上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心
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- Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的结构演变和发光性能
- 2016年
- 采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb^(3+)离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu_2SiO_5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征。研究结果表明Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100℃时晶化完全。Tb∶Lu_2SiO_5的发光性能表现为Tb^(3+)离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480~650 nm和350~470 nm),激发主峰位于~240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射。研究表明Tb^(3+)掺杂浓度对Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol%的Tb^(3+)时,Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的发光强度最强。
- 孙智谢建军王宇施鹰雷芳
- 关键词：SOL-GEL法发光性能
