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立方尖晶石C2SiN4和Si2CN4电子结构和硬度的理论研究: 基于密度泛函理论的第一性原理,在广义梯度近似和局域密度近似下,计算了立方尖晶石C2SiN4争Si2CN4的体变模量、切变模量、电子结构和维氏硬度。结果表明,C2SiN4和Si2CN4都属超硬材料,并得出材料的硬度与电子密...; 林琳刘全龙迎春; 关键词：密度泛函理论电子结构维氏硬度; 文献传递

CMOS图像传感器的研究进展被引量：31: 2009年; 20世纪90年代以来,随着超大规模集成(VLSI)技术的发展,CMOS图像传感器显示出强劲的发展势头。简要介绍了CMOS图像传感器的结构及工作原理,详细比较了CMOS图像传感器与CCD的性能特点,讨论了CMOS图像传感器的关键技术问题,并给出了相应的解决途径,综述了CMOS图像传感器的国内外研究现状,最后对CMOS图像传感器的发展趋势进行了展望。; 李继军杜云刚张丽华刘全龙陈建芮; 关键词：光电子学传感器 CMOS图像传感器 CCD

连锁式渗透教学方法在提高毕业设计质量中的应用研究: 2019年; 毕业设计是培养本科学生的一个重要实践性教学环节,作为教学过程中的最后一个教学环节,是前面各个教学环节的继续、深化和提高。系列专业课的教学效果直接影响毕业设计质量,因此如何从改革专业课教学入手提高毕业设计质量是重要的研究课题。围绕提高毕业设计的质量和效率,我们改革了《专业英语》课教学,拓展了专业选修课的种类,加强了科研训练的实用性。几年的教学实践证明连锁式渗透教学方法为毕业设计做好了充分的前期准备,在这些教学环节彼此配合的基础上,毕业设计质量提高了。; 胡秀珍刘全龙杜云刚刘闽华李继军; 关键词：教学方法教学过程

硅锗异质结构界面失配位错应变场分析: 由硅与锗的晶格参数不匹配能制作大大提高电子迁移率的应变硅;但是同时,由于失配能的积累会在二者界面产生失配位错或其他缺陷。为了寻找合适的产生和控制应变硅的方法以及研究硅中应变与失配位错的关系,有必要定量地分析失配位错;此外...; 刘全龙赵春旺邢永明; 关键词：失配位错应变场异质结; 文献传递

立方尖晶石C2SiN4和Si2CN4电子结构和硬度的理论研究: 基于密度泛函理论的第一性原理,在广义梯度近似和局域密度近似下,计算了立方尖晶石C2SiN4和Si2CN4的体变模量、切变模量、电子结构和维氏硬度。结果表明,C2SiN4和Si2CN4都属超硬材料,并得出材料的硬度与电子密...; 林琳刘全龙迎春; 关键词：密度泛函理论电子结构; 文献传递

(Al,Ga,In)和2N择优位向重共掺对ZnO导电性能影响的研究被引量：2: 2014年; 目前,虽然Zn1-xT Mx O1-y Ny(TM=Al,Ga,In)p型掺杂的理论计算研究已有报道,但是,掺杂均是随机的,没有考虑ZnO的非对称性进行择优位向掺杂.因此,本研究采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,构建TM:N=1:2比例择优位向共掺,共设六种不同的Zn1-xT Mx O1-y Ny(TM=Al,Ga,In.x=0.03125,y=0.0625)超胞模型,并分别进行几何结构优化、态密度分布和能带结构分布的计算.结果表明,重掺杂条件下,择优位向共掺后,同类择优位向共掺的体系中,TM-N沿c轴方向成键体系的电导率大于垂直于c轴方向成键体系的电导率.不同类TM-N沿c轴方向成键共掺的体系中,In-N沿c轴方向成键共掺时ZnO的电导率最强,电离能最小,Bohr半径最大,In-N沿c轴方向成键共掺对ZnO p型导电更有利.因此,TM:N=1:2比例择优位向共掺,对设计和制备导电性能更强的ZnO功能材料具有一定的理论指导作用.; 侯清玉刘全龙赵春旺赵二俊; 关键词：导电性能第一性原理

翻转课堂教学在提高研究生科研素养中的作用研究: 2021年; 翻转课堂教学模式具有以学生为中心开展教学的优势,已经成为目前重要的教学改革内容。本文总结了作者在研究生专业课中开展翻转课堂教学改革与实践效果,研究了翻转课堂教学在提高研究生科研素养中的作用。调查问卷显示学生自我认为开展翻转课堂教学有效提高了其分析、解决问题的能力,沟通协调能力等科研素养。对比分析了开展翻转课堂教学的2018级研究生和未开展翻转课堂教学的2017级研究生在读期间的人均论文发表数量,发现人均论文发表数量增加近60%。得出结论是研究生专业课非常适合开展翻转课堂教学,翻转课堂可以有效提高研究生的科研素养,研究成果和实践过程适合兄弟院校和相关学科借鉴。; 刘全龙张海金永军陈介煜; 关键词：专业课

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刘全龙