周凤林
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>
- 半导体中深能级的磁光关联效应
- 1993年
- 利用掺金硅p^+n结样品,测出样品的深能级谱后研究磁场对深能级的影响。发现磁场使能级变浅,能级越深改变越小。如对样品再施以光注入,研究深能级在磁场及光注入下的关联效应,发现谱峰有较大的移动并显著加宽。
- 周凤林王永生杨茂田
- 关键词：深能级定域能级磁光效应半导体
- NY-1型电化学C-V自动测试仪的研制被引量：3
- 1992年
- NY-1型电化学C-V自动测试仪是用于半导体外延层载流子浓度纵向分布的测量。由电解液/半导体结电容的测量获得载流子浓度。由结电容及腐蚀时流过结的电量可获得对应的深度。交替进行电容、电流测量即可获得载流子浓度纵向分布。该测试仪将电容电流测量、数据处理、结果输出等测试过程由计算机自动进行。已成功地在沪、杭、宁多家用户的砷化镓外延片进行测量并通过江苏省科委的鉴定。鉴定委员会认为“NY-1型电化学C-V自动测试仪”总体设计与单元设计合理。电化学室、恒电位仪、光照系统等单元性能良好。整机各部分工作协调、性能稳定,在国内处于领先地位,已成功地用于砷化镓外延片的测试。对载流子浓度10^(15)～10^(19)cm^(-3)砷化镓材料的分析结果与进口设备PN4200型的分析数据基本相同,可满足实用要求代替进口。本文除对该测试仪的原理、软件及硬件进行描述分析外,还对电解液/砷化镓结特性进行了研究。
- 周凤林龚建荣王永生
- 关键词：电化学C-V自动测试仪载流子
- 电解过程的瞬态现象
- 1990年
- 本文研究了铅锡合金(重量百分比40:60)在KOH溶液中电解过程的瞬态特性,提出了电荷输运的电畴模型来说明实验现象的机理。
- 周凤林王永生龚剑荣
- 关键词：铅锡合金电解过程瞬态性能
- 半导体中深能级的磁光关联效应
- 1990年
- 本文以掺金硅为样品,研究了在光注入时磁场对样品中深能级的影响,以及磁场方向改变对深能级的影响等问题,并在理论上对这些问题加以探讨.
- 周凤林王永生
- 关键词：半导体磁光效应深能级
- 日地月三体系统的有序结构
- 1993年
- 一、引言众所周知,两体问题可以用牛顿运动定律详尽地求解,但是三体问题至今还未能一般地解出。月亮在地球引力场中运动,由于受大质量太阳的摄动,致使月亮运动理论成为天体力学中最困难的问题。虽然月亮运动的摄动理论可以给出与观测事实高度吻合的月亮位置,但是在复杂而繁琐的数值订算的背后。
- 王永生周凤林袁宏
- 关键词：太阳地球月亮
- 电化学C—V仪的原理、结构及应用
- 1991年
- 本文叙述NY-1型电化学C-V自动测试仪的原理、结构、硬件和软件系统。以及对GaAs材料选用的电解液、电解液/GaAs结特性以及测试结果等问题.
- 周凤林龚建荣王永生
- 关键词：电化学C-V法自动测试仪
- InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究
- 1991年
- 本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10^(11)eV^(-1)·cm^(-2),τ_1=2.2×10^(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV^(-1)·cm^(-2),τ_Q=1.5×10^(-2)
- 王永生周凤林
- 关键词：INGAASP/INP异质结C-V测试
- AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究
- 1989年
- 用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.
- 周凤林王永生龚剑荣
- 关键词：外延层
- 二极对管的变频C—V和G—V研究
- 1991年
- 用自制的变频C-V和G-V测试系统研究了二极对管的C-V特性及其随频率变化的关系.发现结电容随频率的降低而明显增大,并伴有反常的尖峰出现.分析表明,半导体中的深能级杂质在低频下对结电容有显著影响.本文中还探讨了结电导—电压特性以及结电导对结电容测量的影响.
- 王永生周凤林
- 关键词：变频二极管C-V
- TP801单板机与EN-P1090打印机的配接
- 1989年
- 本文讨论TP801单板机与EN-P1090打印机的配接问题,介绍通过 TP801-PIO口与打印机连接的一种实际使用的接口电路以及对应的软件实现过程。
- 龚剑荣周凤林
- 关键词：单板机打印机接口
