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天津理工大学材料科学与工程学院显示材料与光电器件教育部重点实验室

作品数：7 被引量：10H指数：2
相关作者：董木森申利莹杨小艳更多>>
相关机构：南京邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇发光
  • 2篇电池
  • 2篇电致发光
  • 2篇电子传输
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性能
  • 2篇钙钛矿
  • 1篇氮杂
  • 1篇电荷
  • 1篇电学
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇电致发光性能
  • 1篇电子传输层
  • 1篇延迟荧光
  • 1篇英文
  • 1篇荧光
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...

机构

  • 7篇天津理工大学
  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 4篇印寿根
  • 3篇华玉林
  • 3篇吴晓明
  • 2篇董木森
  • 2篇申利莹
  • 1篇毕文涛
  • 1篇秦文静
  • 1篇刘少伟
  • 1篇王丽
  • 1篇肖志慧
  • 1篇杨利营
  • 1篇王亚凌
  • 1篇张欣
  • 1篇白娟娟
  • 1篇郑加金
  • 1篇穆雪
  • 1篇杨小艳

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇有机化学
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇第四届新型太...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
1,4-硼氮杂芳烃在中国的研究进展
2023年
稠环芳烃及其衍生物在有机光电材料领域具有广泛应用,杂原子掺杂可有效调节稠环芳烃的物理化学性质.硼氮杂芳烃是稠环芳烃的重要成员.基于硼原子和氮原子的相对位置,硼氮杂芳烃可以分为三种异构体:1,2-硼氮杂芳烃、1,3-硼氮杂芳烃和1,4-硼氮杂芳烃,由于合成上的困难,1,3-硼氮杂芳烃的研究相对较少.近年来,得益于1,4-硼氮杂芳烃在多重共振热活化延迟荧光材料方面潜力的发掘,1,4-硼氮杂芳烃在国内外都取得了飞速发展.我国有机化学及材料化学领域的学者们积极参与并推动了1,4-硼氮杂芳烃的快速发展,在1,4-硼氮杂芳烃的结构开发和应用拓展方面开展了一系列原创性的工作,取得了瞩目的成绩.以1,4-硼氮芳烃的结构作为线索,按照杂原子二元掺杂(B/N)骨架和三元掺杂(X/B/N)骨架分别进行论述,综述了1,4-硼氮杂芳烃的合成发展历史和应用研究拓展,最后对硼氮杂芳烃领域的未来发展与应用进行了展望.
徐晓阳刘美艳李成龙吴晓明刘旭光
变温电阻法测量甲铵铅碘在高温下的电学禁带宽度
禁带宽度决定了光伏材料可达到的理论最高效率。有机无机杂化钙钛矿材料的禁带宽度可以通过很多种方法测量,如紫外可见吸收光谱、荧光光谱等。变温光谱学研究表明,与常规半导体不同的是,含铅钙钛矿材料的禁带宽度随温度升高而增加。本征...
曹焕奇陈继彤朱浩赵祖彬李今朝印寿根
关键词：禁带宽度
文献传递
利用色彩转换法制备高色稳定性的柔性白色有机电致发光器件被引量：1
2012年
本文利用色转换方法,将高效的蓝色柔性有机电致发光器件(flexible organic light emitting devices,FOLEDs)与色转换材料(color conversion material,CCM)相结合,制备了柔性白色有机电致发光器件(white organic light emittingdevices,WOLEDs).首先利用2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane(F4-TCNQ)和4,4′,4″-tris-(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)tripheny-lamine(m-MTDATA)组成的多量子阱(multiple quantum well,MQW)结构作为空穴注入层(hole injection layer,HIL)结合新型蓝光材料N^6,N^6,N^(12),N^(12)-tetrap-tolylchrysene-6,12-diamine(NCA)制备出高效的蓝光FOLEDs,然后将其与色转换材料4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)结合,通过沉积不同厚度的CCM来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白光.实验结果表明:在驱动电压为7 V,DCJTB的厚度为120 nm时得到较接近白光等能点的色坐标(0.33,0.27),且当驱动电压由6 V升至11 V时,器件的色坐标变化仅为(30.02,±0.02),表现出高色稳定性.
