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刘泽东

作品数:10 被引量:9H指数:2
供职机构:重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇APS
  • 3篇移位寄存器
  • 3篇施密特触发器
  • 3篇寄存器
  • 3篇加固方法
  • 3篇感器
  • 3篇SEU
  • 3篇CMOS
  • 3篇CMOS_A...
  • 3篇触发器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电化学
  • 2篇有源像素
  • 2篇直接成像
  • 2篇射线
  • 2篇图像
  • 2篇红外
  • 2篇X射线
  • 2篇成像

机构

  • 10篇重庆大学
  • 1篇中国航天科工...

作者

  • 10篇刘泽东
  • 8篇孟丽娅
  • 6篇胡大江
  • 4篇王庆祥
  • 1篇陈坤
  • 1篇喻依虎
  • 1篇岳陈平
  • 1篇王成

传媒

  • 2篇激光与红外
  • 1篇分析仪器
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇重庆大学学报...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第八届(20...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电化学测试系统集成化中的D/A转换精度
2011年
为了给电化学测试系统的单片集成设计提供D/A转换精度选择的参考依据,本文基于LabVIEW软件平台和NI公司的数据采集卡,开发了一套循环伏安法实验测试系统。该系统可以实现扫描电压的速率、起始点、扫描次数等参数的控制及极化电流和电压的实时显示和存储。程序中模拟了不同D/A转换精度的三角波电压,并配合截止频率可调的低通滤波器滤波之后输出驱动恒电位仪。对不同D/A转换精度和滤波器截止频率的组合分别进行了实验,测得了极化电流和电压。分析了不同D/A转换精度下的极化电流的RMS值和I-V曲线特性;讨论了一个可供电化学测试系统集成设计选择的D/A转换精度和低通滤波器的截止频率范围。
刘泽东孟丽娅Qureshi W A
关键词:测试系统单片集成循环伏安法LABVIEW
CMOS工艺APS阵列的近红外响应及参数分析
2014年
采用DevEdit3D构建了5×5的像元结构模型,在基于Lnuminous 1μm的近红外的照射下,利用Silvaco TCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的增大而增大,随衬底掺杂浓度的增大而减小;像元间串扰程度与像元中心距的大小以及阱深的深度成反比,与衬底掺杂浓度的大小成正比。最后对以上影响的成因进行了理论分析。
王庆祥孟丽娅刘泽东王成
红外焦平面器件开窗寻址电路的设计被引量:1
2012年
基于可综合风格的Verilog HDL技术,采取控制单元与数据通道分离的设计结构,对320×256红外焦平面阵列的开窗寻址电路进行RTL级建模,设计了具有对红外焦平面阵列任意开窗寻址功能和读出顺序可上下左右翻转功能的寻址电路。并在Cadence NC Verilog环境下进行编译与仿真,仿真结果表明整个设计能够实现预期寻址功能,满足IRFPA读出多样化的需求。
胡大江孟丽娅刘泽东
关键词:红外焦平面阵列读出电路VERILOGHDL
基于电流镜的电化学CMOS恒电位仪的设计被引量:1
2011年
设计了一种基于电流镜的三电极电化学传感器CMOS恒电位仪电路,由控制运放、电流镜和单端输出的跨导放大器构成。与传统的恒电位仪相比,该电路结构简单,减少了读出电路的功耗和版图面积,具有较宽的动态范围。在CSMC 0.5μm2PTMCMOS工艺下,用Spectre仿真器对电路进行了模拟,仿真结果表明:传感电流范围为20 pA~20μA,动态范围可达120 dB。
陈坤孟丽娅赖小峰刘泽东胡大江
关键词:电化学传感器恒电位仪电流镜运算放大器
CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法
电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对...
孟丽娅刘泽东胡大江王庆祥
关键词:APS移位寄存器施密特触发器
文献传递
Dog Bone栅型MOS场效应晶体管的等效宽长比计算被引量:2
2013年
Dog Bone栅型MOS场效应晶体管是一种对称性的、防辐射总剂量效应的版图结构。为了计算其等效宽长比,把它划分为常规结构的主MOS晶体管和非常规结构的边缘MOS晶体管2种类型的并联。借助Silvaco TCAD工艺与器件仿真工具构建了它的模型,分析了主MOS晶体管的宽度、长度和边缘MOS晶体管的多晶硅与有源区的交叠宽度对边缘MOS等效宽长比的影响,得到拟合的Dog Bone栅型MOS晶体管等效宽长比的计算公式。采用CSMC 0.5μm DPTMCMOS混合信号工艺制作了样管,对实验测量值和公式计算值进行比较,Dog Bone栅型MOS场效应晶体管的等效宽长比的计算公式与实验能够较好地吻合。
孟丽娅刘泽东胡大江岳陈平喻依虎
关键词:DOGBONEMOS
CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法
电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对...
孟丽娅刘泽东胡大江王庆祥
关键词:APS移位寄存器施密特触发器
文献传递网络资源链接
CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法被引量:1
2012年
电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏感的节点存在于反相器的输入端,反相器的输入阈值电压和输入节点电容决定了其抗SEU的能力。提出了用施密特触发器代替反相器的加固方案,因施密特触发器的电压传输特性存在一滞回区间,所以有更高的翻转阈值,从而可获得更好的抗SEU能力。仿真结果表明,采用施密特触发器的移位寄存器结构较原电路结构的抗SEU能力提高了约10倍。
孟丽娅刘泽东胡大江王庆祥
关键词:APS移位寄存器施密特触发器
X射线直接成像的CMOS有源像素图像传感器研究
基于数字图像传感器的X射线成像仪,由于成像质量良好,能够实时显示以及数字化的存储,如今在医学疾病诊断、工业无损检测、交通安全检查等领域获得了广泛的应用。但是这类用于X射线成像的图像传感器需要一个诸如闪烁体或荧光体的X射线...
刘泽东
关键词:X射线图像传感器有源像素
文献传递
X射线直接成像的CMOS有源像素图像传感器研究1
基于数字图像传感器的X射线成像仪,由于成像质量良好,能够实时显示以及数字化的存储,如今在医学疾病诊断、工业无损检测、交通安全检查等领域获得了广泛的应用。但是这类用于X射线成像的图像传感器需要一个诸如闪烁体或荧光体的X射线...
刘泽东
关键词:X射线CMOS有源像素
文献传递
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