万能
- 作品数：9 被引量：7H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 氧化物半导体薄膜及低维纳米结构的制备与特性研究
- 随着半导体工艺技术的不断提高以及材料科学研究的不断深入,对半导体薄膜以及低维结构的制备与物性研究已成为当今发展最为迅猛的领域之一。其中氧化物半导体薄膜及其低维结构由于在半导体光电子学等领域具有巨大的应用前景而倍受人们的关...
- 万能
- 关键词：氧化物半导体氧化硅薄膜稀土掺杂
- SnO2纳米晶体的制备、结构与发光性质被引量：6
- 2009年
- 使用软化学方法在碱性溶液中制备出了颗粒尺寸分布均匀的SnO2纳米颗粒,使用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和光吸收谱等方法分析与表征了SnO2纳米颗粒的结构和光学性能.实验中通过表面活性剂的加入来控制纳米颗粒的结晶与凝聚.XRD,TEM的结果表明,原始制备出的SnO2纳米颗粒的平均粒径小于4nm,为完好的晶体状态.纳米颗粒经过400—1000℃退火后晶粒尺寸进一步增大.光吸收谱表明,相对于体材料,纳米颗粒的禁带宽度展宽并随颗粒尺寸增大而红移.光致发光谱测试表明,不同温度下退火的SnO2纳米颗粒在350—750nm有较强的发光,研究表明这是来源于颗粒表面的氧空位缺陷发光.
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- 关键词：氧化锡表面活性剂光致发光
- 纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究
- ＜正＞稀土掺杂硅基薄膜由于在未来的全光通讯,全光计算等方面有着诱人的应用前景以及便于与目前的半导体工艺相兼容等优势,近年来得到了广泛的重视和研究。同时,由于稀土掺杂具有发光效率高,发光波长多样,光色纯正,因而在可见光波段...
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- 文献传递
- 一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法
- 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法，属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明，采用本发明的方法可以使稀土离子的...
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- 文献传递
- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
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- 纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究被引量：1
- 2008年
- 用溶胶-凝胶法制得了In2O3纳米颗粒与Eu3+共掺的SiO2薄膜.使用X-射线衍射证实体系中形成了In2O3纳米颗粒,其数密度可以通过改变铟的掺杂浓度来进行良好的控制.在薄膜的光致发光光谱中观察到Eu3+离子的5D0-7FJ(J=0-4)特征发射峰,In2O3纳米颗粒的掺入使Eu3+的光致发光得到显著增强.通过光致发光激发光谱的测量进一步研究了In2O3纳米颗粒对Eu3+的光致发光增强的机制.
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- 关键词：稀土发光材料溶胶-凝胶法光致发光
- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
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- 纳米硅/二氧化硅多层膜中的电致发光研究
- 迄今，已有很多方法来获得包括多孔硅、纳米硅等在内的硅基发光材料,也有许多报道涉及到了硅基发光材料的发光机制。发光特性等方面的研究内容。本文报道了纳米硅/二氧化硅多层膜电致发光原型器件的构建与特性的研究结果，并研究了掺杂等...
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- 关键词：二氧化硅纳米硅多层膜电致发光
- 文献传递
- 一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法
- 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法，属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明，采用本发明的方法可以使稀土离子的...
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