吴晓明申利莹华玉林董木森穆雪白娟娟毕文涛杨小艳印寿根
锡铅混合钙钛矿太阳能电池垂直组分梯度的溶剂工程调控
2023年
带隙1.1~1.4 eV的锡铅混合卤化物钙钛矿是单结太阳能电池光电转换效率(PCE)接近Shockley-Queisser(S-Q)理论效率极限值的理想材料。钙钛矿薄膜垂直方向上的化学组分梯度会通过影响能带结构影响载流子的传输和分离,因此对锡铅混合钙钛矿薄膜的结晶过程进行控制十分重要。本研究发现使用不同剂量的反溶剂制备锡铅混合钙钛矿会形成不同的垂直组分梯度,并且随反溶剂用量增大薄膜表面铅含量增加。调整溶剂组分可以控制锡铅混合钙钛矿的垂直组分梯度,增大溶剂中V(DMSO):V(DMF)可以形成底部富铅而表面富锡的垂直组分梯度。当铅基前驱液溶剂中V(DMSO):V(DMF)最优化为1:2时,相比于1:4的对照组,器件在标准光照条件下的开路电压从0.725 V提高到0.769 V,短路电流密度从30.95 mA·cm^(-2)提高到31.65 mA·cm^(-2),PCE从16.22%提升到接近18%。利用SCAPS软件数值模拟进一步证明了垂直组分梯度的必要性,当钙钛矿薄膜底部富铅、顶部富锡时,载流子在空穴传输层界面区域的复合有所减少,因而电池性能得到提升。
代晓栋张露伟钱奕成任智鑫曹焕奇印寿根
关键词：太阳能电池
插入电荷控制层对蓝色OLED发光性能的提高被引量：5
2014年
用蓝色有机荧光材料N6,N6,N12,N12-tetrap-tolylchrysene-6,12-diamine(DNCA)作为发光层,在发光层中间以及发光层与电子传输层之间插入2-methyl-9,10-di(2-napthyl)anthracene(MADN)和9,10-di(2-naphthyl)anthracene(ADN)作为电荷控制层,制备了结构为ITO/NPB(40 nm)/DNCA(15 nm)/MADN(3nm)/DNCA(15 nm)/ADN(3 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(120 nm)的蓝色有机电致发光器件(OLED)。该器件的最大电流效率和最大亮度分别为5.6 cd/A和23 310 cd/m2。与传统的单发光层器件相比,最大电流效率和最大亮度分别提高了70%和87%。器件发光性能的提高可归结于两个电荷控制层在整个器件中的协同作用。第一电荷控制层MADN的作用主要是将发光层区域分成两个部分,从而扩大了激子在发光层中的复合区域;第二电荷控制层ADN可以有效地将空穴限制在发光层中,避免了激子在电子传输层中形成的无辐射跃迁从而提高了器件的发光性能。
王丽吴晓明华玉林肖志慧张欣辛利文印寿根
利用Cs基衍生物作为n型掺杂剂改善蓝色有机发光二极管的效率(英文)被引量：3
2012年
利用两种Cs基衍生物碳酸铯(Cs2CO3)和醋酸铯(CH3COOCs)作为n型掺杂剂掺入到一种新型的电子传输材料2,9-二(2-萘基)-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(NBPhen)中来提高有机发光二极管(OLEDs)的效率.实验结果表明:器件的驱动电压明显降低,并且优化后得到的Cs基n型掺杂器件(ITO/β-NPB/CBP:5%(w)N-BDAVBi/NBPhen/NBPhen:Cs2CO3(or CH3COOCs)/Al)呈现出较好的电致发光性能,在14 V时电流密度分别为551.80和527.88 mA·cm-2,对应的亮度分别达到39750和39820 cd·m-2,电流效率在亮度为10000 cd·m-2时分别为14.60 cd·A-1(Cs2CO3掺杂)和14.40 cd·A-1(CH3COOCs掺杂),这些参数明显优于传统器件的发光性能(ITO/β-NPB/CBP:5%(w)N-BDAVBi/NBPhen/Cs2CO3/Al,其在14 V时电流密度为312.39 mA·cm-2,对应的亮度为25190 cd·m-2;电流效率在亮度为10000 cd·m-2时为9.45 cd·A-1.此外,基于有机半导体掺杂原理和器件的能级结构对n型掺杂器件效率提高的原因进行了分析.
申利莹吴晓明华玉林董木森印寿根郑加金
关键词：有机发光二极管电致发光性能
PTCDI-C_8作为阴极修饰层提高钙钛矿太阳能电池的性能（英文）被引量：1
2018年
采用N,N'-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率。通过调节PTCDI-C8薄膜的厚度优化界面接触和电子传输性能。实验结果表明:当PTCDI-C8薄膜的厚度为20 nm时得到的器件性能最优。光电转换效率(PCE)由5.26%提高到了8.65%,开路电压(Voc)为0.92 V,短路电流(Jsc)为15.68 m A/cm2,填充因子(FF)为60%。PTCDI-C8能够有效阻挡空穴向阴极传输,同时PTCDI-C8具有较高的电子迁移率以及较高的稳定性,在增加电子传输的同时,可减少环境对PCBM的侵蚀,提高了器件的稳定性。
李志成妙亚刘少伟刘少伟曹焕奇王亚凌杨利营印寿根
关键词：电子传输
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