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刘俊刚

作品数:19 被引量:84H指数:4
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇发光
  • 4篇纳米
  • 4篇红外
  • 3篇电荷耦合
  • 3篇电荷耦合器
  • 3篇电荷耦合器件
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇红外探测
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学沉积
  • 2篇多孔硅
  • 2篇形貌
  • 2篇摄像
  • 2篇摄像器
  • 2篇摄像器件
  • 2篇探测器
  • 2篇退火
  • 2篇凝胶法制备
  • 2篇纳米粉

机构

  • 18篇重庆光电技术...
  • 6篇四川大学
  • 5篇电子科技大学

作者

  • 19篇刘俊刚
  • 6篇龚敏
  • 6篇孙小松
  • 5篇刘爽
  • 4篇杨家德
  • 4篇陈艾
  • 4篇宁永功
  • 3篇张云森
  • 3篇晋勇
  • 3篇杨治美
  • 3篇焦志峰
  • 3篇赵文伯
  • 3篇罗建勇
  • 3篇陈寰
  • 2篇曾天
  • 2篇李平
  • 2篇刘东来
  • 2篇孙玉阳
  • 2篇聂二勇
  • 2篇姜龙

传媒

  • 16篇半导体光电
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇激光与红外

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 3篇1993
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究被引量:1
2001年
用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P Si( 10 0 )上溅射的Pt膜 ,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性。通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响 ,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法 ,制备出 4nm连续薄膜。
刘爽宁永功陈艾刘俊刚杨家德李昆
关键词:红外探测器纳米级退火
用于现代雷达系统的光波导被引量:4
2003年
 介绍了用于现代雷达系统的光波导的基本特性和设计考虑,包括其物理和传输性能。简介光波导的种类,讨论几种常用的光耦合技术和波导材料。指出光波导在现代雷达系统中应用的未来发展方向。
刘俊刚杨清宗
关键词:雷达波导材料
2×455位高速CCD模拟延迟线的研制
1993年
采用二相埋沟结构,研制成了2×455位高速 CCD 模拟延迟线,其动态范围达到46dB,时钟频率超过10MHz。本文详细地叙述器件设计,并对器件的主要参数进行分析讨论。
刘俊刚赵文伯
关键词:模拟延迟线时钟频率延时线
491×384元CCD摄像器件被引量:1
1993年
采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达46dB。本文对该器件的工作原理、设计和制作工艺作了详细的介绍。
刘俊刚
关键词:电荷耦合器件
高分子网络凝胶法制备Eu∶YAG纳米粉体及其表征被引量:2
2014年
利用高分子网络凝胶法制备了Eu∶YAG纳米粉体,样品的性能通过热重-差热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激发谱和发光光谱进行了表征。结果表明,Eu∶YAG纳米晶体的形成温度为900℃,比固相反应法低700℃;Eu∶YAG纳米粉体呈珊瑚虫状形貌,粒径大小为100-150nm;Eu∶YAG纳米粉体的荧光谱在594nm处出现最强发射峰,发光强度随着Eu3+浓度从1at.%增加至5at.%的过程而逐渐增强,在浓度继续由6at.%增加至8at.%的过程中出现了浓度猝灭现象,并讨论了引起该现象的机理原因。
罗建勇陈寰姜龙孙玉阳曾天晋勇焦志峰龚敏刘俊刚孙小松
关键词:形貌发光
室温红外探测用非晶Ti薄膜的制备及表征
2009年
采用快速蒸发并冷却衬底的方法,在不同衬底结构上制备出了电阻温度系数(TCR)优于0.25%的红外探测用非晶Ti薄膜。通过表征分析了氧对薄膜电阻影响,以及组分对其性能的影响。研究表明,Ti薄膜有较强吸附氧能力,低价态的Ti利于红外探测。提出采用保护层和非氧硅化物牺牲层以提高薄膜探测能力。
刘爽陈煦杨亚培熊平刘俊刚
关键词:室温红外探测红外探测材料微测辐射热计非晶薄膜
PtSi薄膜超薄化及连续性研究被引量:1
2000年
减薄膜厚有利于提高 Pt Si红外探测器的量子效率。本文研究了膜厚减薄工艺对薄膜连续性的影响 ,用 XRD观察物相 ,SEM、TEM研究薄膜连续性 ,并给出理论解释。实验表明用混合生长 ( S- K)
刘爽宁永功陈艾刘俊刚杨家德李昆
关键词:超薄膜红外探测器连续性
256×256元IRCCD的设计及灵敏度改善被引量:3
1993年
叙述了256×256元PtSi肖特基势垒红外焦平面的工作原理和设计考虑。器件采用四相ITCCD结构。像元尺寸和填充系数分别为60×50(μm^2)和35%。采用薄金属膜和光腔结构改善了器件的灵敏度。势垒高度为0.22ev,相应的截止波长为5.6μm。在室温目标下,用该器件摄得了较好的红外图像。
刘俊刚
关键词:红外焦平面灵敏度电荷耦合器件
756×581元CCD摄像器件被引量:2
1994年
成功地研制了756(H)×581(V)元内线转移CCD摄像器件。该器件采用三相结构,埋沟和四层多晶硅技术。文章详细介绍了该器件的工作原理、设计考虑和制作技术。
刘俊刚李平
关键词:CCD摄像器件
自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究被引量:5
2009年
用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。
李智伟陈浩宋华冰余洲杨治美高艳丽张云森刘俊刚龚敏孙小松
关键词:多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理
共2页<12>
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