刘玉荣
- 作品数：117 被引量：82H指数：5
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 聚合物薄膜晶体管的制备及性能被引量：1
- 2009年
- 以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶体管。器件的制备和测试都是在空气环境中完成。该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管饱和特性,器件的载流子迁移率为5.0×10-5cm2/(V.s),开关电流比大于2×103。通过在氮气氛下对聚合物薄膜进行退火处理以及聚合物薄膜沉膜前对二氧化硅表面修饰可以适当地提高器件的载流子迁移率。
- 刘玉荣吴丽明虞佳乐王智欣刘超李堂艳
- 关键词：迁移率退火处理
- 一种增益可调的交叉耦合运算放大电路
- 本发明公开了一种增益可调的交叉耦合运算放大电路，包括差分输入模块、交叉耦合模块和输出缓存模块，差分输入模块由差分输入晶体管对、二极管连接的晶体管对和外加偏置电压的晶体管结构的尾电流源构成，交叉耦合负载模块由交叉耦合连接的...
- 吴为敬陈卓佳刘玉荣
- 文献传递
- 沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响
- 2013年
- 用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。
- 苏晶莫昌文刘玉荣
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管
- 结构参数对Ba_(1-x)La_xTiO_3多功能传感器敏感特性的影响
- 2005年
- 对三种二氧化硅层厚度 (1 0 nm、2 5 nm、40 nm)的器件进行测试 ,研究二氧化硅层的厚度对 Ba1 - x Lax Ti O3多功能传感器敏感特性的影响。结果表明 ,对于 MIS电容传感器 ,氧化层越薄 ,湿敏灵敏度越高 ,湿滞越小 ;相反 ,对于薄膜电阻传感器 ,氧化层越厚 ,光敏灵敏度越高。总之 ,选择一个合适的氧化层厚度 ,器件可以同时具有较高的湿敏、光敏灵敏度。
- 李斌李观启黄美浅刘玉荣陈平
- 关键词：湿敏光敏
- 双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性
- 2022年
- 以环保可降解的天然生物材料制备功能器件越来越受到关注,利用天然鸡蛋清作为栅介质层,采用射频磁控溅射法在其上沉积ZnO薄膜有源层,制备低压双电层氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)并对其电学特性进行了表征,研究了器件在栅偏压和漏偏压应力下电性能的稳定性及其内在的物理机制。该ZnO-TFT器件呈现出良好的电特性,载流子饱和迁移率为5.99 cm^(2)/(V·s),阈值电压为2.18 V,亚阈值摆幅为0.57 V/dec,开关电流比为1.2×10^(5),工作电压低至3 V。研究表明,在偏压应力作用下,该ZnO-TFT器件电性能存在一定的不稳定性,我们认为栅偏压应力引起的电性能变化可能来源于栅介质附近及界面处的正电荷聚集、充放电效应和新陷阱态的复合效应;漏偏压应力引起的电性能变化可能来源于焦耳热引起的氧空位及沟道中的电子陷阱。
- 王聪刘玉荣刘玉荣彭强
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌双电层稳定性
- 一种摩擦纳米发电机及其制备方法
- 本发明公开了一种摩擦纳米发电机及其制备方法。本发明的摩擦纳米发电机的组成包括第一芳纶纤维层、第一银纳米线层、第二芳纶纤维层和第二银纳米线层；所述第一芳纶纤维层与第一银纳米线层贴合；所述第一银纳米线层和第二芳纶纤维层之间设...
- 耿魁伟曹清波刘玉荣姚若河
- 文献传递
- 一种自充电超级电容器
- 本实用新型公开了一种自充电超级电容器。本实用新型的自充电超级电容器的组成包括依次设置的第一柔性基底、第一电极、ZnO压电纳米发电机、第二电极和第二柔性基底，还包括固态电解质；所述第一电极、ZnO压电纳米发电机和第二电极均...
- 耿魁伟龙思屹刘玉荣姚若河
- 文献传递
- 含有电子接收层的摩擦纳米发电机及其制备方法
- 本发明涉及含有电子接收层的摩擦纳米发电机，包括在外力作用下发生接触/分离的正极性摩擦部分和负极性摩擦部分；正极性摩擦部分包括依次设置的第一衬底和第一电极，第一电极同时作为正极性摩擦层；负极性摩擦部分包括依次设置的第二衬底...
- 耿魁伟李徐姚若河刘玉荣
- 文献传递
- 一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器，由柔性基底、有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层、纳米压电薄膜层和上电极层构成；所述有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层构成有机半导体薄膜晶...
- 刘玉荣向银雪姚若河耿魁伟韦岗
- 一种垂直沟道结构双电层薄膜晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种垂直沟道结构的双电层薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管自下而上依次包括衬底、栅电极层、电解质栅介质层、源电极层、半导体沟道层、漏电极，源电极层设置于电解质栅介质层的上方；半导体沟道层设置于源电极层的上...
- 刘玉荣
- 文献传递
