您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇衍射
  • 2篇无损检测
  • 2篇X射线
  • 2篇X射线衍射技...
  • 2篇ZNS
  • 1篇增透
  • 1篇射线衍射
  • 1篇探测器
  • 1篇探伤
  • 1篇无损探伤
  • 1篇硫化
  • 1篇溅射
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面探测器
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇NH4
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇INSB
  • 1篇磁控

机构

  • 4篇中国航空工业...

作者

  • 4篇傅月秋
  • 2篇陈慧娟
  • 2篇鲁正雄
  • 2篇何英杰
  • 2篇赵岚
  • 2篇郑克霖
  • 2篇王海珍
  • 2篇王武杰

传媒

  • 1篇航空兵器
  • 1篇内江科技
  • 1篇航空精密制造...
  • 1篇中国航空学会...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
焦平面探测器ZnS增透技术研究被引量:1
2009年
在InSb焦平面探测器(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大InSb芯片对红外光的吸收。本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnS膜和SiO膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性。
郑克霖傅月秋王海珍
关键词:ZNS增透磁控溅射
InSb焦平面探测器背面钝化的研究被引量:3
2009年
对N型(111)面的InSb衬底采用两种方法进行钝化处理;一种是直接溅射ZnS,另一种是先用(NH4)2S化学硫化,然后溅射ZnS。C-V测试和器件性能测试表明,在(NH4)2S溶液中进行化学硫化的方法能有效改善ZnS/InSb的界面,这种方法能满足InSb焦平面器件的使用性能。本文还对不同的硫化方法及实验条件进行了对比实验。
傅月秋王海珍郑克霖
关键词:ZNS硫化
X射线衍射技术对InSb材料的无损检测被引量:1
2008年
采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规律;对晶片上不同位置进行了同一衍射面的ω扫描,得到半峰宽度的mapping,此外,还对材料进行了倒易空间(RSM)扫描。测试结果表明InSb材料结晶质量完好,均匀性好,符合制造良好光电器件的标准。
王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄
关键词:INSBX射线衍射
X射线衍射技术对InSb材料的无损检测
运用X射线衍射技术,对InSb材料的结晶质量进行检测,是判定InSb材料质量的重要方法之一。采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规...
王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄
关键词:X射线衍射技术无损探伤半导体材料
文献传递
共1页<1>
聚类工具0