吴克
- 作品数：26 被引量：28H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教委资助优秀年轻教师基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 半连续金属膜在中断蒸镀后的电阻弛豫研究
- 1997年
- 在超高真空的环境中蒸镀半连续铌（Ｎｂ）膜和银（Ａｇ）膜，中断蒸镀后，立即原位测量样品电阻在１０ｍｉｎ内随时间的变化（弛豫现象）。发现Ｎｂ膜和Ａｇ膜分别表现出电阻升高和降低的不同行为，而且基底温度和膜厚对弛豫强度都有较大的影响。分析表明。
- 吴军桥王志军吴克张金龙李传义尹道乐
- 关键词：金属膜
- 固体C_（70）／P型Si接触的电学性质
- 1995年
- 我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ．
- 陈开茅贾勇强吴克金泗轩李传义周锡煌顾镇南
- 关键词：电学性质硅碳70P型异质结
- 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质被引量：4
- 1999年
- 本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是温度倒数的指数函数，通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现，固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．
- 陈开茅孙文红秦国刚吴克李传义章其麟周锡煌顾镇南
- 关键词：氮化镓电学性质
- C_(70)/GaAs异质结的电学性质被引量：2
- 2001年
- 在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触的整流比分别大于 10 6 和 10 4,并且它们的理想因子都接近于 1.当正向偏压固定时 ,它们的电流均是温度倒数的指数函数 ,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为 0 .784和 0 .5 31e V .用深能级瞬态谱 (DL TS)在 C70 / Ga As界面上观察到电子陷阱 E(0 .6 40 e V )和空穴陷阱 H3(0 .82 2 e V) ,以及用电容 -时间 (C- t)技术在固体 C70 中观测到两种空穴陷阱 H4(1.15 5 e V)和 H5 (0 .85 6 e V) .E(0 .6 40 e V)和 H3(0 .82 2 e V)的密度均小于 10 1 2 / cm2 ,可以得出结论 :固体 C70 对 Ga
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南刘鸿飞
- 关键词：光电性质砷化镓碳
- Mg/B多层膜后退火制备MgB2薄膜性质
- 本文研究了后退火温度、时间以及薄膜厚度对于MgB2薄膜性质的影响。首先在A1203(0001)衬底上通过电子束蒸发沉积Mg/B多层膜作为前驱体，然后后退火制备MgB2薄膜。实验发现，900℃高温后退火制备的薄膜样品超导转...
- 刘亮马小柏余增强吴克聂瑞娟王福仁
- 文献传递
- 重温·祭奠·启示——在电影《吴运铎》首映式上的发言
- 2011年
- 值此纪念中国共产党建党90周年之际,电影《吴运铎》在人民大会堂举办隆重的首映式,作为吴运铎的家属,我们的心情非常激动。在此,我谨代表我的母亲陆平,以及家庭的全体成员,向关心、支持这部影片的各级领导,向影片的摄制方、编导、演员和每一位工作人员所付出的辛勤劳动表示深深的敬意!并对影片的成功拍摄表示衷心的祝贺!
- 吴克
- 关键词：首映式电影祭奠人民大会堂演员
- 固体C_(70)/Si异质结的界面电子态被引量：1
- 2000年
- 用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南卢殿通
- 关键词：异质结碳硅
- 高价离子掺入Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O体系对成相和结构的影响被引量：1
- 1990年
- Sunshine等在Bi-Sr-Ca-Cu-O体系中掺入少量Pb^(2+)后,可获得T_(c(0))=110K以“2223”相为主的样品.其后,Shun-ichi、卢伟京等也得到同样的结果,但都需要长达300～500小时烧结,所得到的样品仍含有少量“2212”相、我们拟对Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O体系掺入高价离子,M^(n+)(n≥4),如Sn^(4+),Sb^(5+),Mo^(6+),W^(6+),研究它们对“2223”成相和结构的影响。
- 陈凤翔朱文杰李能林炳雄唐有祺冯庆荣吴克薛立新钟善锦何俊
- 关键词：超导材料
- MgB_2超导材料的薄膜制备及其超导器件的实现
- 2007年
- 报道了采用电子束蒸发技术实现MgB2薄膜制备的实验工作。通过蒸镀B膜和Mg/B多层膜两种前驱体,分别经高温区(～900℃)和中温区(～700℃)退火处理后成功获得了高质量的MgB2薄膜样品。对样品的超导性能、晶体结构和表面形貌进行了详细的测量和表征,并对两类样品性质上所表现出的差异进行了分析。此外,还报道了在薄膜制备基础上利用微加工技术实现的超导微波谐振器的结果。
- 吴克余增强张解东聂瑞娟王福仁
- 关键词：MGB2超导薄膜电子束蒸发微波谐振器
- 固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态被引量：6
- 1998年
- 我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性函数关系，从关系中求出异质结有效势垒高度为０．６３ｅＶ．用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术在Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上观测到一个空穴陷阱，其能级为ＧａＡｓ价带之上０．４５ｅＶ，密度为２．４×１０１１／ｃｍ２．
- 陈开茅陈莹张亚雄金泗轩吴克李传义顾镇南周锡煌刘鸿飞
- 关键词：碳60砷化镓异质结整流特性
