刘士国
- 作品数：57 被引量：96H指数：6
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学机械工程一般工业技术电气工程更多>>
- 掺镁铌酸锂晶体抗光折变微观机理研究被引量：23
- 2003年
- 研究了掺镁掺铁铌酸锂晶体的紫外、可见及红外光谱 ,首次发现当掺镁量超过通常所说的阈值 (第一阀值 )时 ,Fe3+ 离子和部分Fe2 + 离子的晶格占位由锂位变为铌位 ,但仍有部分Fe2 + 离子留在锂位 .晶体缺陷化学分析表明 ,继续增加掺镁量 ,占锂位的Fe2 + 离子数将逐渐减少 ;当掺镁量达到另一个适当的值 (第二阀值 )时 ,全部Fe2 + 都占铌位 ,晶体的抗光折变能力空前提高 ,这种现象称作双阈值效应 .
- 孔勇发李兵陈云琳黄自恒陈绍林张玲刘士国许京军阎文博刘宏德王岩谢翔张万林张光寅
- 关键词：掺镁铌酸锂晶体吸收光谱
- 准确定向切割晶体的方法
- 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较...
- 陈绍林许京军孔勇发李兵孙骞黄晖张玲黄自恒刘士国李冠告张光寅
- 文献传递
- 近化学比铌酸锂晶体制备工艺
- 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变...
- 孙军张玲孔勇发李兵刘士国黄自恒陈绍林许京军
- 文献传递
- 氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途
- 本发明涉及一种氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式为Zn<Sub>2</Sub>BO<Sub>3</Sub>F(NH<Sub>3</Sub>)，分子量为225.66，属于六方晶系，空间群为P6<Sub>3...
- 孙同庆马进勇刘莉娜刘宏德刘士国孔勇发
- 大直径、高掺镁铌酸锂晶体的生长及其紫外光折变性能研究被引量：5
- 2005年
- 我们生长了掺镁量分别为3.0mol%、5.0mol%、7.8mol%、9.0mol%的76mm高掺镁铌酸锂晶体,检测了这些晶体的生长条纹情况,并利用双光耦合配置测试了这些晶体在351nm紫外光下的光折变性能。从实验结果看,采用同成分共熔点铌锂配比的高掺镁铌酸锂晶体生长条纹比较多;虽然高掺镁铌酸锂晶体在可见光波段有很好的抗光折变能力,但是在紫外光下具有良好的光折变性能,可以作为优良的紫外光折变材料使用。同时,实验结果表明,掺镁量在5.0mol%的铌酸锂晶体具有最佳的紫外光折变性能。
- 孙军张玲孔勇发乔海军刘士国黄自恒陈绍林李剑韬许京军
- 关键词：铌酸锂掺镁晶体生长光折变
- 掺铋系列铌酸锂晶体的非线性光学性能研究
- 郑大怀薛丽云曲达刘士国张玲孔勇发许京军
- 掺钼近化学计量比铌酸锂晶体的光折变性能研究
- 2020年
- 通过生长一系列掺钼近化学计量比铌酸锂晶体,研究了晶体的光折变性能,发现在488 nm和532 nm波长辐照下,当Mo的掺入量为0.5mol%时,晶体的光折变灵敏度分别达到0.25 cm/J和0.21 cm/J。此外,极化条件的改变可以缩短晶体在488 nm波长辐照下的光折变响应时间。通过红外光谱、紫外可见吸收光谱和X射线光电子能谱的测试,对掺钼近化学计量比铌酸锂晶体的光折变性能变化的机制进行了研究。
- 薛丽云刘宏德郑大怀Saeed Shahzad于洪刘士国陈绍林张玲孔勇发许京军
- 关键词：近化学计量比铌酸锂晶体全息存储光折变
- 四价掺杂铌酸锂晶体抗光折变性能研究被引量：6
- 2006年
- 我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体。掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级。应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol%)铌酸锂晶体的类似。晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol%时具有明显的阈值特征。由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol%。
- 李树奇刘士国孔勇发阎文博刘宏德邓东灵高光宇李彦波高宏臣许京军
- 关键词：阈值吸收光谱
- 熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺
- 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供...
- 孙军孔勇发张玲许京军阎文博黄自恒刘士国李兵陈绍林李剑韬
- 文献传递
- 等径控制系统的改进及在光学级铌酸锂生长中的应用被引量：18
- 2004年
- 分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素 ,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法 ,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题 ,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果。生长的 76mm直径的铌酸锂晶体 ,生长条纹问题得到很大改善 ,光学均匀性提高了一个量级以上。
- 孙军孔勇发李兵张玲刘士国黄自恒瓮松峰舒永春许京军
- 关键词：铌酸锂控制器
