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冯健峰

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇MOSFET
  • 1篇电路
  • 1篇中高压
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇基源
  • 1篇集成电路
  • 1篇高压集成电路
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇硅
  • 1篇侧墙
  • 1篇BCD

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇冯健峰
  • 1篇赵春波

传媒

  • 1篇电子质量

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究
本文对硅基肖特基源漏MOSFET(简称SBSD-MOSFET)进行模拟研究.SBSD-MOSFET用肖特基接触代替了pn结来做MOSFET的源漏区.这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应,能...
冯健峰
关键词：肖特基接触侧墙
文献传递
高压集成电路中高压功率MOSFET的设计
2004年
本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路。
冯健峰赵春波
关键词：高压集成电路MOSFETBCD
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