刘华瑞
- 作品数：24 被引量：21H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究
- 通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能。结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矫顽...
- 刘华瑞任天令刘理天李伟
- 关键词：巨磁电阻自旋阀
- 文献传递
- 磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究
- 2003年
- 通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(103/4π)A/m.研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能的影响.结果表明,Ta为3nm时自旋阀磁电阻率最大,而矫顽力随着Ta厚度增大而减小.利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换偏置场从原来没有SAF的180×(103/4π)A/m上升到600×(103/4π)A/m左右,且交换偏置场随着SAF结构中两层CoFe的厚度差减小而增大.研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2min的RIE能使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响.
- 刘华瑞任天令曲炳郡刘理天库万军李伟杨芝茵
- 关键词：自旋阀巨磁电阻矫顽力
- 顶钉扎自旋阀中缓冲层的优化研究
- 通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矮顽...
- 刘华瑞任天令曲炳郡刘理天库万军李伟
- 关键词：巨磁电阻自旋阀
- 文献传递
- 磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究被引量：3
- 2005年
- 采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/bufferlayer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳。研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了3000Oe强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件。通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.5Oe,交换偏置场超过800Oe。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。
- 欧阳可青任天令刘华瑞曲炳郡刘理天李伟
- 关键词：自旋阀巨磁电阻退火效应
- 基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究
- 通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器。经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为百0.05/4π×103A/m(0.05Oc...
- 刘华瑞欧阳可青任天令曲炳郡李伟刘理天
- 关键词：GMR退火矫顽力
- 文献传递
- 适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究
- 在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法.经过结构的改善和工艺条件的...
- 刘华瑞任天令刘理天库万军
- 关键词：自旋阀巨磁电阻矫顽力磁传感器
- 文献传递
- 适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究
- 在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.分别研究了降低矫顽力和提高交换场的方法.经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋...
- 刘华瑞任天令曲炳郡刘理天库万军李伟杨芝茵
- 关键词：自旋阀巨磁电阻矫顽力
- 文献传递
- 低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究
- 本文采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/free layer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫...
- 刘鹏李伟刘华瑞叶双莉任天令刘理天
- 关键词：自旋阀退火磁传感器磁控溅射
- 文献传递
- 顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究
- 通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矫顽...
- 刘华瑞任天令刘理天李伟
- 关键词：巨磁电阻自旋阀缓冲层
- 文献传递
- 基于模糊神经网络的智能巨磁电阻传感器设计被引量：4
- 2007年
- 在清华大学微纳器件和系统实验室制备了一种高性能的巨磁电阻(GMR)自旋阀。因为该GMR磁传感器的输出呈高度非线性,不利于后端客户的应用,所以设计了一种用于线性校正用途的模糊神经网络(FNN),并以此构建了智能GMR磁传感器系统,通过Matlab仿真试验验证了该方法的有效性。最后,讨论了单芯片系统(SOC)实现该智能GMR磁传感器的可行性,为进一步的系统集成提供了理论基础。
- 张洵靳东明刘华瑞曲炳郡任天令刘理天
- 关键词：巨磁电阻模糊神经网络单芯片系统智能传感器线性校正
