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傅劲裕

作品数:6 被引量:10H指数:3
供职机构:香港城市大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金香港城市大学策略研究基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇放电
  • 2篇电磁
  • 2篇仿真
  • 2篇高功率
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体特性
  • 1篇电磁场
  • 1篇电特性
  • 1篇阴极
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇屏极
  • 1篇脉冲
  • 1篇模拟仿真
  • 1篇功率
  • 1篇放电特性
  • 1篇高功率脉冲
  • 1篇材料表面改性
  • 1篇磁场
  • 1篇磁场补偿

机构

  • 6篇香港城市大学
  • 5篇北京大学

作者

  • 6篇傅劲裕
  • 6篇朱剑豪
  • 2篇潘锋
  • 2篇田修波
  • 2篇吴忠振
  • 2篇肖舒
  • 2篇林海
  • 2篇刘亮亮
  • 1篇谭文长

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇2004年中...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2004
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
筒形高功率脉冲磁控溅射源的开发与放电特性被引量:7
2016年
高功率脉冲磁控溅射以较高的溅射材料离化率及其所带来的高致密度、高结合力和高综合性能成为物理气相沉积领域的新宠,然而其沉积速率低、放电不稳定、溅射材料离化率不一等缺点阻碍了其在工业界的推广和应用.针对高功率脉冲磁控溅射技术固有的缺陷,我们从靶源出发,设计了一种筒形溅射源,将放电限制在筒形溅射源内部,放电不稳定喷溅出的"金属液滴"和溅射出来但并未离化的溅射材料无法被负电位的引出栅引出而影响薄膜沉积,只有离化的溅射材料可以引出并沉积形成薄膜,而电子将在筒形溅射源内部反复振荡,和未离化的溅射原子剧烈碰撞,带动进一步离化.本文通过磁场和放电的模拟发现筒形溅射源内部电子、离子呈花瓣状分布,8条磁铁均匀分布的结构具有最优的靶材利用率.据此开发的筒形溅射源可在高功率脉冲磁控溅射条件下正常放电,其放电靶电流随靶电压变化呈现出高功率脉冲磁控溅射典型的伏安特性特征,复合电流施加后,有明显的预离化作用.溅射"跑道"面积占靶材表面的60%以上,筒形溅射源中心的离子电流波形与靶电流波形类似,但相对靶电流延迟约40μs,数值约为靶电流的1/10.结果证明,筒形溅射源可有效地应用到高功率脉冲磁控溅射放电中,并成为促进其推广和应用的一种新路径.
肖舒吴忠振崔岁寒刘亮亮郑博聪林海傅劲裕田修波潘锋朱剑豪
关键词:模拟仿真放电特性
等离子体注入/沉积(PⅢ&D)对材料表面改性的研究进展
<正>等离子体注入/沉积(PIII&D),由于其具有高的效率与大面积改性等优点,在材料表面改性和薄膜的制备方面有广泛的应用,已发展成为一种非常有效的技术。本文介绍了等离子体注入/沉积(PIII&D)技术在以上几方面的研究...
傅劲裕朱剑豪
文献传递
筒内高功率脉冲磁控放电的电磁控制与优化被引量:5
2017年
高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术被提出以来就受到广泛关注,其较高的溅射材料离化率结合适当的电磁控制,可产生高致密度、高结合力和高综合性能的涂层,但其沉积速率低、放电不稳定、溅射材料离化率差异较大.我们设计了一种筒形溅射源,通过对结构的设计优化,利用类空心阴极放电效应,使问题得到解决.然而其靶面切向磁场不均匀,电子逃逸严重,进而造成等离子体密度偏低,且放电不均匀.本文通过对其放电和等离子体分布进行仿真,提出电场阻挡和磁铁补偿两种方案,研究了不同电场控制条件下的放电行为和等离子体分布.结果表明:增加电子阻挡屏极可以生成势阱,从而有效抑制电子从边缘的逸出;优化后的磁铁补偿可以显著提高靶面横向磁场的均匀性及靶面利用率.两种方案同时作用时,Hi PIMS放电刻蚀环面积更大、且更加均匀.
