东南大学电子科学与工程学院国家专用集成电路系统工程技术研究中心
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 基于PDP驱动技术的行扫描芯片浪涌电压抑制方法被引量：2
- 2012年
- 分析了等离子体显示器中行扫描芯片的浪涌电压产生机理。结合浪涌电压产生机理从PDP驱动技术的角度提出抑制浪涌电压的理论方案,并以实验室PDP模组为实验载体,通过修改控制板驱动代码来实现该方案。通过实测新方案的波形,并观察PDP屏显示的静态图像与动态图像,验证了该方案可以有效抑制行扫描芯片的浪涌电压。该方案使得芯片的制造成本降低,从而缩减了整个PDP系统的成本。
- 王勇森华国环何晓莹孙伟锋
- 关键词：PDP浪涌电压驱动技术
- 180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
- 2022年
- 抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实验结果表明该加固器件存在两个主要问题:1)浅槽刻蚀后进行离子注入,后续热工艺较多,存在显著的杂质再分布效应,导致STI侧壁离子浓度降低,经过1×10^(5) rad(1 rad=10^(-2) Gy)(Si)辐照后,器件因漏电流增大而无法关断;2)加固离子注入降低了漏区PN结击穿电压,不能满足实际应用需求.为解决上述问题,本文提出了一种新型部分沟道离子注入加固方案.该方案调整加固离子注入工艺至热预算较多的栅氧工艺之后,减弱了离子再分布效应.另外,仅在STI边缘的沟道中部进行离子注入,不影响漏击穿电压.采用本方案对高压NMOS器件进行总剂量工艺加固,不改变器件的条形栅设计,对器件电学参数影响较小,与通用工艺兼容性好.测试结果表明,器件经过1.5×10^(5) rad(Si)总剂量辐照后,关态漏电流保持在10^(-12)A左右,这比传统的STI场区离子注入加固方案降低了5个数量级.
- 陈晓亮孙伟锋
- 关键词：总剂量辐射效应高压器件嵌入式闪存
