您的位置： 专家智库 > >

刘金平

作品数：12 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇分子束
  • 5篇GSMBE
  • 4篇分子束外延
  • 4篇GESI/S...
  • 3篇异质结
  • 3篇晶体管
  • 3篇硅化锗
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇原子团
  • 2篇锗硅
  • 2篇锗硅异质结双...
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇磷炉
  • 2篇磷烷
  • 2篇晶体管材料
  • 2篇合金
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇硅
  • 2篇GSMBE生...
  • 2篇掺杂

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇刘金平
  • 11篇李建平
  • 11篇孙殿照
  • 11篇孔梅影
  • 9篇刘学锋
  • 7篇黄大定
  • 6篇林兰英
  • 6篇林燕霞
  • 4篇李灵霄
  • 4篇朱世荣
  • 3篇高斐
  • 2篇李灵宵
  • 1篇王玉田
  • 1篇曾一平
  • 1篇邹吕凡
  • 1篇王占国

传媒

  • 5篇Journa...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 6篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi/Si合金
1997年
采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法成功地生长出应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷，既保留了生长中由氢化物裂解产生的氢原子在生长表面上的活化作用（ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｅｆｆｅｃｔ），又利用了固态源炉通过挡板能够迅速切断分子束流的优点。样品的Ｘ射线双晶衍射，透射电子显微镜及光荧光测量表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金具有较好的晶格完整性及平坦的异质结界面。
刘学锋李建平刘金平孙殿照孔梅影王占国
关键词：硅硅化锗分子束外延
高速电路用GeSi/Si外延材料
黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
关键词：
关键词：HBT
SiGe/Si材料气源分子束外延生长、性质及应用
在该论文中,作者研究了SiGe/Si材料的气源分子束外延生长、原位掺杂及应变驰豫 机制,探索了SiGe/Si材料的光学性质.取得了一系列新结果.
刘金平
GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管被引量：5
1999年
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度，我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料，其反向电压为－５Ｖ时，反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．
刘学锋王玉田刘金平李建平李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
关键词：P-N结异质结二极管GSMBE
低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响被引量：2
1999年
为提高外延ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ材料中Ｓｉ发射极的生长速率，研究了Ｓｉ２Ｈ６预热温度对Ｓｉ生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Ｓｉ的生长速率提高了一倍．进一步升温Ｓｉ的生长速率迅速下降．用四级质谱仪对低温Ｓｉ－ＧＳＭＢＥ中Ｓｉ２Ｈ６的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释．
李建平黄大定刘金平刘学锋李灵宵朱世荣孙殿照孔梅影
关键词：硅锗化硅GSMBE热裂解
GSMBE原位生长SiGeHBT材料被引量：6
1999年
采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ 型掺杂浓度２×１０１９～１×１０２０ｃｍ － ３，厚度１００～２００ｎｍ ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ 组分０．０５～０．２０，Ｐ型掺杂浓度５×１０１８ｃｍ － ３，厚度４０～１００ｎｍ ；集电极浓度～１×１０１６ｃｍ － ３．达到了生长ＳｉＧｅ ＨＢＴ 材料的条件．
黄大定刘金平李建平林燕霞刘学锋李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
关键词：双极性晶体管GSMBESIGE
X射线双晶法射表征部分弛豫SiGe/Si(100)合金
林燕霞刘金平黄大定李建平曾一平刘学锋孙殿照孔梅影
关键词：双晶衍射
GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究被引量：1
1998年
用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６～４．０×１０１９ｃｍ－３及１．０×１０１７～２．０×１０１９ｃｍ－３，基于对Ｎ型Ｓｉ外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，我们用Ｋｌａａｓｓｅｎ模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响．此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，Ｎ、Ｐ型杂质浓度纵向分布较为均匀，无明显的偏析现象．
刘学锋刘金平李建平李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
关键词：GSMBE硅化锗掺杂
GSMBE生长SiGe HBT材料的结构与掺杂
黄大定刘金平李建平林燕霞刘学锋李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
关键词：GSMBE生长掺杂SIGEHBT材料半导体材料
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其是用乙硼烷∶磷烷为掺杂剂生长N-P-N双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流，降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少氢对硅生长速率的影响...
黄大定李建平高斐林燕霞孙殿照刘金平朱世荣孔梅影
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0