
- β-Zn4Sb3是一种重要的中温热电材料,但其较差的力学强度和可加工性限制了其实际应用.本文采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术快速制备了一系列具有高热电性能和高力学强度的β-Zn4+xSb3块体材料.通过调节Zn的含量,优化了其热电性能,随着Zn含量的增加,电导率增大,Seebeck系数有所下降,热导率增加.在700K时,Zn4.32Sb3样品的ZT值达到1.13,相比熔融法制备的样品提高了约40%.该制备方法所得到的样品具有极高的抗压强度,与熔融法制备的样品相比较,所有样品的抗压强度均提高了一倍以上,这种高热电性能和高力学强度的β-Zn4+xSb3块体材料具有很好的应用前景.
- 戚德奎鄢永高李涵唐新峰
- 关键词：纳米微结构热电性能抗压强度
- 熔体旋甩法制备Sr_8Ga_(16)Ge_(30)笼合物的微结构及热电性能
- 2011年
- 将熔体旋甩法(MS)用于制备Ⅰ-型Sr8Ga16Ge30笼合物,研究了MS对Sr8Ga16Ge30笼合物微结构及热电性能的影响。结果表明,MS得到的Sr8Ga16Ge30薄带自由面晶粒尺寸随冷却速率的增加而减小,接触面未有明显结晶现象。薄带经SPS烧结得到的致密块体结构中存在大量精细的层状结构。与熔融+SPS制备的试样相比,熔融+MS+SPS制备的Sr8Ga16Ge30试样的电导率变化不大,Seebeck系数增加,热导率显著降低,其中铜辊转速为4 000 r/min的Sr8Ga16Ge30试样的ZT值在800 K达到0.74,相对于熔融+SPS试样提高了45%。
- 曹卫强高俊岭唐新峰
- 关键词：微观结构热电性能
- 制备工艺对n型Bi_2Te_3基材料热电性能和抗压强度的影响被引量：5
- 2010年
- 以商用区熔(ZM)n型Bi2Te3基材料为原料,采用简单研磨结合放电等离子烧结技术(ZM+SPS)和熔体旋甩(MS)结合放电等离子烧结技术(MS+SPS)制备了n型Bi2Te3基块体热电材料.对三种不同工艺制备出样品的微结构、热电性能和力学性能进行了研究.FESEM微结构表征结果表明:区熔样品的晶粒粗大,有较强的取向性;经SPS烧结后,晶粒细化,取向性大为降低;而区熔样品经MS+SPS后,晶粒得到进一步细化,且没有明显的取向性.对三组样品进行的热电性能和抗压强度测试,结果表明:区熔原料最大ZT值为0.72(430K),抗压强度仅为40MPa;经SPS后,样品的最大ZT值为0.68(440K),抗压强度为110MPa,相比区熔样品提高了175%;MS+SPS样品的最大ZT值为0.96(320K),其室温ZT值相比区熔样品提高了64%,抗压强度相比区熔样品提高了400%,达到200MPa.
- 王善禹谢文杰唐新峰
- 关键词：碲化铋热电性能抗压强度