崔岁寒吴忠振肖舒刘亮亮郑博聪林海傅劲裕田修波朱剑豪谭文长潘锋
关键词:磁场补偿
外扩型电磁场控制筒形阴极内等离子体放电输运特性的仿真研究被引量:8
2019年
筒形阴极由于具有向内放电的特性,可改善高功率脉冲磁控溅射技术放电不稳定、溅射材料离化率差异大等缺陷.然而其产生的等离子体仅能依靠浓度差扩散的方式向基体运动,沉积速率并没有明显改善,尤其是在远离阴极区域.使用外扩型磁场对离子运动进行引导,可实现等离子体的聚焦和远距离输运,从而减少离子损失,提高沉积效率.本文从模拟和实验的角度对磁场的布局与设置进行研究,并获得不同磁场条件下的等离子体空间和时间输运特性及其对薄膜沉积的影响.结果表明电磁场的引入不仅可以大幅提高筒形阴极内等离子体的引出效率,实现不同程度的引出或聚焦,而且对等离子体放电也产生明显的增强或减弱,可根据不同的需求或材料进行精确调控.通过控制磁场,可获得较强的 HiPIMS 放电和较高的沉积速率,实验结果与仿真预测相符合.该工作完善了 HiPIMS 沉积技术在沉积效率上的不足,拓宽了筒形阴极的溅射工艺窗口和适用范围,有助于 HiPIMS 更进一步的推广与应用.
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关键词:电磁场
面向复杂求解域的高效粒子网格/蒙特卡罗模型与阳极层离子源仿真
2023年
等离子体仿真是研究等离子体放电特性的重要手段,特别是阳极层离子源,其放电结构的几何特性对等离子体特性的作用很难通过实验手段进行系统研究.然而,传统仿真模型一般是针对离子源进行整体建模,离子源的阴阳极几何轮廓形成的复杂求解域,导致模型的计算效率和收敛性较差.鉴于此,将离子源结构仿真与等离子体仿真分离,首先利用磁镜原理将离子源内外阴极大小、形状和相对位置等一系列阴极几何参数简化为磁镜比R_(m)和磁镜中心磁感应强度B_(0)两个磁镜参数,并在此基础上,建立了高效粒子网格/蒙特卡罗模型,将收敛时间由1.00μs缩短到0.45μs,大幅提升了计算效率和稳定性.进一步利用该模型系统研究了阳极层离子源放电结构的几何特性对等离子体特性的影响规律,发现R_(m)=2.50,B_(0)=36 mT时磁镜对等离子体约束效果最佳,当放电中心的位置与内外阴极间磁镜中心重合时,不仅能够输出高密度离子束流,同时可大幅减少阴极刻蚀,并保证内外阴极的刻蚀平衡.
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关键词:等离子体特性
筒形溅射阴极的磁场优化及其高功率放电特性研究被引量:3
2021年
基于高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术开发的筒形溅射阴极,配合电磁系统可有效地提升等离子体的输运效率.然而电磁系统的引入反作用于筒内放电特性,从而使靶面放电面积和放电强度无法同时维持.鉴于此,本文通过调整磁场布局,研究了靶面切向(横向)磁场和法向(纵向)磁场对靶面放电的作用规律,优化后靶面切向磁场分布更加均匀,磁场强度高于40 mT的靶面区域占比由51%增至67%,同时法向峰值强度外移,强度由73 mT增至96 mT.采用Ar/Cr体系放电发现:相同工艺条件下,优化后的溅射阴极辉光变亮,靶电流增大,放电面积变宽,放电特性得到显著提升.利用等离子体整体模型仿真和发射光谱仪检测发现优化后离子电流和光谱强度得到明显提升,Cr粒子密度提高一倍,增至2.6×10^20 m^–3,且离化率上升至92.1%,同时输出离子通量提高近一倍,实现了靶面放电与离子输出的双促进.
李体军崔岁寒刘亮亮李晓渊吴忠灿马正永傅劲裕田修波朱剑豪吴忠振
共1页<1>
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